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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tolerância | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Máx.) | Tensão - Zener (Nom) (Vz) | Impedância (Máx.) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MURF1660CTH | 0,7551 | ![]() | 9484 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | MURF1660 | padrão | ITO-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 600V | 16A | 1,5 V a 8 A | 50 ns | 10 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||
| 1PGSMA4743H | 0,1167 | ![]() | 4015 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-214AC, SMA | 1PGSMA4743 | 1,25W | DO-214AC (SMA) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 9,9 V | 13V | 10 Ohms | ||||||||||||||
| BZD27C62P RQG | - | ![]() | 9652 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±6,45% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-219AB | BZD27 | 1W | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 47 V | 62 V | 80 Ohms | ||||||||||||||
| S1KLS RVG | 0,0776 | ![]() | 6774 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123H | S1K | padrão | SOD-123HE | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 800V | 1,3 V a 1,2 A | 5 µA a 800 V | -55°C ~ 150°C | 1,2A | - | |||||||||||||
| S1DFSHMWG | 0,4600 | ![]() | 210 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-128 | S1D | padrão | SOD-128 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.500 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,1 V a 1 A | 1 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 9pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | S1DLS | 0,4100 | ![]() | 3796 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123H | padrão | SOD-123HE | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,3 V a 1,2 A | 5 µA a 200 V | -55°C ~ 175°C | 1,2A | - | |||||||||||||
![]() | 1N5235B A0G | - | ![]() | 4930 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Caixa (TB) | Ativo | ±5% | 100°C (TJ) | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | 1N5235 | 500 mW | DO-35 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,1 V a 200 mA | 3 µA a 5 V | 6,8 V | 5 Ohms | |||||||||||||
![]() | SRA890 C0G | - | ![]() | 7042 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | SRA890 | Schottky | TO-220AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 90 V | 850 mV a 8 A | 100 µA a 90 V | -55°C ~ 150°C | 8A | - | ||||||||||||
![]() | SF22GHB0G | - | ![]() | 2055 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Descontinuado na SIC | Através do furo | DO-204AC, DO-15, Axial | SF22 | padrão | DO-204AC (DO-15) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 100V | 950 mV a 2 A | 35 ns | 5 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 2A | 40pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | SK83C | 0,2997 | ![]() | 1670 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | SK83 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 30 V | 500 µA a 30 V | -55°C ~ 125°C | 8A | - | |||||||||||||
![]() | S8KCHR7G | - | ![]() | 8569 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | S8KC | padrão | DO-214AB (SMC) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 800V | 985 mV a 8 A | 10 µA a 800 V | -55°C ~ 150°C | 8A | 48pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
| 1SMA4764H | 0,0995 | ![]() | 3508 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-214AC, SMA | 1SMA4764 | 1,25W | DO-214AC (SMA) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1 µA a 76 V | 100V | 350 Ohms | |||||||||||||||
| BZD27C30P M2G | - | ![]() | 6175 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±6,66% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-219AB | BZD27 | 1W | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 22 V | 30 V | 15 Ohms | ||||||||||||||
| BZD27C15P RTG | - | ![]() | 3154 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±6,12% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-219AB | BZD27 | 1W | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 11 V | 14,7V | 10 Ohms | ||||||||||||||
![]() | MBRF2050 C0G | - | ![]() | 9342 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Ativo | Através do furo | Pacote completo TO-220-2 | MBRF2050 | Schottky | ITO-220AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 50 V | 820 mV a 20 A | 200 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 20A | - | ||||||||||||
![]() | F1T6G A1G | - | ![]() | 2079 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Caixa (TB) | Ativo | Através do furo | T-18, Axial | F1T6 | padrão | TS-1 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 800V | 1,3 V a 1 A | 500 ns | 5 µA a 800 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 15pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | MTZJ4V3SC | 0,0305 | ![]() | 1767 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AG, DO-34, Axial | MTZJ4 | 500 mW | DO-34 | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-MTZJ4V3SCTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 5 µA a 1 V | 4,3V | 100 Ohms | ||||||||||||||
![]() | HERAF803G C0G | - | ![]() | 9934 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Ativo | Através do furo | Pacote completo TO-220-2 | HERAF803 | padrão | ITO-220AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 8A | 80pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | S12KCHM6G | - | ![]() | 6099 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | S12K | padrão | DO-214AB (SMC) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 800V | 1,1 V a 12 A | 1 µA a 800 V | -55°C ~ 150°C | 12A | 78pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
| BZD17C11P MHG | - | ![]() | 8502 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5,45% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 mW | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V a 200 mA | 4 µA a 8,2 V | 11V | 7 Ohms | ||||||||||||||
![]() | RS3MHM6G | - | ![]() | 1593 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | RS3M | padrão | DO-214AB (SMC) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1000V | 1,3 V a 3 A | 500 ns | 10 µA a 1000 V | -55°C ~ 150°C | 3A | - | |||||||||||
| S1DLHM2G | - | ![]() | 1038 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-219AB | S1D | padrão | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,1 V a 1 A | 1,8 µs | 5 µA a 200 V | -55°C ~ 175°C | 1A | 9pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | TUAU6GH M3G | 1.3600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-277, 3-PowerDFN | TUAU6 | padrão | SMPC4.6U | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 400V | 1,3 V a 6 A | 50 ns | 5 µA a 400 V | -55°C ~ 175°C | 6A | 64pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
| HS1GL MQG | - | ![]() | 7257 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-219AB | HS1G | padrão | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 400V | 1,3 V a 1 A | 50 ns | 5 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 20pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BZX85C12 R0G | 0,0645 | ![]() | 2393 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | BZX85 | 1,3W | DO-204AL (DO-41) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V a 10 mA | 500 nA a 9,1 V | 12V | 9 Ohms | |||||||||||||
![]() | S1GM RSG | 0,1404 | ![]() | 5562 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | 2-SMD, cabo plano | S1G | padrão | MicroSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 400V | 1,1 V a 1 A | 780ns | 1 µA a 400 V | -55°C ~ 175°C | 1A | 5pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | SS39 R7 | - | ![]() | 7296 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1801-SS39R7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 90 V | 850 mV a 3 A | 100 µA a 90 V | -55°C ~ 150°C | 3A | - | ||||||||||||
| SS15LHRHG | - | ![]() | 5034 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-219AB | SS15 | Schottky | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 50 V | 700 mV por 1 A | 400 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 1A | - | |||||||||||||
![]() | SF11G B0G | - | ![]() | 3807 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Volume | Ativo | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | SF11 | padrão | DO-204AL (DO-41) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 50 V | 950 mV por 1 A | 35 ns | 5 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 20pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
| DBLS155G C1G | - | ![]() | 4793 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | DBLS155 | padrão | DBLS | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V a 1,5 A | 2 µA a 600 V | 1,5A | Monofásico | 600V |

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