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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SR809HA0G | - | ![]() | 7950 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SR809 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 920 mV @ 8 a | 100 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | |||||
![]() | SR810HA0G | - | ![]() | 2723 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SR810 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 920 mV @ 8 a | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | |||||
![]() | SR815 A0G | - | ![]() | 5564 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SR815 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,02 V @ 8 A | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | |||||
![]() | SR815HA0G | - | ![]() | 3480 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SR815 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,02 V @ 8 A | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | |||||
![]() | SRT110 A0G | - | ![]() | 5803 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | SRT110 | Schottky | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 800 mv @ 1 a | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||
![]() | SRT110HA0G | - | ![]() | 3453 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | SRT110 | Schottky | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 800 mv @ 1 a | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||
![]() | Srt115ha0g | - | ![]() | 9907 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | SRT115 | Schottky | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 900 mV @ 1 a | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||
![]() | SRT13HA0G | - | ![]() | 5026 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | SRT13 | Schottky | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 500 µA A 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | |||||
![]() | SRT14HA0G | - | ![]() | 7777 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | SRT14 | Schottky | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV @ 1 a | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | |||||
![]() | SRT16HA0G | - | ![]() | 7838 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | SRT16 | Schottky | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 1 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||
![]() | UG06AHA0G | - | ![]() | 8844 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | UG06 | Padrão | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 600 mA | 15 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 600mA | 9pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | UG56G A0G | - | ![]() | 1435 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | UG56 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,55 V @ 5 A | 20 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - | ||||
![]() | UG56GHA0G | - | ![]() | 4129 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | UG56 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,55 V @ 5 A | 20 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - | ||||
![]() | UG58GHA0G | - | ![]() | 6034 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | UG58 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2.1 V @ 5 A | 20 ns | 30 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | ||||
D2SB05 D2G | - | ![]() | 3109 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, gbl | D2SB05 | Padrão | Gbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1,1 V @ 2 A | 10 µA a 50 V | 2 a | Fase Única | 50 v | |||||||
D2SB20 D2G | - | ![]() | 2760 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, gbl | D2SB20 | Padrão | Gbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1,1 V @ 2 A | 10 µA A 200 V | 2 a | Fase Única | 200 v | |||||||
D2SB20HD2G | - | ![]() | 3820 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, gbl | D2SB20 | Padrão | Gbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1,1 V @ 2 A | 10 µA A 200 V | 2 a | Fase Única | 200 v | |||||||
![]() | DBL103GHC1G | - | ![]() | 7714 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Dbl103 | Padrão | Dbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1 A | 2 µA a 200 V | 1 a | Fase Única | 200 v | ||||||
![]() | DBL104G | 0,2250 | ![]() | 6811 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Dbl104 | Padrão | Dbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1 A | 2 µA A 400 V | 1 a | Fase Única | 400 v | ||||||
DBL105GH | 0,2394 | ![]() | 7244 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DBL105 | Padrão | Dbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1 A | 2 µA A 600 V | 1 a | Fase Única | 600 v | |||||||
![]() | DBL107GH | 0,2394 | ![]() | 6083 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Dbl107 | Padrão | Dbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1 A | 2 µA A 1000 V | 1 a | Fase Única | 1 kv | ||||||
DBL151G C1G | - | ![]() | 6882 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Dbl151 | Padrão | Dbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1,5 A | 2 µA A 100 V | 1.5 a | Fase Única | 50 v | |||||||
![]() | DBL152G C1G | - | ![]() | 5770 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Dbl152 | Padrão | Dbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1,5 A | 2 µA A 100 V | 1.5 a | Fase Única | 100 v | ||||||
![]() | DBL152GHC1G | - | ![]() | 4395 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Dbl152 | Padrão | Dbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1,5 A | 2 µA A 100 V | 1.5 a | Fase Única | 100 v | ||||||
![]() | Dbl157g | 0,7000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Dbl157 | Padrão | Dbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1,5 A | 2 µA A 1000 V | 1.5 a | Fase Única | 1 kv | ||||||
DBL157GH | 0,2874 | ![]() | 1026 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Dbl157 | Padrão | Dbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1,5 A | 2 µA A 1000 V | 1.5 a | Fase Única | 1 kv | |||||||
![]() | Dbl158g | 0,2700 | ![]() | 3825 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Dbl158 | Padrão | Dbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,25 V @ 1,5 A | 2 µA A 1200 V | 1.5 a | Fase Única | 1,2 kV | ||||||
![]() | Dbl159g | 0,2700 | ![]() | 8301 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Dbl159 | Padrão | Dbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,25 V @ 1,5 A | 2 µA A 1400 V | 1.5 a | Fase Única | 1,4 kV | ||||||
![]() | DBL159GH | 0,2874 | ![]() | 1604 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Dbl159 | Padrão | Dbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,25 V @ 1,5 A | 2 µA A 1400 V | 1.5 a | Fase Única | 1,4 kV | ||||||
DBL205GH | 0,2874 | ![]() | 3176 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Dbl205 | Padrão | Dbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,15 V @ 2 A | 2 µA A 600 V | 2 a | Fase Única | 600 v |
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