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Diodos (14739)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
BAS70-05 Taiwan Semiconductor Corporation Bas70-05 0,0453
RFQ
 ECAD 3776 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas70 Padrão SOT-23 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BAS70-05TR Ear99 8541.10.0070 6.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par cátodo comum 70 v 70mA 1 V @ 15 mA 5 ns 100 Na @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C.
BZX85C4V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C4V7 0,0645
RFQ
 ECAD 7780 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204al, DO-41, axial BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZX85C4V7TR Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 10 Ma 3 µA @ 1 V 4,7 v 13 ohms
BZX84C4V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C4V7 0,0511
RFQ
 ECAD 8051 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,38% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZX84C4V7TR Ear99 8541.10.0050 6.000 900 mV a 10 mA 3 µA @ 2 V 4,7 v 80 ohms
BAT54 Taiwan Semiconductor Corporation BAT54 0,0326
RFQ
 ECAD 9586 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 Schottky SOT-23 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BAT54TR Ear99 8541.10.0070 6.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA A 25 V -55 ° C ~ 125 ° C. 200Ma 10pf @ 1V, 1MHz
BZT52C7V5S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C7V5S 0,0357
RFQ
 ECAD 5723 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW SOD-323F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT52C7V5STR Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 10 Ma 900 Na @ 5 V 7,5 v 15 ohms
BZT52C43S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C43S 0,0357
RFQ
 ECAD 5919 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW SOD-323F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT52C43STR Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 10 Ma 45 Na @ 30,1 V 43 v 150 ohms
SRS10100 Taiwan Semiconductor Corporation SRS10100 0,6690
RFQ
 ECAD 7947 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab SRS10100 Schottky TO-263AB (D2PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-SRS10100TR Ear99 8541.10.0080 1.600 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 10a 900 mV @ 5 A 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BAT54T Taiwan Semiconductor Corporation Bat54t 0,1224
RFQ
 ECAD 4193 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAT54 Schottky SOT-363 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BAT54TTR Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 3 Independente 30 v 200Ma 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA A 25 V -55 ° C ~ 125 ° C.
BZX55C3V9 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C3V9 0,0287
RFQ
 ECAD 7801 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX55 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZX55C3V9TR Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 100 Ma 2 µA @ 1 V 3,9 v 85 ohms
BZT52B6V8 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B6V8 0,0412
RFQ
 ECAD 3943 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F BZT52B 500 MW SOD-123F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT52B6V8TR Ear99 8541.10.0050 6.000 1 V @ 10 Ma 1,8 µA a 4 V 6,8 v 15 ohms
BZT52C27-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C27-G 0,0445
RFQ
 ECAD 1648 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT52C27-GTR Ear99 8541.10.0050 6.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 18,9 V 27 v 80 ohms
GBPC2508 Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2508 3.1618
RFQ
 ECAD 6679 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation GBPC25 Bandeja Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi 4 Quadrados, GBPC GBPC2508 Padrão GBPC download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-GBPC2508 Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 12,5 A 5 µA A 800 V 25 a Fase Única 800 v
BZX55C3V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C3V3 0,0287
RFQ
 ECAD 4229 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX55 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZX55C3V3TR Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 100 Ma 2 µA @ 1 V 3,3 v 85 ohms
BZV55C62 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C62 0,0333
RFQ
 ECAD 9283 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 BZV55C 500 MW Mini Mell download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZV55C62TR Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 10 Ma 100 Na @ 47 V 62 v 150 ohms
BZX85C33 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C33 0,0645
RFQ
 ECAD 4733 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204al, DO-41, axial BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZX85C33TR Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 10 Ma 500 Na @ 24 V 33 v 35 ohms
BZT52B2V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V7 0,0412
RFQ
 ECAD 1573 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F BZT52B 500 MW SOD-123F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT52B2V7TR Ear99 8541.10.0050 6.000 1 V @ 10 Ma 18 µA A 1 V 2,7 v 100 ohms
BZX584B8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B8V2 0,0639
RFQ
 ECAD 3614 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW SOD-523F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZX584B8V2TR Ear99 8541.10.0050 104.000 700 Na @ 5 V 8.2 v 15 ohms
BZT52B18S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B18S 0,0340
RFQ
 ECAD 3680 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F BZT52B 200 MW SOD-323F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT52B18STR Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 10 Ma 45 Na @ 12,6 V 18 v 45 ohms
BZX584B27 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B27 0,0379
RFQ
 ECAD 3984 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW SOD-523F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZX584B27TR Ear99 8541.10.0050 8.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 18,9 V 27 v 80 ohms
MMSZ5260B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5260B 0,0433
RFQ
 ECAD 7763 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F MMSZ5260 500 MW SOD-123F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MMSZ5260BTR Ear99 8541.10.0050 6.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 33 V 43 v 93 ohms
MBR30H100CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR30H100CTH 1.1409
RFQ
 ECAD 8299 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 MBR30 Schottky TO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBR30H100CTH Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 30a 980 mV @ 30 A 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 175 ° C.
BZX55C36 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C36 0,0287
RFQ
 ECAD 6162 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX55 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZX55C36TR Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 100 Ma 100 Na @ 27 V 36 v 80 ohms
TS20K60-T Taiwan Semiconductor Corporation TS20K60-T 1.2200
RFQ
 ECAD 2824 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, ts4k Padrão TS4K - 1801-TS20K60-T 500 1,05 V @ 10 A 5 µA A 600 V 20 a Fase Única 600 v
TS20K40-T Taiwan Semiconductor Corporation TS20K40-T 1.2200
RFQ
 ECAD 6327 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation * Tubo Ativo - 1801-TS20K40-T 500
TS20K80-T Taiwan Semiconductor Corporation TS20K80-T 1.2200
RFQ
 ECAD 2693 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation * Tubo Ativo - 1801-TS20K80-T 500
TS20K100-T Taiwan Semiconductor Corporation TS20K100-T 1.2200
RFQ
 ECAD 1660 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation * Tubo Ativo - 1801-TS20K100-T 500
TSS42L-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSS42L-F0 RWG -
RFQ
 ECAD 7895 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Obsoleto - 1801-TSS42L-F0RWG Obsoleto 1
TSS0340L-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSS0340L-F0 RWG -
RFQ
 ECAD 9253 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Obsoleto Montagem na Superfície 1005 (2512 Mética) Schottky 1005 - 1801-TSS0340L-F0RWG Obsoleto 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 40 v 370 mV @ 1 Ma 1 µA A 40 V -40 ° C ~ 125 ° C. 30Ma 1.5pf @ 1V, 1MHz
TSS54L-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSS54L-F0 RWG -
RFQ
 ECAD 1647 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Obsoleto Montagem na Superfície 1005 (2512 Mética) Schottky 1005 - 1801-TSS54L-F0RWG Obsoleto 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA A 25 V -65 ° C ~ 125 ° C. 200Ma 10pf @ 1V, 1MHz
SRF1060D-01 Taiwan Semiconductor Corporation SRF1060D-01 -
RFQ
 ECAD 3310 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Volume Obsoleto Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada Schottky ITO-220AB - 1801-SRF1060D-01 Obsoleto 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 10a 700 mv @ 5 a 500 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

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