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Diodos (14739)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | F1T3GHA1G | - |  | 3732 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | F1T3 | Padrão | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | BZD17C39P RVG | - | | 1570 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,12% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA a 30 V | 39 v | 40 ohms | |||||||||||
 | BAV19 | 0,0315 | | 5881 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BAV19 | Padrão | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BAV19TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 120 v | 1,25 V @ 200 mA | 100 Na @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 200Ma | 5pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||
 | Esh1jmhrsg | - | | 4691 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 2-SMD, Chumbo Plano | Padrão | Micro SMA | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-NESH1JMHRSGTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,5 V @ 1 A | 25 ns | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 3pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| SFT15G A1G | - | | 6168 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Descontinuado no sic | Através do buraco | T-18, axial | SFT15 | Padrão | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,3 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| BZD17C120P RVG | 0,3540 | | 8910 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,41% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 91 V | 120 v | 300 ohms | |||||||||||
 | MBRF10100CTHC0G | - | | 5973 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF10100 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 10a | 950 mV @ 10 A | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
| SK510CH | 0.2111 | | 2078 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mv @ 5 a | 300 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||||||||||
 | SR220HB0G | - | | 6283 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | SR220 | Schottky | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 2 a | 100 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||||||||
 | Es1ah | 0,2565 | | 1044 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-ES1AlHtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| BZY55B2V4 | 0,0486 | | 1447 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 0805 (2012 Mética) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZY55B2V4TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2,4 v | 85 ohms | ||||||||||||
 | BZT55C3V3 L1G | - | | 1996 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 Ma | 2 µA @ 1 V | 3,3 v | 85 ohms | |||||||||||
| Es2aah | 0,1886 | | 3964 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC (SMA) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-ES2AAHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 2 a | 35 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 25pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | BYG23M R3G | - | | 7112 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BYG23 | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 1,5 A | 65 ns | 1 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | ES5D-T M6G | 0,1525 | | 1819 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | ES5D | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-ES5D-TM6GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 5 A | 35 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 185pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | BZX585B6V2 RKG | - | | 2001 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | BZX585B6 | 200 MW | SOD-523F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2,7 µA a 4 V | 6.2 v | 10 ohms | ||||||||||||
 | Tuas8d | 0,6900 | | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Tuas8 | Padrão | SMPC4.6U | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 8 A | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 62pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| BZT55C33 L0G | 0,0350 | | 7713 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 24 V | 33 v | 80 ohms | |||||||||||
 | MBRS1060HMNG | - | | 2473 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRS1060 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 950 mV @ 10 A | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - | ||||||||||
 | S3dhr7g | - | | 7067 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S3d | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,15 V @ 3 A | 1,5 µs | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | 1N4001GHA0G | - | | 6228 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4001 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 1 A | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
 | BZX79B2V7 A0G | - | | 5249 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX79 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 100 Ma | 1 mA @ 75 V | 2,7 v | 100 ohms | |||||||||||
 | HS2BA | 0,2228 | | 4105 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC (SMA) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-HS2BATR | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 1,5 A | 50 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| 2A03GHA0G | - | | 3651 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2A03 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 2 A | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| SRF1640HC0G | - | | 8888 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SRF1640 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 40 v | 16a | 550 mV @ 8 a | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||
| 1M120ZHB0G | - | | 4541 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1M120 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 5 µA a 91,2 V | 120 v | 550 ohms | ||||||||||||
| Rsfjl rhg | - | | 2950 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Rsfjl | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 500 mA | 250 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 4pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| BZX55B6V8 A0G | - | | 9988 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 3 V | 6,8 v | 8 ohms | |||||||||||
| Srt15 a0g | - | | 4860 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | SRT15 | Schottky | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 1 a | 500 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||||||||
 | RB520G-30 RLG | 0,0587 | | 4923 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-723 | RB520 | Schottky | SOD-723 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 450 mV a 10 mA | 500 Na @ 10 V | 125 ° C (Máximo) | 100mA | - |
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