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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TS8P03GHD2G | - | ![]() | 8175 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P03 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 200 V | 8 a | Fase Única | 200 v | ||||||||
![]() | TS8P04GH | - | ![]() | 7919 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P04 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 400 V | 8 a | Fase Única | 400 v | ||||||||
![]() | TS8P06G | 1.0245 | ![]() | 6043 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P06 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA a 800 V | 8 a | Fase Única | 800 v | ||||||||
![]() | TS8P07G C2G | - | ![]() | 3364 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P07 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 1000 V | 8 a | Fase Única | 1 kv | ||||||||
![]() | TS8P07GH | - | ![]() | 2316 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P07 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 1000 V | 8 a | Fase Única | 1 kv | ||||||||
TSS4B02GHC2G | - | ![]() | 8078 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, TS-4B | TSS4B02 | Padrão | TS4B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 980 mV @ 4 a | 5 µA A 100 V | 4 a | Fase Única | 100 v | |||||||||
TSS4B03G C2G | - | ![]() | 1395 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, TS-4B | TSS4B03 | Padrão | TS4B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 980 mV @ 4 a | 5 µA A 200 V | 4 a | Fase Única | 200 v | |||||||||
TSS4B03GHD2G | - | ![]() | 8319 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, TS-4B | TSS4B03 | Padrão | TS4B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 980 mV @ 4 a | 5 µA A 200 V | 4 a | Fase Única | 200 v | |||||||||
TSS4B04G C2G | - | ![]() | 5157 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, TS-4B | TSS4B04 | Padrão | TS4B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1,3 V @ 4 a | 5 µA A 400 V | 4 a | Fase Única | 400 v | |||||||||
![]() | UG1005G | 0,5043 | ![]() | 7462 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | UG1005 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 300 v | 10a | 1,25 V @ 5 A | 22 ns | 10 µA A 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||
![]() | UG1006GH | 0,5370 | ![]() | 5806 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | UG1006 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 400 v | 10a | 1,25 V @ 5 A | 22 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||
![]() | UG12J C0G | - | ![]() | 2464 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-2 | UG12 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2 V @ 12 A | 20 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - | ||||||
![]() | UG6005PTHC0G | - | ![]() | 9386 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | UG6005 | Padrão | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 300 v | 60a | 1,25 V @ 30 A | 25 ns | 5 µA A 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||
![]() | UGF1005GHC0G | - | ![]() | 7544 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | UGF1005 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 300 v | 10a | 1,25 V @ 5 A | 20 ns | 10 µA A 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||
![]() | UGF1006GHC0G | - | ![]() | 9218 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | UGF1006 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 400 v | 10a | 1,25 V @ 5 A | 20 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||
![]() | UGF10L08G C0G | - | ![]() | 1910 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | UGF10 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 10a | 1,7 V @ 5 A | 25 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | UGF1606G | 0,5920 | ![]() | 2823 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | UGF1606 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 400 v | 16a | 1,25 V @ 8 a | 25 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||
![]() | UGF2005GH | - | ![]() | 3529 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | UGF2005 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 300 v | 20a | 1,25 V @ 10 A | 20 ns | 5 µA A 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||
![]() | UGF5JHC0G | - | ![]() | 3916 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | UGF5 | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 3 V @ 5 A | 25 ns | 30 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | ||||||
![]() | UGF8JD C0G | - | ![]() | 2619 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | UGF8 | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2,3 V @ 8 A | 30 ns | 500 Na @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||||||
![]() | UR4KB60-B | 0,5982 | ![]() | 9044 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 -SIP | UR4KB60 | Padrão | D3K | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1 V @ 2 A | 10 µA A 600 V | 4 a | Fase Única | 600 v | ||||||||
![]() | UR8KB60 | 0,8976 | ![]() | 4773 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 -SIP | UR8KB60 | Padrão | D3K | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 600 V | 8 a | Fase Única | 600 v | ||||||||
![]() | UR8KB80 | 0,8976 | ![]() | 7950 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 -SIP | UR8KB80 | Padrão | D3K | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1,2 V @ 8 A | 10 µA a 800 V | 8 a | Fase Única | 800 v | ||||||||
![]() | SFF502G C0G | - | ![]() | 5422 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF502 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 980 mV @ 2,5 A | 35 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 70pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | SFF502GHC0G | - | ![]() | 3614 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF502 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 980 mV @ 2,5 A | 35 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 70pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | SFF503G C0G | - | ![]() | 5884 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF503 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 980 mV @ 2,5 A | 35 ns | 10 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 70pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | SFF506G | - | ![]() | 8180 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF506 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 2,5 A | 35 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | SFF506GHC0G | - | ![]() | 5333 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF506 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 2,5 A | 35 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | SFF508G | - | ![]() | 2913 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF508 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 2,5 A | 35 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | SR10150HC0G | - | ![]() | 9802 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | SR10150 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 10a | 950 mV @ 5 A | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. |
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