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Diodos (14739)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
T25JA05G-K Taiwan Semiconductor Corporation T25JA05G-K 1.3248
RFQ
 ECAD 2974 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, TS-6P T25JA Padrão TS-6P download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-T25JA05G-K Ear99 8541.10.0080 1.500 1,15 V @ 25 A 5 µA A 600 V 25 a Fase Única 600 v
BZT52B9V1-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B9V1-G 0,0461
RFQ
 ECAD 3853 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 BZT52B 410 MW SOD-123 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT52B9V1-GTR Ear99 8541.10.0050 6.000 900 mV a 10 mA 500 Na @ 6 V 9.1 v 15 ohms
1SS400 Taiwan Semiconductor Corporation 1ss400 0,0371
RFQ
 ECAD 4803 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 1ss4 Padrão SOD-523F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1SS400TR Ear99 8541.10.0080 8.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 100 v 1,2 V @ 100 Ma 4 ns 100 Na @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C. 200Ma 4pf @ 500MV, 1MHz
1N4746G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4746G 0,0633
RFQ
 ECAD 8492 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4746 1 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N4746GTR Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 200 mA 5 µA A 13,7 V 18 v 20 ohms
1N4732G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4732G 0,0627
RFQ
 ECAD 4012 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4732 1 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N4732GTR Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 200 mA 10 µA A 1 V 4,7 v 8 ohms
BZX79C43 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C43 0,0287
RFQ
 ECAD 3047 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX79 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZX79C43TR Ear99 8541.10.0050 20.000 1,5 V @ 100 Ma 50 Na @ 30,1 V 43 v 150 ohms
BZD27C110P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C110P 0,2888
RFQ
 ECAD 8283 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5,45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZD27C110PTR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 82 V 110 v 250 ohms
SF2006GH Taiwan Semiconductor Corporation SF2006GH 0,7689
RFQ
 ECAD 5905 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SF2006 Padrão TO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-SF2006GH Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 400 v 20a 1,3 V @ 10 A 35 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GBPC1508 Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1508 3.1618
RFQ
 ECAD 9262 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation GBPC15 Bandeja Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi 4 Quadrados, GBPC GBPC1508 Padrão GBPC download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-GBPC1508 Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 7,5 A 5 µA A 800 V 15 a Fase Única 800 v
GBPC1504W Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1504W 3.1618
RFQ
 ECAD 2475 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation GBPC15 Bandeja Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, GBPC-W GBPC1504 Padrão GBPC-W download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-GBPC1504W Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 7,5 A 5 µA A 400 V 15 a Fase Única 400 v
HER107GH Taiwan Semiconductor Corporation HER107GH 0.1044
RFQ
 ECAD 8832 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-HER107GHTR Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,7 V @ 1 A 75 ns 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
MBRS15100CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRS15100CT-Y 0,4632
RFQ
 ECAD 4016 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRS15100 Schottky TO-263AB (D2PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBRS15100CT-YTR Ear99 8541.10.0080 1.600 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 15a 920 mV @ 7.5 A 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BZX79B18 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B18 0.0305
RFQ
 ECAD 9233 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX79 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZX79B18TR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,5 V @ 100 Ma 12,6 mA a 50 mV 18 v 45 ohms
SFF1006GAH Taiwan Semiconductor Corporation SFF1006GAH 0,5584
RFQ
 ECAD 7778 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SFF1006 Padrão ITO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-SFF1006GAH Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 400 v 10a 1,3 V @ 5 A 35 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GBPC2508M Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2508M 3.1618
RFQ
 ECAD 8035 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation GBPC25 Bandeja Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi 4 quadrados, GBPC-M GBPC2508 Padrão GBPC-M download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-GBPC2508M Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 12,5 A 5 µA A 800 V 25 a Fase Única 800 v
TUAR4KH Taiwan Semiconductor Corporation Tuar4kh 0,2121
RFQ
 ECAD 8173 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN Tuar4 Padrão SMPC4.6U download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-Tuar4khtr Ear99 8541.10.0080 6.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,4 V @ 4 a 500 ns 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 4a 24pf @ 4V, 1MHz
GBL206H Taiwan Semiconductor Corporation GBL206H 0,4061
RFQ
 ECAD 8488 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, gbl GBL206 Padrão Gbl download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-GBL206H Ear99 8541.10.0080 1.200 1 V @ 2 A 5 µA A 800 V 2 a Fase Única 800 v
MBR30L120CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR30L120CTH 1.4400
RFQ
 ECAD 9794 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 MBR30 Schottky TO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBR30L120CTH Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 120 v 30a 950 mV @ 30 A 20 µA A 120 V -55 ° C ~ 150 ° C.
M3Z47VC Taiwan Semiconductor Corporation M3Z47VC 0,0294
RFQ
 ECAD 6269 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F M3Z47 200 MW SOD-323F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-M3Z47VCTR Ear99 8541.10.0050 6.000 100 Na @ 35 V 47 v 110 ohms
GBU1004H Taiwan Semiconductor Corporation GBU1004H 0,8559
RFQ
 ECAD 6246 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 -SIP, GBU GBU1004 Padrão GBU download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-GBU1004H Ear99 8541.10.0080 1.000 1,1 V @ 10 A 5 µA A 400 V 10 a Fase Única 400 v
GBL08H Taiwan Semiconductor Corporation GBL08H 0,6044
RFQ
 ECAD 2880 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, gbl GBL08 Padrão Gbl download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-GBL08H Ear99 8541.10.0080 1.200 1 V @ 2 A 5 µA A 800 V 3 a Fase Única 800 v
SS14LH Taiwan Semiconductor Corporation SS14LH 0,2235
RFQ
 ECAD 5415 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123 SS14 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-SS14lHtr Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 400 µA A 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a -
MBRS10150CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRS10150CT-Y 0.4119
RFQ
 ECAD 3266 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRS10150 Schottky TO-263AB (D2PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBRS10150CT-YTR Ear99 8541.10.0080 1.600 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 10a 980 mV @ 10 A 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
TSZU52C2V7 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C2V7 0,0669
RFQ
 ECAD 8969 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 4,98% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície 0603 (1608 Mética) Tszu52 150 MW 0603 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSZU52C2V7TR Ear99 8541.10.0050 20.000 900 mV a 10 mA 75 µA @ 1 V 2,7 v 83 ohms
TS10P05GH Taiwan Semiconductor Corporation TS10P05GH 1.0839
RFQ
 ECAD 5197 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, TS-6P TS10 Padrão TS-6P download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TS10P05GH Ear99 8541.10.0080 1.200 1,1 V @ 10 A 10 µA A 600 V 10 a Fase Única 600 v
BZS55C36 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C36 0,0340
RFQ
 ECAD 7207 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 1206 (3216 Mética) BZS55 500 MW 1206 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZS55C36TR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,5 V @ 10 Ma 100 Na @ 27 V 36 v 80 ohms
MTZJ8V2SB Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj8v2sb 0.0305
RFQ
 ECAD 8894 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco DO-204AG, DO-34, axial Mtzj8 500 MW Do-34 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MTZJ8V2SBTR Ear99 8541.10.0050 10.000 500 Na @ 5 V 8.2 v 20 ohms
KBPF206G Taiwan Semiconductor Corporation KBPF206G 0,4266
RFQ
 ECAD 6661 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbpf KBPF206 Padrão KBPF download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-KBPF206G Ear99 8541.10.0080 2.100 1,1 V @ 2 A 5 µA A 800 V 2 a Fase Única 800 v
HER605GH Taiwan Semiconductor Corporation HER605GH 0,5466
RFQ
 ECAD 6113 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco R-6, axial Padrão R-6 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-HER605GHTR Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 6 A 50 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 6a 80pf @ 4V, 1MHz
GBL205H Taiwan Semiconductor Corporation GBL205H 0,4061
RFQ
 ECAD 7087 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, gbl GBL205 Padrão Gbl download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-GBL205H Ear99 8541.10.0080 1.200 1 V @ 2 A 5 µA A 600 V 2 a Fase Única 600 v
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