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Diodos (14739)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZT55B30 | 0,0385 |  | 9218 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Variante SOD-80 | 500 MW | Qmmelf | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZT55B30TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 22 V | 30 v | 80 ohms | ||||||||||||
 | Es1jal | 0,4200 | | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | ES1J | Padrão | SMA FINA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 1 A | 35 ns | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | SRS10100 Mng | - | | 5055 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SRS10100 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 10a | 900 mV @ 5 A | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
 | S1KL RFG | - | | 5765 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | S1K | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | Pu2jb | 0,1258 | | 7867 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Pu2j | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-PU2JBTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,5 V @ 2 A | 25 ns | 2 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 22pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
| 1N5251B | 0,0271 | | 3544 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 200 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N5251 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-1N5251BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 mA | 100 Na @ 17 V | 22 v | 29 ohms | |||||||||||
 | 1n4741g a0g | - | | 5335 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4741 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 16,7 V | 11 v | 23 ohms | |||||||||||
 | BZX584B9V1 RSG | 0,0639 | | 4586 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 900 mV a 10 mA | 500 Na @ 6 V | 9.1 v | 15 ohms | |||||||||||
| Mtzj4v7sc | 0.0305 | | 9275 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj4 | 500 MW | Do-34 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-MTZJ4V7SCTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 5 µA @ 1 V | 4.81 v | 80 ohms | ||||||||||||
| Rsfglhrqg | - | | 3335 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Rsfgl | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 500 mA | 150 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 4pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| SS23LHRHG | - | | 8061 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS23 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mv @ 2 a | 400 µA A 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||||||||
| BZX85C16 R0G | 0,0645 | | 4101 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | BZX85 | 1.3 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 10 Ma | 500 Na @ 12 V | 16 v | 15 ohms | |||||||||||
 | FR206G B0G | - | | 3701 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Fr206 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 2 A | 500 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | HERAF1605G C0G | - | | 9736 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | HERAF1605 | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 16 a | 50 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 150pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| LL4002G L0 | - | | 6621 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell | LL4002 | Padrão | Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | LL4002GL0 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| 1N4762A B0G | - | | 8195 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4762 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 5 µA A 62,2 V | 82 v | 200 ohms | ||||||||||||
 | MBRF16100 | - | | 2209 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Schottky | ITO-220AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-MBRF16100 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mV @ 16 a | 300 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - | ||||||||||
| BZD27C15PHRVG | - | | 1335 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,12% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 11 V | 14,7 v | 10 ohms | |||||||||||
| BZD27C7V5PHRFG | - | | 8090 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,04% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 50 µA @ 3 V | 7.45 v | 2 ohms | |||||||||||
 | S15GCHV7G | - | | 2455 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S15G | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1.1 V @ 15 A | 1 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | 93pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| UGF2006GH | 0,6996 | | 3347 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | UGF2006 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-UGF2006GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 400 v | 20a | 1,25 V @ 10 A | 20 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||
| HS3G | 0,2021 | | 1614 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | HS3G | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 50 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
 | HER307G | 0,2361 | | 7459 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | HER307 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 3 A | 75 ns | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 35pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | UGF1004GAH | 0,5204 | | 5608 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | UGF1004 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-UGF1004GAH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 200 v | 10a | 950 mV @ 5 A | 20 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||
| BZX55C62 | 0.0305 | | 4587 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZX55C62TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 47 V | 62 v | 150 ohms | |||||||||||
| S15JCHM6G | - | | 7240 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S15J | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1.1 V @ 15 A | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | 93pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
 | MUR1620CT | - | | 1143 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-3 | MUR1620 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 16a | 975 mV @ 8 a | 25 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||
| BZD27C10P | 0.1101 | | 3459 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZD27C10PTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 7 µA A 7,5 V | 10 v | 4 ohms | |||||||||||
| SS19LHMQG | - | | 1816 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS19 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 800 mv @ 1 a | 50 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||||||||
 | F1T7GHA1G | - | | 7424 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | F1T7 | Padrão | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz |
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