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Diodos (14739)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
SRT16HA1G Taiwan Semiconductor Corporation SRT16HA1G -
RFQ
 ECAD 2258 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco T-18, axial SRT16 Schottky TS-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 500 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a -
BZS55B6V2 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B6V2 PANO -
RFQ
 ECAD 3042 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 1206 (3216 Mética) BZS55 500 MW 1206 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-BZS55B6V2RAGTR Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 10 Ma 100 Na @ 2 V 6.2 v 10 ohms
MBRS15100CT-Y MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS15100CT-Y Mng -
RFQ
 ECAD 1961 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRS15100 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 15a 920 mV @ 7.5 A 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SFF10L06G Taiwan Semiconductor Corporation SFF10L06G 0.4119
RFQ
 ECAD 3412 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SFF10L06 Padrão ITO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-SFF10L06G Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 400 v 5a 1,7 V @ 5 A 35 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SS24 R5G Taiwan Semiconductor Corporation SS24 R5G 0,6000
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SS24 Schottky DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 500 mv @ 2 a 400 µA A 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 2a -
BZD27C82PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C82PHR3G 0,2933
RFQ
 ECAD 5264 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.800 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 62 V 82 v 200 ohms
BZD17C43P Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C43P 0,2625
RFQ
 ECAD 6457 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,98% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 BZD17 800 MW Sub sma download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZD17C43PTR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA @ 33 V 43 v 45 ohms
1SMA5940 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5940 0,0935
RFQ
 ECAD 2563 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AC, SMA 1SMA5940 1,5 w DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 500 Na @ 32,7 V 43 v 53 ohms
BZT52C6V2-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C6V2-G RHG 0,0445
RFQ
 ECAD 2229 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 3 µA A 4 V 6.2 v 10 ohms
BZT52B75S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B75S RRG -
RFQ
 ECAD 3856 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F BZT52B 200 MW SOD-323F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 45 Na @ 52,5 V 75 v 255 ohms
1N4757A R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4757A R1G -
RFQ
 ECAD 3174 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4757 1 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 5 µA a 38,8 V 51 v 95 ohms
ARS5045HB0G Taiwan Semiconductor Corporation ARS5045HB0G -
RFQ
 ECAD 6295 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Montagem na Superfície Ars ARS5045 Padrão Ars download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 550 mV @ 50 A 150 ns 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 175 ° C. 50a 2700pf @ 4V, 1MHz
1N5241B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5241B 0,0271
RFQ
 ECAD 1404 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N5241 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N5241BTR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 mA 1 µA a 8,4 V 11 v 22 ohms
HS1AL RQG Taiwan Semiconductor Corporation Hs1al rqg -
RFQ
 ECAD 4505 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB Hs1a Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 1 a 50 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4V, 1MHz
ES5G-T M6G Taiwan Semiconductor Corporation ES5G-T M6G 0,1525
RFQ
 ECAD 8671 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Es5g Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-ES5G-TM6GTR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 5 A 35 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 123pf @ 4V, 1MHz
ES3HBHM4G Taiwan Semiconductor Corporation Es3hbhm4g -
RFQ
 ECAD 6659 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AA, SMB ES3H Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 500 v 1,7 V @ 3 A 35 ns 10 µA A 500 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 30pf @ 4V, 1MHz
1N4748A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4748A B0G -
RFQ
 ECAD 3910 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Descontinuado no sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4748 1 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.000 5 µA A 16,7 V 22 v 23 ohms
1N5392G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5392G B0G -
RFQ
 ECAD 6887 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial 1N5392 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,1 V @ 1,5 A 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 15pf @ 4V, 1MHz
M3Z3V3C Taiwan Semiconductor Corporation M3Z3V3C 0,0294
RFQ
 ECAD 6033 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F M3Z3 200 MW SOD-323F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-M3Z3V3CTR Ear99 8541.10.0050 6.000 20 µA @ 1 V 3,3 v 85 ohms
2M56ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m56zhb0g -
RFQ
 ECAD 8957 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial 2M56 2 w DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.000 500 Na @ 42,6 V 56 v 55 ohms
HS1GL RUG Taiwan Semiconductor Corporation Tapete HS1GL -
RFQ
 ECAD 6787 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB HS1G Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 1 a 50 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4V, 1MHz
ESGLWH Taiwan Semiconductor Corporation Esglh 0,0948
RFQ
 ECAD 2661 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123W Esglw Padrão SOD-123W download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 800 mA 35 ns 1 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 800mA 20pf @ 4V, 1MHz
MBR1645HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1645HC0G -
RFQ
 ECAD 4073 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Descontinuado no sic Através do buraco To-220-2 MBR1645 Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 630 mV @ 16 a 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 16a -
S4D R7 Taiwan Semiconductor Corporation S4D R7 -
RFQ
 ECAD 3744 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-S4DR7TR Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,15 V @ 4 A 1,5 µs 10 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 4a 60pf @ 4V, 1MHz
HS1FL MTG Taiwan Semiconductor Corporation HS1FL MTG -
RFQ
 ECAD 4341 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB HS1F Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 300 v 950 mV @ 1 a 50 ns 5 µA A 300 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4V, 1MHz
1PGSMB5938 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5938 R5G -
RFQ
 ECAD 5822 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AA, SMB 1PGSMB5938 3 w DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 850 1 µA A 27,4 V 36 v 38 ohms
BZD17C75P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C75P RQG -
RFQ
 ECAD 8700 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD17 800 MW Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA @ 56 V 75 v 100 ohms
SRAS820 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRAS820 Mng -
RFQ
 ECAD 7376 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab SRAS820 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 550 mV @ 8 a 100 µA a 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 8a -
SS16LS RVG Taiwan Semiconductor Corporation SS16LS rvg 0,4600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123H SS16 Schottky Sod-123He download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 400 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 80pf @ 4V, 1MHz
MUR115S Taiwan Semiconductor Corporation MUR115S 0,1092
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 ECAD 2134 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB MUR115 Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 875 mV @ 1 a 25 ns 50 µA A 150 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a -
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