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Diodos (14739)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
BZY55C36 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C36 RYG -
RFQ
 ECAD 1178 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 0805 (2012 Mética) Bzy55 500 MW 0805 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 10 Ma 100 Na @ 27 V 36 v 80 ohms
MBR3090PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3090PT C0G -
RFQ
 ECAD 1521 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 MBR3090 Schottky TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 90 v 30a 500 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MTZJ39SG R0G Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj39sg r0g 0.0305
RFQ
 ECAD 9186 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco DO-204AG, DO-34, axial Mtzj39 500 MW Do-34 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 200 Na @ 30 V 39,87 v 85 ohms
1PGSMB5936 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5936 R5G -
RFQ
 ECAD 1916 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AA, SMB 1PGSMB5936 3 w DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 850 1 µA A 22,8 V 30 v 26 ohms
1PGSMA4750HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4750HR3G 0,4300
RFQ
 ECAD 690 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AC, SMA 1PGSMA4750 1,25 w DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.800 1,2 V @ 200 mA 1 µA a 20,6 V 27 v 35 ohms
AZ23C51 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C51 RFG 0,0786
RFQ
 ECAD 4295 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1 par ânodo comum 100 Na @ 38 V 51 v 100 ohms
RSFAL RQG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfal rqg -
RFQ
 ECAD 8740 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB Rsfal Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,3 V @ 500 mA 150 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 500mA 4pf @ 4V, 1MHz
PUAD4D Taiwan Semiconductor Corporation Puad4d 0,6800
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 ECAD 8886 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Padrão Thindpak - 1 (ilimito) 4.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 920 mV @ 4 a 25 ns 2 µA a 200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 4a 77pf @ 4V, 1MHz
MBR1090 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1090 C0G -
RFQ
 ECAD 9506 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 MBR1090 Padrão TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 90 v 850 mV @ 10 A 100 µA A 90 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a -
BZT52B13-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B13-G RHG 0,0461
RFQ
 ECAD 5172 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 BZT52B 410 MW SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 8 V 13 v 30 ohms
BZD27C36PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36PHMHG -
RFQ
 ECAD 9667 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5,55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 27 V 36 v 40 ohms
S10JCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S10JCHR7G -
RFQ
 ECAD 4521 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC S10J Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 10 A 1 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 60pf @ 4V, 1MHz
BZD27C220P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C220P R3G -
RFQ
 ECAD 4505 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5,66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.800 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 160 V 220,5 v 900 ohms
SFS1606G Taiwan Semiconductor Corporation SFS1606G 0,7671
RFQ
 ECAD 6049 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab SFS1606 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 8 A 35 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 16a 60pf @ 4V, 1MHz
SF33G R0G Taiwan Semiconductor Corporation SF33G R0G -
RFQ
 ECAD 7609 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Através do buraco Do-201D, axial SF33 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 950 mV @ 3 a 35 ns 5 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 80pf @ 4V, 1MHz
GBPC3504M Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3504M 3.7599
RFQ
 ECAD 8185 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation GBPC35 Bandeja Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi 4 quadrados, GBPC-M GBPC3504 Padrão GBPC-M download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-GBPC3504M Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 17,5 A 5 µA A 400 V 35 a Fase Única 400 v
AZ23C4V7 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C4V7 RFG 0,0786
RFQ
 ECAD 9211 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1 par ânodo comum 4,7 v 78 ohms
SR3060PT Taiwan Semiconductor Corporation SR3060PT -
RFQ
 ECAD 3445 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Descontinuado no sic Através do buraco To-247-3 SR3060 Schottky TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 30a 700 mV @ 15 a 1 mA a 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SK54C R6G Taiwan Semiconductor Corporation SK54C R6G -
RFQ
 ECAD 6092 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SK54CR6GTR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 5 A 500 µA A 40 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a -
SR102 R1G Taiwan Semiconductor Corporation SR102 R1G -
RFQ
 ECAD 5411 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial SR102 Schottky DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 550 mV @ 1 a 500 µA A 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a -
SR16150PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR16150PT C0G -
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 ECAD 6814 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 SR16150 Schottky TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 16a 1 V @ 8 A 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BZD27C13PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C13PHRTG -
RFQ
 ECAD 9356 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 mA 2 µA A 10 V 13,25 v 10 ohms
TSOD1F1HM RVG Taiwan Semiconductor Corporation Tsod1f1hm rvg -
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 ECAD 8598 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123F Tsod1 Padrão SOD-123fl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 4pf @ 4V, 1MHz
BZT52C16-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C16-G RHG 0,0445
RFQ
 ECAD 6068 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 11,2 V 16 v 40 ohms
MBRS2050CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2050CTHMNG -
RFQ
 ECAD 9990 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRS2050 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 50 v 20a 950 mV @ 20 A 100 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
ESH3C V7G Taiwan Semiconductor Corporation Esh3c v7g -
RFQ
 ECAD 4835 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Esh3 Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 20 ns 5 µA A 150 V -55 ° C ~ 175 ° C. 3a 45pf @ 4V, 1MHz
SF2008GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2008GHC0G -
RFQ
 ECAD 5150 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SF2008 Padrão TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 10 A 35 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 20a 80pf @ 4V, 1MHz
1M120Z R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1M120Z R1G -
RFQ
 ECAD 7129 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1M120 1 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 5 µA a 91,2 V 120 v 550 ohms
BZS55B9V1 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B9V1 PANO -
RFQ
 ECAD 8867 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 1206 (3216 Mética) BZS55 500 MW 1206 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-BZS55B9V1RAGTR Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 10 Ma 100 Na @ 6,8 V 9.1 v 10 ohms
TSSW3U45 Taiwan Semiconductor Corporation TSSW3U45 0,6700
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 ECAD 78 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123W TSSW3 Schottky SOD-123W download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 470 mV @ 3 a 1 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
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