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Diodos (14739)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
KBU601G T0 Taiwan Semiconductor Corporation KBU601G T0 -
RFQ
 ECAD 5433 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Bandeja Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbu KBU601 Padrão KBU download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado KBU601GT0 Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 6 A 5 µA a 50 V 6 a Fase Única 50 v
KBU602G T0 Taiwan Semiconductor Corporation KBU602G T0 -
RFQ
 ECAD 3167 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Bandeja Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbu KBU602 Padrão KBU download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado KBU602GT0 Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 6 A 5 µA A 100 V 6 a Fase Única 100 v
KBU605G Taiwan Semiconductor Corporation KBU605G 1.7406
RFQ
 ECAD 2136 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Bandeja Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbu KBU605 Padrão KBU download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 6 A 5 µA A 600 V 6 a Fase Única 600 v
KBU801G T0 Taiwan Semiconductor Corporation KBU801G T0 -
RFQ
 ECAD 5570 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Bandeja Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbu KBU801 Padrão KBU download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado KBU801GT0 Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 8 A 5 µA a 50 V 8 a Fase Única 50 v
KBU804G Taiwan Semiconductor Corporation KBU804G 1.8983
RFQ
 ECAD 8517 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Bandeja Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbu KBU804 Padrão KBU download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 8 A 5 µA A 400 V 8 a Fase Única 400 v
KBL405G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBL405G T0G -
RFQ
 ECAD 3992 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Bandeja Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbl Padrão Kbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado KBL405GT0G Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 4 A 10 µA A 600 V 4 a Fase Única 600 v
KBL407G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBL407G T0G -
RFQ
 ECAD 7492 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Bandeja Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbl Padrão Kbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado KBL407GT0G Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 4 A 10 µA A 1000 V 4 a Fase Única 1 kv
KBL603G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBL603G T0G -
RFQ
 ECAD 6224 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Bandeja Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbl Padrão Kbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado KBL603GT0G Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 6 A 10 µA A 200 V 6 a Fase Única 200 v
KBL606G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBL606G T0G -
RFQ
 ECAD 2070 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Bandeja Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbl Padrão Kbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado KBL606GT0G Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 6 A 10 µA a 800 V 6 a Fase Única 800 v
KBU1005G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBU1005G T0G -
RFQ
 ECAD 8116 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Bandeja Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbu Padrão KBU download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado KBU1005GT0G Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 10 A 5 µA A 600 V 10 a Fase Única 600 v
KBU1006G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBU1006G T0G -
RFQ
 ECAD 5468 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Bandeja Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbu Padrão KBU download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado KBU1006GT0G Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 10 A 5 µA A 800 V 10 a Fase Única 800 v
KBU406G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBU406G T0G -
RFQ
 ECAD 2325 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Bandeja Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbu Padrão KBU download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado KBU406GT0G Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 4 A 5 µA A 800 V 4 a Fase Única 800 v
KBU601G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBU601G T0G -
RFQ
 ECAD 9652 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Bandeja Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbu Padrão KBU download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado KBU601GT0G Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 6 A 5 µA a 50 V 6 a Fase Única 50 v
HS1KL R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1KL R3G 0.2111
RFQ
 ECAD 2548 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB HS1K Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,7 V @ 1 A 75 ns 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
BZT52C2V7K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V7K RKG 0,0474
RFQ
 ECAD 4027 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW SOD-523F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 120 µA @ 1 V 2,7 v 100 ohms
BZT55B7V5 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B7V5 L1G -
RFQ
 ECAD 2305 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 BZT55 500 MW Mini Mell download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 Na @ 5 V 7,5 v 7 ohms
ES3B R6G Taiwan Semiconductor Corporation ES3B R6G -
RFQ
 ECAD 6460 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-ES3BR6GTR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 950 mV @ 3 a 35 ns 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 45pf @ 4V, 1MHz
MBRS15200CT-Y MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS15200CT-Y Mng -
RFQ
 ECAD 2254 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRS15200 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 15a 950 mV @ 7.5 A 100 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SR304HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR304HB0G -
RFQ
 ECAD 6237 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Através do buraco Do-201D, axial SR304 Schottky Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 3 a 500 µA A 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 3a -
UF1DHB0G Taiwan Semiconductor Corporation Uf1dhb0g -
RFQ
 ECAD 9853 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Uf1d Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 17pf @ 4V, 1MHz
BZD27C180PHRQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180PHRQG -
RFQ
 ECAD 7862 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 130 V 179,5 v 450 ohms
SFA801G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA801G C0G -
RFQ
 ECAD 3242 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 SFA801 Padrão TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 975 mV @ 8 a 35 ns 10 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a 100pf @ 4V, 1MHz
SR1650PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1650PT C0G -
RFQ
 ECAD 1258 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 SR1650 Schottky TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 50 v 16a 700 mv @ 8 a 500 µA A 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BZD27C100P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C100P RHG -
RFQ
 ECAD 4975 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 75 V 100 v 200 ohms
BZD27C82PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C82PHRFG -
RFQ
 ECAD 9209 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 62 V 82 v 200 ohms
MUR190 Taiwan Semiconductor Corporation MUR190 0,1366
RFQ
 ECAD 9984 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial MUR190 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 900 v 1,7 V @ 1 A 75 ns 5 µA A 900 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
BZD27C160P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C160P MTG -
RFQ
 ECAD 4687 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5,55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 120 V 162 v 350 ohms
FR104G R1G Taiwan Semiconductor Corporation FR104G R1G -
RFQ
 ECAD 6038 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial FR104 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
S4D Taiwan Semiconductor Corporation S4D 0,1756
RFQ
 ECAD 3012 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC S4D Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,5 µs 100 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 4a 60pf @ 4V, 1MHz
MBRS20H150CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRS20H150CTH 0,7761
RFQ
 ECAD 3195 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRS20 Schottky TO-263AB (D2PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBRS20H150CTHTR Ear99 8541.10.0080 1.600 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 20a 970 mV @ 20 A 5 µA A 150 V -55 ° C ~ 175 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

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    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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