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Diodos (14739)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | YBS2207G | 0,9400 |  | 842 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, FIOS Planos | YBS2207 | Padrão | Ybs | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 970 mV @ 2.2 A | 5 µA A 1000 V | 2.2 a | Fase Única | 1 kv | ||||||||||
 | TST30L120CW | 1.2252 | | 8688 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | TST30 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 120 v | 880 mV @ 15 A | 200 µA A 120 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | |||||||||
 | Uf1glwh | 0,4100 | | 39 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | Uf1g | Padrão | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,25 V @ 1 A | 20 ns | 1 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 25pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
 | Mtzj39sd r0g | 0.0305 | | 8354 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj39 | 500 MW | Do-34 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 200 Na @ 30 V | 37,58 v | 85 ohms | |||||||||||
| Mtzj39se r0g | 0.0305 | | 5246 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj39 | 500 MW | Do-34 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 200 Na @ 30 V | 38.33 v | 85 ohms | |||||||||||
| Mtzj4v3sa r0g | 0.0305 | | 9756 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj4 | 500 MW | Do-34 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 5 µA @ 1 V | 4.17 v | 100 ohms | |||||||||||
| Mtzj5v6sa r0g | 0.0305 | | 9297 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj5 | 500 MW | Do-34 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 5 µA A 2,5 V | 5.42 v | 60 ohms | |||||||||||
| Mtzj6v8sc r0g | 0.0305 | | 5007 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj6 | 500 MW | Do-34 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 2 µA A 3,5 V | 6,84 v | 20 ohms | |||||||||||
 | BZD17C200P MQG | - | | 9721 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 150 V | 200 v | 750 ohms | ||||||||||
| BZD17C24P MTG | - | | 2543 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,83% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA a 18 V | 24 v | 15 ohms | ||||||||||
| Mtzj15sc r0g | 0.0305 | | 8770 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj15 | 500 MW | Do-34 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 200 Na @ 11 V | 14,72 v | 40 ohms | |||||||||||
| Mtzj20sd r0g | 0.0305 | | 6413 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj20 | 500 MW | Do-34 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 200 Na @ 15 V | 20,22 v | 55 ohms | |||||||||||
 | 1N4736G R0G | 0,0627 | | 9153 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4736 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 4 V | 6,8 v | 3,5 ohms | ||||||||||
| 1N4739G R0G | 0,0627 | | 1481 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4739 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA a 7 V | 9.1 v | 5 ohms | ||||||||||
| BZD27C51P MTG | - | | 6864 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 39 V | 51 v | 60 ohms | ||||||||||
| BZD27C62P RQG | - | | 9652 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,45% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 47 V | 62 v | 80 ohms | ||||||||||
| BZD27C8V2PHRTG | - | | 6153 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,09% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 3 V | 8.2 v | 2 ohms | ||||||||||
| ES1BL MTG | - | | 1998 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | ES1B | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 1V, 1MHz | ||||||||
| ES1HL RQG | - | | 2815 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | ES1H | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA A 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 8pf @ 1V, 1MHz | ||||||||
 | BZS55B9V1 RXG | - | | 4236 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 1206 (3216 Mética) | BZS55 | 500 MW | 1206 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 6,8 V | 9.1 v | 10 ohms | ||||||||||
 | BZS55C9V1 RXG | 0,0340 | | 4490 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 1206 (3216 Mética) | BZS55 | 500 MW | 1206 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 6,8 V | 9.1 v | 10 ohms | ||||||||||
 | BZT55B15 L1G | - | | 3872 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 11 V | 15 v | 30 ohms | ||||||||||
| BZT55B75 L1G | - | | 6746 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 56 V | 75 v | 170 ohms | ||||||||||
| BZT55C12 L1G | - | | 2771 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 9,1 V | 12 v | 20 ohms | ||||||||||
| BZT55C15 L1G | - | | 2530 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 11 V | 15 v | 30 ohms | ||||||||||
| BZT55C33 L1G | - | | 1997 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 24 V | 33 v | 80 ohms | ||||||||||
| BZT55C51 L1G | - | | 1102 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 38 V | 51 v | 125 ohms | ||||||||||
| BZT55C68 L1G | - | | 5376 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 51 V | 68 v | 160 ohms | ||||||||||
| BZV55B12 L1G | - | | 2153 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZV55B | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 9,1 V | 12 v | 20 ohms | ||||||||||
| BZD27C13P RQG | - | | 3591 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,41% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 2 µA A 10 V | 13,25 v | 10 ohms |
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