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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tolerância | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Máx.) | Tensão - Zener (Nom) (Vz) | Impedância (Máx.) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GBPC1510M T0G | - | ![]() | 2358 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Bandeja | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Terminal de controle de qualidade | 4 quadrados, GBPC-M | GBPC1510 | padrão | GBPC-M | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V a 7,5 A | 5 µA a 1000 V | 15A | Monofásico | 1kV | ||||||||||||||
![]() | MTZJ39SE R0G | 0,0305 | ![]() | 5246 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AG, DO-34, Axial | MTZJ39 | 500 mW | DO-34 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 200 nA @ 30 V | 38,33V | 85 Ohms | ||||||||||||||
![]() | 2M110Z | 0,1565 | ![]() | 8201 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AC, DO-15, Axial | 2M110 | 2W | DO-204AC (DO-15) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.500 | 500 nA a 83,6 V | 110 V | 250 Ohms | ||||||||||||||
![]() | TS15P02GHD2G | - | ![]() | 6995 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado na SIC | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, TS-6P | TS15P02 | padrão | TS-6P | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V a 15 A | 10 µA a 100 V | 15A | Monofásico | 100V | |||||||||||||
![]() | S8JC R6 | - | ![]() | 3384 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | padrão | DO-214AB (SMC) | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1801-S8JCR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 600V | 985 mV a 8 A | 10 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 8A | 48pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | ABS15J | 0,1800 | ![]() | 3106 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | ABS15 | padrão | ABS | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1 V a 1,5 A | 5 µA a 600 V | 1,5A | Monofásico | 600V | |||||||||||||
![]() | TS6P05G C2G | - | ![]() | 9053 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Descontinuado na SIC | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, TS-6P | TS6P05 | padrão | TS-6P | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V a 6 A | 10 µA a 600 V | 6A | Monofásico | 600V | |||||||||||||
![]() | SK56C R6 | - | ![]() | 5289 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1801-SK56CR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 60 V | 750 mV a 5 A | 500 µA a 60 V | -55°C ~ 150°C | 5A | - | ||||||||||||
![]() | TS8P03GHD2G | - | ![]() | 8175 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado na SIC | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, TS-6P | TS8P03 | padrão | TS-6P | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V a 8 A | 10 µA a 200 V | 8A | Monofásico | 200 V | |||||||||||||
| BZD17C220P MHG | - | ![]() | 4677 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5,68% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 mW | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 160 V | 220 V | 900 Ohms | ||||||||||||||
| GBPC2508T0G | - | ![]() | 3509 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Bandeja | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Terminal de controle de qualidade | 4 quadrados, GBPC | GBPC2508 | padrão | GBPC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V a 12,5 A | 5 µA a 800 V | 25A | Monofásico | 800V | ||||||||||||||
![]() | KBP101G C2G | - | ![]() | 7256 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, KBP | padrão | KBP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1 V @ 1 A | 10 µA a 50 V | 1A | Monofásico | 50 V | ||||||||||||||
![]() | TS25P05GH | 1.4526 | ![]() | 2154 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, TS-6P | TS25P05 | padrão | TS-6P | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V a 25 A | 10 µA a 600 V | 25A | Monofásico | 600V | |||||||||||||
![]() | BZT55C5V6 | 0,0350 | ![]() | 2367 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | Variante SOD-80 | 500 mW | QMMELF | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-BZT55C5V6TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V a 10 mA | 100 nA @ 1 V | 5,6V | 25 Ohms | ||||||||||||||
![]() | MUR420H | 0,3072 | ![]() | 7133 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-201AD, Axial | MUR420 | padrão | DO-201AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 890 mV a 4 A | 25 ns | 5 µA a 200 V | -55°C ~ 175°C | 4A | 65pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | SK36BH | 0,4700 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AA, SMB | SK36 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 60 V | 750 mV a 3 A | 500 µA a 60 V | -55°C ~ 150°C | 3A | - | ||||||||||||
![]() | SR815 | 0,2361 | ![]() | 8322 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-201AD, Axial | SR815 | Schottky | DO-201AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 150 V | 1,02 V a 8 A | 100 µA a 150 V | -55°C ~ 150°C | 8A | - | ||||||||||||
![]() | SFAF507GHC0G | - | ![]() | 3818 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do furo | Pacote completo TO-220-2 | SFAF507 | padrão | ITO-220AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 500 V | 1,7 V a 8 A | 35 ns | 10 µA a 500 V | -55°C ~ 150°C | 5A | 70pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | HS5F R7G | - | ![]() | 7615 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | HS5F | padrão | DO-214AB (SMC) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 300V | 1 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA a 300 V | -55°C ~ 150°C | 5A | 80pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | TSI20H120CW | 2.7100 | ![]() | 879 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Obsoleto | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | ETI20 | Schottky | I2PAK | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 120 V | 10A | 620 mV a 10 A | 200 µA a 120 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
![]() | SR805 R0G | - | ![]() | 9245 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Através do furo | DO-201AD, Axial | SR805 | Schottky | DO-201AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 50 V | 700 mV a 8 A | 500 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 8A | - | ||||||||||||
![]() | UF4005H | 0,1044 | ![]() | 6671 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | UF4005 | padrão | DO-204AL (DO-41) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600V | 1,7V a 1A | 75ns | 5 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 17pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
| ES1HL RFG | - | ![]() | 9208 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-219AB | ES1H | padrão | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 500 V | 1,7V a 1A | 35 ns | 5 µA a 500 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 8pF @ 1V, 1MHz | ||||||||||||
| BZT52C33-G RHG | 0,0445 | ![]() | 7427 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOD-123 | BZT52C | 350 mW | SOD-123 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 23,1 V | 33V | 80 Ohms | ||||||||||||||
![]() | TSPB5H120S S1G | 1.0900 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-277, 3-PowerDFN | TSPB5 | Schottky | SMPC4.0 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 120 V | 740 mV a 5 A | 150 µA a 120 V | -55°C ~ 150°C | 5A | - | ||||||||||||
| HS1DL R3G | - | ![]() | 5405 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-219AB | HS1D | padrão | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 950 mV por 1 A | 50 ns | 5 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 20pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
| SS210LWHRVG | 0,6400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123W | SS210 | Schottky | SOD-123W | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 100V | 850 mV a 2 A | 20 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 2A | - | |||||||||||||
| 1PGSMA4762H | 0,1156 | ![]() | 6612 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-214AC, SMA | 1PGSMA4762 | 1,25W | DO-214AC (SMA) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 62,2 V | 82 V | 200 Ohms | ||||||||||||||
![]() | SR306 A0G | 0,8700 | ![]() | 511 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | DO-201AD, Axial | SR306 | Schottky | DO-201AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 60 V | 700 mV a 3 A | 500 µA a 60 V | -55°C ~ 150°C | 3A | - | ||||||||||||
| SS19L RTG | - | ![]() | 6478 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-219AB | SS19 | Schottky | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 90 V | 800 mV por 1 A | 50 µA a 90 V | -55°C ~ 150°C | 1A | - |

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