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Diodos (14739)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
BZD17C120PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C120PH 0,3773
RFQ
 ECAD 8051 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 BZD17 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZD17C120PHTR Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 200 mA 1 µA @ 91 V 120 v 300 ohms
MBRS3045CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS3045CT 0,8505
RFQ
 ECAD 5145 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRS3045 Schottky TO-263AB (D2PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBRS3045CTTR Ear99 8541.10.0080 1.600 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 30a 900 mV @ 30 A 200 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MTZJ33SB Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj33sb 0.0305
RFQ
 ECAD 5533 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco DO-204AG, DO-34, axial Mtzj33 500 MW Do-34 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MTZJ33SBTR Ear99 8541.10.0050 10.000 200 Na @ 25 V 31.1 v 65 ohms
SS16LS Taiwan Semiconductor Corporation SS16LS 0,0623
RFQ
 ECAD 6213 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123H SS16 Schottky Sod-123He download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-SS16LSTR Ear99 8541.10.0080 20.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 400 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 80pf @ 4V, 1MHz
BZX584B11 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B11 0,0639
RFQ
 ECAD 4994 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW SOD-523F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZX584B11TR Ear99 8541.10.0050 104.000 100 Na @ 8 V 11 v 20 ohms
1N5233B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5233B 0,0271
RFQ
 ECAD 4297 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N5233 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N5233BTR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 mA 5 µA A 3,5 V 6 v 7 ohms
MMSZ5226B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5226B 0,0433
RFQ
 ECAD 8930 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F MMSZ5226 500 MW SOD-123F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MMSZ5226BTR Ear99 8541.10.0050 6.000 900 mV a 10 mA 25 µA @ 1 V 3,3 v 28 ohms
MMSZ5252B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5252B 0,0433
RFQ
 ECAD 3015 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F MMSZ5252 500 MW SOD-123F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MMSZ5252BTR Ear99 8541.10.0050 6.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 18 V 24 v 33 ohms
GBPC1508W Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1508W 3.1618
RFQ
 ECAD 3134 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation GBPC15 Bandeja Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, GBPC-W GBPC1508 Padrão GBPC-W download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-GBPC1508W Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 7,5 A 5 µA A 800 V 15 a Fase Única 800 v
1N5224B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5224B 0,0271
RFQ
 ECAD 2867 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N5224 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N5224BTR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 mA 75 µA @ 1 V 2,8 v 30 ohms
1N5263B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5263B 0,0271
RFQ
 ECAD 6902 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N5263 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N5263BTR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 mA 100 Na @ 43 V 56 v 150 ohms
MMSZ5250B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5250B 0,0433
RFQ
 ECAD 3087 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F MMSZ5250 500 MW SOD-123F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MMSZ5250BTR Ear99 8541.10.0050 6.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 15 V 20 v 25 ohms
1N4148WS Taiwan Semiconductor Corporation 1N4148WS 0,0408
RFQ
 ECAD 2251 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F 1N4148 Padrão SOD-323F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N4148WSTR Ear99 8541.10.0080 9.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 75 v 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C. 150mA 4pf @ 0V, 1MHz
1N4745G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4745G 0,0627
RFQ
 ECAD 4585 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4745 1 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N4745GTR Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 200 mA 5 µA A 12,2 V 16 v 16 ohms
1N4735G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4735G 0,0633
RFQ
 ECAD 9528 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4735 1 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N4735GTR Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 200 mA 10 µA A 3 V 6.2 v 2 ohms
1N4743G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4743G 0,0627
RFQ
 ECAD 8291 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4743 1 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N4743GTR Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 200 mA 5 µA A 9,9 V 13 v 10 ohms
1N4755G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4755G 0,0627
RFQ
 ECAD 8216 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4755 1 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N4755GTR Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 200 mA 5 µA a 32,7 V 43 v 70 ohms
1N5228B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5228B 0,0271
RFQ
 ECAD 2788 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N5228 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N5228BTR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 mA 10 µA A 1 V 3,9 v 23 ohms
1N5238B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5238B 0,0271
RFQ
 ECAD 5421 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N5238 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N5238BTR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 mA 3 µA A 6,5 V 8,7 v 8 ohms
1N4750G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4750G 0,0627
RFQ
 ECAD 4486 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4750 1 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N4750GTR Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 200 mA 5 µA a 20,6 V 27 v 35 ohms
1N4756G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4756G 0,0627
RFQ
 ECAD 1702 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4756 1 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N4756GTR Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 200 mA 5 µA A 35,8 V 47 v 80 ohms
1N5252B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5252B 0,0271
RFQ
 ECAD 9935 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N5252 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N5252BTR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 mA 100 Na @ 18 V 24 v 33 ohms
1N5242B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5242B 0,0271
RFQ
 ECAD 6213 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N5242 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N5242BTR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 mA 500 Na @ 9 V 12 v 30 ohms
1N914BWS Taiwan Semiconductor Corporation 1N914BWS 0,0268
RFQ
 ECAD 7253 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F 1N914 Padrão SOD-323F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N914BWSTR Ear99 8541.10.0080 9.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 100 v 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C. 150mA 4pf @ 0V, 1MHz
1N4739G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4739G 0,0627
RFQ
 ECAD 6786 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4739 1 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N4739GTR Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 200 mA 10 µA a 7 V 9.1 v 5 ohms
1N5234B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5234B 0,0271
RFQ
 ECAD 1477 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N5234 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N5234BTR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 mA 5 µA A 4 V 6.2 v 7 ohms
1N5259B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5259B 0,0271
RFQ
 ECAD 2877 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N5259 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N5259BTR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 mA 100 Na @ 30 V 39 v 80 ohms
1N5230B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5230B 0,0271
RFQ
 ECAD 1858 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N5230 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N5230BTR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 mA 5 µA @ 2 V 4,7 v 19 ohms
1N5235B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5235B 0,0271
RFQ
 ECAD 4821 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N5235 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N5235BTR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 mA 3 µA a 5 V 6,8 v 5 ohms
1N5231B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5231B 0,0271
RFQ
 ECAD 2113 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N5231 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N5231BTR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 mA 5 µA @ 2 V 5.1 v 17 ohms
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    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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