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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tolerância | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Máx.) | Tensão - Zener (Nom) (Vz) | Impedância (Máx.) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS1MFS MWG | 0,0819 | ![]() | 1419 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-128 | RS1M | padrão | SOD-128 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1000V | 1,3 V a 1 A | 500 ns | 5 µA a 1000 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 7pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BZT52C27 | 0,0412 | ![]() | 5402 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOD-123F | BZT52C | 500 mW | SOD-123F | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-BZT52C27TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1 V a 10 mA | 45 nA a 18,9 V | 27V | 80 Ohms | |||||||||||||
![]() | SR520 B0G | - | ![]() | 4615 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Volume | Ativo | Através do furo | DO-201AD, Axial | SR520 | Schottky | DO-201AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,05 V a 5 A | 100 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 5A | - | ||||||||||||
![]() | SFF2006GH | 0,7635 | ![]() | 2076 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | SFF2006 | padrão | ITO-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,3 V a 10 A | 35 ns | 10 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 20A | 90pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | BZX79B47 | 0,0305 | ![]() | 5212 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | BZX79 | 500 mW | DO-35 | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-BZX79B47TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V a 100 mA | 32,9 mA a 50 mV | 47V | 170 Ohms | |||||||||||||
![]() | SR806 A0G | 0,6600 | ![]() | 9052 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | DO-201AD, Axial | SR806 | Schottky | DO-201AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 60 V | 700 mV a 8 A | 500 µA a 60 V | -55°C ~ 150°C | 8A | - | ||||||||||||
| BZT52C10-G RHG | 0,0445 | ![]() | 6519 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOD-123 | BZT52C | 350 mW | SOD-123 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 200 nA a 7 V | 10V | 20 Ohms | ||||||||||||||
![]() | BZX84C3V9 | 0,0511 | ![]() | 3470 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5,13% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 300 mW | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-BZX84C3V9TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 900 mV a 10 mA | 3 µA a 1 V | 3,9 V | 90 Ohms | |||||||||||||
![]() | SK52CHM6G | - | ![]() | 2396 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | SK52 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 20 V | 550 mV a 5 A | 500 µA a 20 V | -55°C ~ 150°C | 5A | - | ||||||||||||
![]() | BAS19W RVG | 0,0483 | ![]() | 5887 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SC-70, SOT-323 | BAS19 | padrão | SOT-323 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 100V | 1,25 V a 100 mA | 50 ns | 100 nA @ 100 V | -55°C ~ 150°C | 200mA | 5pF a 0 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | BZV55B36 | 0,0357 | ![]() | 4880 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | BZV55B | 500 mW | Mini MELF | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-BZV55B36TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V a 100 mA | 100 nA a 27 V | 36 V | 80 Ohms | |||||||||||||
![]() | 1SMB5944H | 0,1545 | ![]() | 4101 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-214AA, SMB | 1SMB5944 | 3W | DO-214AA (SMB) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA a 47,1 V | 62 V | 100 Ohms | ||||||||||||||
![]() | TBS810 | 1.5600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | TBS8 | padrão | TBS | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | 1,05 V a 8 A | 5 µA a 1000 V | 8A | Monofásico | 1kV | |||||||||||||
![]() | LSR105 L0 | - | ![]() | 4771 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Montagem em superfície | DO-213AB, MELF | Schottky | MELF | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1801-LSR105L0TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 50 V | 700 mV por 1 A | 1 mA a 50 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 80pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | HS3D R7 | - | ![]() | 1631 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | padrão | DO-214AB (SMC) | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1801-HS3DR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 80pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
| ES1JLHR3G | - | ![]() | 3938 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-219AB | ES1J | padrão | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,7V a 1A | 35 ns | 5 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 8pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BZD27C16PH | 0,2933 | ![]() | 2162 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5,56% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | SOD-123 | BZD27 | 1W | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-BZD27C16PHTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 12 V | 16,2V | 15 Ohms | |||||||||||||
![]() | HS1DALH | 0,1008 | ![]() | 2782 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-221AC, cabos planos SMA | padrão | SMA fino | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-HS1DALHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 14.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 1 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 20pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
| GBPC40005M T0G | - | ![]() | 2575 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Bandeja | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Terminal de controle de qualidade | 4 quadrados, GBPC40-M | GBPC40005 | padrão | GBPC40-M | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V a 20 A | 10 µA a 50 V | 40A | Monofásico | 50 V | ||||||||||||||
![]() | ES2JALH | 0,1491 | ![]() | 5562 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-221AC, cabos planos SMA | padrão | SMA fino | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-ES2JALHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 14.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,7 V a 2 A | 35 ns | 1 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 2A | 21pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | SRF1630 C0G | - | ![]() | 3592 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Ativo | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | SRF1630 | Schottky | ITO-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 30 V | 16A | 550 mV a 8 A | 500 µA a 30 V | -55°C ~ 125°C | ||||||||||||
| 1SMA5949 R3G | - | ![]() | 4702 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-214AC, SMA | 1SMA5949 | 1,5W | DO-214AC (SMA) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 500 nA @ 76 V | 100V | 250 Ohms | |||||||||||||||
![]() | T25JA06G-K | 1.5258 | ![]() | 1252 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, TS-6P | T25JA | padrão | TS-6P | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-T25JA06G-K | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,15 V a 25 A | 5 µA a 800 V | 25A | Monofásico | 800 V | |||||||||||||
| BZD27C180PMHG | - | ![]() | 4761 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±6,4% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-219AB | BZD27 | 1W | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 130 V | 179,5V | 450 Ohms | ||||||||||||||
| ES1HL MTG | - | ![]() | 4085 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-219AB | ES1H | padrão | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 500 V | 1,7V a 1A | 35 ns | 5 µA a 500 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 8pF @ 1V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BZT52B47 | 0,0453 | ![]() | 2716 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOD-123F | BZT52B | 500 mW | SOD-123F | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-BZT52B47TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1 V a 10 mA | 45 nA @ 33 V | 47V | 170 Ohms | |||||||||||||
![]() | MBR2060CT-Y | 0,4737 | ![]() | 3364 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-3 | MBR2060 | Schottky | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-MBR2060CT-Y | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 60 V | 20A | 700 mV a 20 A | 100 µA a 60 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
![]() | SRAF520HC0G | - | ![]() | 8334 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado na SIC | Através do furo | Pacote Completo TO-220-2 | SRAF520 | Schottky | ITO-220AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 20 V | 550 mV a 5 A | 500 µA a 20 V | -55°C ~ 125°C | 5A | - | ||||||||||||
![]() | 1N4730G R0G | 0,0627 | ![]() | 5256 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -65°C ~ 200°C (TA) | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4730 | 1W | DO-204AL (DO-41) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 50 µA a 1 V | 3,9 V | 9 Ohms | |||||||||||||
![]() | SF2008PTH | 1.4510 | ![]() | 3672 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | SF2008 | padrão | TO-247AD (TO-3P) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,9 V a 20 A | 35 ns | 10 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 20A | 175pF @ 4V, 1MHz |

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