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Diodos (14739)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SF27G A0G | - |  | 7199 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | SF27 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,7 V @ 2 A | 35 ns | 5 µA A 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||||
 | BZD27C9V1P RTG | - | | 5298 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 6,07% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA a 5 V | 9.05 v | 4 ohms | |||||||||
 | BZY55B3V0 RYG | - | | 3705 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 0805 (2012 Mética) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 4 µA A 1 V | 3 v | 85 ohms | |||||||||
 | ES1CH | - | | 9494 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC (SMA) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-ES1CHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 16pf @ 4V, 1MHz | |||||||
| Tszl52c5v1 rwg | - | | 8593 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 1005 (2512 Mética) | TSZL52 | 200 MW | 1005 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 800 mV | 5.1 v | 60 ohms | |||||||||
| BZD27C75P MQG | - | | 5914 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,04% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 56 V | 74,5 v | 100 ohms | |||||||||
| BZD27C6V8PHR3G | 0.1089 | | 9635 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 3 V | 6,8 v | 3 ohms | |||||||||
| SS13LHMTG | - | | 2614 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS13 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mV @ 1 a | 400 µA A 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | ||||||||
 | BZT52C27 | 0,0412 | | 5402 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZT52C27TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1 V @ 10 Ma | 45 Na @ 18,9 V | 27 v | 80 ohms | |||||||||
| BZD27C6V8P RQG | - | | 3734 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 3 V | 6,8 v | 3 ohms | |||||||||
| BZD17C51P TAP | - | | 9720 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 39 V | 51 v | 60 ohms | |||||||||
| BZD17C24P R3G | - | | 5238 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,83% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA a 18 V | 24 v | 15 ohms | |||||||||
| 2m62z | 0,1565 | | 5264 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2m62 | 2 w | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.500 | 500 Na @ 47,1 V | 62 v | 60 ohms | ||||||||||
| ES1CL RQG | - | | 8463 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | ES1C | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 1V, 1MHz | |||||||
 | MBRF2090 C0G | - | | 5638 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | MBRF2090 | Schottky | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 950 mV @ 20 A | 100 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | ||||||||
| BZD27C62P M2G | - | | 9982 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,45% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 47 V | 62 v | 80 ohms | |||||||||
 | 1N4756AHA0G | - | | 2249 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4756 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA A 35,8 V | 47 v | 80 ohms | ||||||||||
| 1N4757AHB0G | - | | 6331 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4757 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 5 µA a 38,8 V | 51 v | 95 ohms | ||||||||||
| 2m51zha0g | - | | 6540 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2m51 | 2 w | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 Na @ 38,8 V | 51 v | 48 ohms | ||||||||||
 | BZT52C12-G RHG | 0,0445 | | 8263 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 8 V | 12 v | 25 ohms | |||||||||
| Pu2bah | 0,5300 | | 13 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 930 mV @ 2 a | 25 ns | 2 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 33pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
 | ES2DA | 0.1179 | | 5597 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | ES2D | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 2 a | 35 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 25pf @ 4V, 1MHz | |||||||
 | Esh1gmhrsg | - | | 5566 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 2-SMD, Chumbo Plano | Padrão | Micro SMA | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-NESH1GMHRSGTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,5 V @ 1 A | 25 ns | 1 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 3pf @ 4V, 1MHz | |||||||
| SS22LHMHG | - | | 3081 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS22 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 500 mv @ 2 a | 400 µA A 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||||||
| BZX85C43 A0G | - | | 3255 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | BZX85 | 1.3 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 10 Ma | 500 Na @ 30 V | 43 v | 50 ohms | |||||||||
| 1N4753G A0G | - | | 3034 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4753 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 27,4 V | 36 v | 50 ohms | |||||||||
 | HS3BB | 0,2066 | | 3206 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Padrão | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-HS3BBTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||||
| BZD17C43P R3G | 0,2625 | | 8218 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,97% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 33 V | 43 v | 45 ohms | |||||||||
| HER3L05GH | 0,2535 | | 9080 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-HER3L05GHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,32 V @ 3 A | 50 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 54pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
 | 1N5248B A0G | - | | 6196 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 5% | 100 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N5248 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,1 V @ 200 mA | 100 Na @ 14 V | 18 v | 21 ohms |
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