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Diodos (14739)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max)
SFA1004G Taiwan Semiconductor Corporation SFA1004G -
RFQ
 ECAD 3654 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Padrão TO-220AC ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SFA1004G Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 975 mV @ 10 A 35 ns 10 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 70pf @ 4V, 1MHz
SF12GH Taiwan Semiconductor Corporation SF12GH -
RFQ
 ECAD 5228 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Padrão DO-204AL (DO-41) ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SF12GHTR Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 950 mV @ 1 a 35 ns 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4V, 1MHz
SRT12H Taiwan Semiconductor Corporation SRT12H -
RFQ
 ECAD 6678 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco T-18, axial Schottky TS-1 ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SRT12HTR Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 550 mV @ 1 a 500 µA A 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a 110pf @ 4V, 1MHz
1N5391G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5391G -
RFQ
 ECAD 8523 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Padrão DO-204AC (DO-15) ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-1N5391GTR Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,1 V @ 1,5 A 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 15pf @ 4V, 1MHz
SRT13H Taiwan Semiconductor Corporation SRT13H -
RFQ
 ECAD 4555 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco T-18, axial Schottky TS-1 ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SRT13HTR Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 500 µA A 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a 110pf @ 4V, 1MHz
DBL151G Taiwan Semiconductor Corporation Dbl151g -
RFQ
 ECAD 6204 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Padrão Dbl ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-DBL151G Ear99 8541.10.0080 5.000 1,1 V @ 1,5 A 2 µA a 50 V 1.5 a Fase Única 50 v
GBU803H Taiwan Semiconductor Corporation GBU803H -
RFQ
 ECAD 5519 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 -SIP, GBU Padrão GBU ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-GBU803H Ear99 8541.10.0080 1.000 1,1 V @ 8 A 5 µA A 200 V 8 a Fase Única 200 v
HER602G Taiwan Semiconductor Corporation HER602G -
RFQ
 ECAD 4000 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco R-6, axial Padrão R-6 ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-HER602GTR Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 6 A 50 ns 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 6a 80pf @ 4V, 1MHz
SRAF530H Taiwan Semiconductor Corporation SRAF530H -
RFQ
 ECAD 2723 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Schottky ITO-220AC ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SRAF530H Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 550 mV @ 5 A 500 µA A 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 5a -
HER151G Taiwan Semiconductor Corporation HER151G -
RFQ
 ECAD 8865 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Padrão DO-204AC (DO-15) ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-HER151GTR Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1 V @ 1,5 A 50 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 35pf @ 4V, 1MHz
6A20GH Taiwan Semiconductor Corporation 6A20GH -
RFQ
 ECAD 5620 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco R-6, axial Padrão R-6 ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-6A20GHTR Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 6 A 10 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 6a 60pf @ 4V, 1MHz
GBU802H Taiwan Semiconductor Corporation GBU802H -
RFQ
 ECAD 8982 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 -SIP, GBU Padrão GBU ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-GBU802H Ear99 8541.10.0080 1.000 1,1 V @ 8 A 5 µA A 100 V 8 a Fase Única 100 v
KBU1003G Taiwan Semiconductor Corporation KBU1003G 1.9362
RFQ
 ECAD 1022 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Bandeja Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbu Padrão KBU ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-KBU1003G Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 10 A 5 µA A 200 V 10 a Fase Única 200 v
SRAF560H Taiwan Semiconductor Corporation SRAF560H -
RFQ
 ECAD 8706 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Schottky ITO-220AC ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SRAF560H Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 700 mv @ 5 a 500 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a -
TS20P03GH Taiwan Semiconductor Corporation TS20P03GH -
RFQ
 ECAD 3457 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, TS-6P Padrão TS-6P ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-TS20P03GH Ear99 8541.10.0080 1.200 1,1 V @ 20 A 10 µA A 200 V 20 a Fase Única 200 v
SR4050PT Taiwan Semiconductor Corporation SR4050PT -
RFQ
 ECAD 9436 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 SR4050 Schottky TO-247AD (TO-3P) ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SR4050pt Ear99 8541.10.0080 900 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 50 v 40A (DC) 700 mV @ 20 A 1 mA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1N4002GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4002GH -
RFQ
 ECAD 7424 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Padrão DO-204AL (DO-41) ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-1N4002GHTR Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 1 A 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
DBL202GH Taiwan Semiconductor Corporation DBL202GH -
RFQ
 ECAD 3011 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Padrão Dbl ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-DBL202GH Ear99 8541.10.0080 5.000 1,15 V @ 2 A 2 µA A 100 V 2 a Fase Única 100 v
SF1001GH Taiwan Semiconductor Corporation SF1001GH -
RFQ
 ECAD 9849 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SF1001 Padrão TO-220AB ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SF1001GH Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 50 v 10a (DC) 975 mV @ 5 A 35 ns 10 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRF10150 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10150 -
RFQ
 ECAD 9119 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 MBRF1015 Schottky ITO-220AC ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-MBRF10150 Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 1,05 V @ 10 A 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a -
SFAF2008GH Taiwan Semiconductor Corporation SFAF2008GH -
RFQ
 ECAD 10000 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Padrão ITO-220AC ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SFAF2008GH Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 20 A 35 ns 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 20a 150pf @ 4V, 1MHz
MBRF2050H Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2050H -
RFQ
 ECAD 6412 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Schottky ITO-220AC ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-MBRF2050H Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 820 mV @ 20 A 200 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 20a -
TS15P01G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P01G -
RFQ
 ECAD 9491 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, TS-6P Padrão TS-6P ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-TS15P01G Ear99 8541.10.0080 1.200 1.1 V @ 15 A 10 µA a 50 V 15 a Fase Única 50 v
SR803 Taiwan Semiconductor Corporation SR803 -
RFQ
 ECAD 9012 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial Schottky Do-201d ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SR803TR Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 550 mV @ 8 a 500 µA A 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 8a -
DBL203GH Taiwan Semiconductor Corporation DBL203GH -
RFQ
 ECAD 8806 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Padrão Dbl ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-DBL203GH Ear99 8541.10.0080 5.000 1,15 V @ 2 A 2 µA a 200 V 2 a Fase Única 200 v
TS25P04G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P04G 2.6300
RFQ
 ECAD 8108 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, TS-6P Padrão TS-6P ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-TS25P04G Ear99 8541.10.0080 1.200 1.1 V @ 25 A 10 µA A 400 V 25 a Fase Única 400 v
SFAF506G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF506G -
RFQ
 ECAD 6002 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Padrão ITO-220AC ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SFAF506G Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 5 A 35 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 70pf @ 4V, 1MHz
MBRF2045H Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2045H -
RFQ
 ECAD 5559 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Schottky ITO-220AC ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-MBRF2045H Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 750 mV @ 20 A 200 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 20a -
MBRF1045 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1045 -
RFQ
 ECAD 1385 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 MBRF104 Schottky ITO-220AC ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-MBRF1045 Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 700 mv @ 10 a 100 µA A 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a -
HERAF1005G Taiwan Semiconductor Corporation HERAF1005G -
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 ECAD 2327 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Padrão ITO-220AC ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-HERAF1005G Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 10 A 50 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 80pf @ 4V, 1MHz
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    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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