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Diodos (14739)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max)
SR1202 Taiwan Semiconductor Corporation SR1202 -
RFQ
 ECAD 1070 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial Schottky Do-201d ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SR1202TR Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 550 mV @ 12 A 500 µA A 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 12a -
SR002H Taiwan Semiconductor Corporation SR002H -
RFQ
 ECAD 7349 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Schottky DO-204AL (DO-41) ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SR002HTR Ear99 8541.10.0070 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 550 mV a 500 mA 500 µA A 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 500mA 110pf @ 4V, 1MHz
1T3G Taiwan Semiconductor Corporation 1T3G -
RFQ
 ECAD 5546 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco T-18, axial Padrão TS-1 ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-1T3GTR Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 1 A 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
TS20P02GH Taiwan Semiconductor Corporation TS20P02GH -
RFQ
 ECAD 4674 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, TS-6P Padrão TS-6P ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-TS20P02GH Ear99 8541.10.0080 1.200 1,1 V @ 20 A 10 µA A 100 V 20 a Fase Única 100 v
MBR1045 Taiwan Semiconductor Corporation MBR1045 -
RFQ
 ECAD 9771 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 MBR104 Schottky TO-220AC ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-MBR1045 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 700 mv @ 10 a 100 µA A 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a -
HER301G Taiwan Semiconductor Corporation HER301G -
RFQ
 ECAD 3485 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial Padrão Do-201d ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-HER301GTR Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1 V @ 3 A 50 ns 10 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 60pf @ 4V, 1MHz
SR809H Taiwan Semiconductor Corporation SR809H -
RFQ
 ECAD 4064 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial Schottky Do-201d ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SR809HTR Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 90 v 920 mV @ 8 a 100 µA A 90 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a -
FR203G Taiwan Semiconductor Corporation Fr203G -
RFQ
 ECAD 7221 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Padrão DO-204AC (DO-15) ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-FR203GTR Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,3 V @ 2 A 150 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 10pf @ 4V, 1MHz
HER103G Taiwan Semiconductor Corporation HER103G -
RFQ
 ECAD 2782 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Padrão DO-204AL (DO-41) ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-HER103GTR Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
DBL107G Taiwan Semiconductor Corporation Dbl107g 0,2250
RFQ
 ECAD 1366 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Padrão Dbl ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 1,1 V @ 1 A 2 µA A 1000 V 1 a Fase Única 1 kv
SRAF520H Taiwan Semiconductor Corporation SRAF520H -
RFQ
 ECAD 3506 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Schottky ITO-220AC ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SRAF520H Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 550 mV @ 5 A 500 µA A 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 5a -
HER101G Taiwan Semiconductor Corporation HER101G -
RFQ
 ECAD 9723 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Padrão DO-204AL (DO-41) ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-HER101GTR Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
SRA1040 Taiwan Semiconductor Corporation SRA1040 -
RFQ
 ECAD 4621 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Schottky TO-220AC ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SRA1040 Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 10 A 500 µA A 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 10a -
SF42GH Taiwan Semiconductor Corporation SF42GH -
RFQ
 ECAD 5056 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial SF42 Padrão Do-201d ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SF42GHTR Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 4 a 35 ns 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 4a 100pf @ 4V, 1MHz
SRA10100 Taiwan Semiconductor Corporation SRA10100 -
RFQ
 ECAD 7679 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Schottky TO-220AC ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SRA10100 Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 850 mV @ 10 A 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a -
HER302G Taiwan Semiconductor Corporation HER302G -
RFQ
 ECAD 8791 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial Padrão Do-201d ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-HER302GTR Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 3 A 50 ns 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 60pf @ 4V, 1MHz
SFF1002GAH Taiwan Semiconductor Corporation SFF1002GAH -
RFQ
 ECAD 2212 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SFF1002 Padrão ITO-220AB ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SFF1002GAH Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 100 v 10a (DC) 975 mV @ 5 A 35 ns 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SFA1002GH Taiwan Semiconductor Corporation SFA1002GH -
RFQ
 ECAD 5367 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Padrão TO-220AC ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SFA1002GH Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 975 mV @ 10 A 35 ns 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 70pf @ 4V, 1MHz
SR202H Taiwan Semiconductor Corporation SR202H -
RFQ
 ECAD 7112 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Schottky DO-204AC (DO-15) ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SR202H Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 550 mv @ 2 a 500 µA A 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 2a -
F1T1GH Taiwan Semiconductor Corporation F1T1GH -
RFQ
 ECAD 2307 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco T-18, axial Padrão TS-1 ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-F1T1GHTR Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
SR002 Taiwan Semiconductor Corporation SR002 -
RFQ
 ECAD 7777 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Schottky DO-204AL (DO-41) ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SR002TR Ear99 8541.10.0070 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 550 mV a 500 mA 500 µA A 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 500mA 110pf @ 4V, 1MHz
DBL152GH Taiwan Semiconductor Corporation DBL152GH -
RFQ
 ECAD 1732 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Padrão Dbl ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-DBL152GH Ear99 8541.10.0080 5.000 1,1 V @ 1,5 A 2 µA A 100 V 1.5 a Fase Única 100 v
SF43G Taiwan Semiconductor Corporation SF43G -
RFQ
 ECAD 5568 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial Padrão Do-201d ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SF43GTR Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 1 V @ 4 a 35 ns 5 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 4a 100pf @ 4V, 1MHz
SFA1008G Taiwan Semiconductor Corporation SFA1008G -
RFQ
 ECAD 2654 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Padrão TO-220AC ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SFA1008G Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 10 A 35 ns 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 50pf @ 4V, 1MHz
KBU402G Taiwan Semiconductor Corporation KBU402G -
RFQ
 ECAD 4480 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Bandeja Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbu Padrão KBU ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-KBU402G Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 4 A 5 µA A 100 V 4 a Fase Única 100 v
SRT15H Taiwan Semiconductor Corporation SRT15H -
RFQ
 ECAD 8755 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco T-18, axial Schottky TS-1 ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SRT15HTR Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 500 µA A 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 80pf @ 4V, 1MHz
SFA1004G Taiwan Semiconductor Corporation SFA1004G -
RFQ
 ECAD 3654 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Padrão TO-220AC ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SFA1004G Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 975 mV @ 10 A 35 ns 10 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 70pf @ 4V, 1MHz
SF12GH Taiwan Semiconductor Corporation SF12GH -
RFQ
 ECAD 5228 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Padrão DO-204AL (DO-41) ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SF12GHTR Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 950 mV @ 1 a 35 ns 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4V, 1MHz
SRT12H Taiwan Semiconductor Corporation SRT12H -
RFQ
 ECAD 6678 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco T-18, axial Schottky TS-1 ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SRT12HTR Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 550 mV @ 1 a 500 µA A 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a 110pf @ 4V, 1MHz
SF2002PTH Taiwan Semiconductor Corporation SF2002PTH -
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 ECAD 6014 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 SF2002 Padrão TO-247AD (TO-3P) ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SF2002PTH Ear99 8541.10.0080 900 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 20A (DC) 1,1 V @ 20 A 35 ns 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
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