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Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Poder - Máx	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Corrente - Retificada Média (IO)	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Max)	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)
1N5347B/TR8	-	RFQ	4214	Microsemi Corporation	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Através do buraco	T-18, axial	1N5347		5 w	T-18	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0050	1.000					1,2 V @ 1 A		5 µA a 7,2 V				10 v	2 ohms
13 PMT4624C/TR7	-	RFQ	3038	Microsemi Corporation	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Montagem na Superfície	DO-216AA			1 w	DO-216	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0050	3.000					1,1 V @ 200 mA		10 µA A 3 V				4,7 v	1600 ohms
CDLL3046A-1	-	RFQ	2190	Microsemi Corporation	-	Volume	Ativo					CDLL3046				-	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0050	1
CDLL3049B-1	-	RFQ	9605	Microsemi Corporation	-	Volume	Ativo					CDLL3049				-	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0050	1
CDLL3051B-1	-	RFQ	7243	Microsemi Corporation	-	Volume	Ativo					CDLL3051				-	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0050	1
APT40DS04HJ	-	RFQ	5306	Microsemi Corporation	-	Volume	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem do chassi	SOT-227-4, Minibloc		Padrão		SOT-227	download		1 (ilimito)		Ear99	8541.10.0080	1					580 mV @ 40 A		20 mA a 45 V	40 a	Fase Única	45 v
VJ448M	-	RFQ	9221	Microsemi Corporation	-	Volume	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	4 Quadrados, VJ		Padrão		VJ	download		1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0080	1					1,3 V @ 1 a		5 µA A 400 V	10 a	Fase Única	400 v
APT60DF100HJ	-	RFQ	1749	Microsemi Corporation	-	Volume	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem do chassi	SOT-227-4, Minibloc		Padrão		SOT-227	download		1 (ilimito)		Ear99	8541.10.0080	1					2,8 V @ 60 A		100 µA A 1000 V	90 a	Fase Única	1 kv
MSD130-18	-	RFQ	9781	Microsemi Corporation	-	Volume	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem do chassi	M3		Padrão			download		1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0080	1					1,8 V @ 300 A		300 µA @ 1800 V	130 a	Três fase	1,8 kV
MSD50-18	-	RFQ	8096	Microsemi Corporation	-	Volume	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal de QC	M1		Padrão			download		1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0080	1					1,5 V @ 100 A		200 µA @ 1800 V	50 a	Três fase	1,8 kV
UFT20020A	-	RFQ	6714	Microsemi Corporation	-	Volume	Obsoleto			Montagem do parafuso	Módlo		Padrão		Módlo	download		1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par ânodo comum	200 v	100a	975 mV @ 100 A	50 ns	50 µA A 200 V
APTDC10H601G	-	RFQ	1779	Microsemi Corporation	-	Volume	Obsoleto		-	Montagem do chassi	SP1		Silício Schottky		SP1	download		1 (ilimito)		Ear99	8541.10.0080	1					1,8 V @ 10 A		200 µA A 600 V	10 a	Fase Única	600 v
APTDC20H601G	-	RFQ	7752	Microsemi Corporation	-	Volume	Obsoleto		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem do chassi	SP1		Silício Schottky		SP1	-		1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0080	1					1,8 V @ 20 A		400 µA A 600 V	20 a	Fase Única	600 v
APT2X51DC120J	-	RFQ	1314	Microsemi Corporation	-	Volume	Ativo			Montagem do chassi	SOT-227-4, Minibloc	Apt2x51	Sic (carboneto de Silíc) Schottky		SOT-227	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0080	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)	2 Independente	1200 v	50a	1,8 V @ 50 A	0 ns	1 ma @ 1200 V
APT2X51DC60J	-	RFQ	8713	Microsemi Corporation	-	Volume	Ativo			Montagem do chassi	SOT-227-4, Minibloc	Apt2x51	Sic (carboneto de Silíc) Schottky		SOT-227	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0080	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)	2 Independente	600 v	50a	1,8 V @ 50 A	0 ns	1 mA a 600 V
Jantxv1n4614 (DO35)	-	RFQ	1541	Microsemi Corporation	Militar, MIL-PRF-19500/435	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	1N4614		500 MW	DO-35	-	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 mA		7,5 µA a 1 V				1,8 v	1200 ohms
1N4100 (DO35)	-	RFQ	8365	Microsemi Corporation	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	1N4100		400 MW	DO-35	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 mA		10 µA a 5,7 V				7,5 v	200 ohms
1N4101 (DO35)	-	RFQ	2027	Microsemi Corporation	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	1N4101		400 MW	DO-35	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 mA		1 µA A 6,24 V				8.2 v	200 ohms
1N4103 (DO35)	-	RFQ	2085	Microsemi Corporation	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	1N4103		400 MW	DO-204AH (Vidro Do-35)	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 mA		1 µA a 6,92 V				9.1 v	200 ohms
1N4106 (DO35)	-	RFQ	9478	Microsemi Corporation	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	1N4106		400 MW	DO-35	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 mA		50 Na @ 9,12 V				12 v	200 ohms
1N4107 (DO35)	-	RFQ	7269	Microsemi Corporation	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	1N4107		400 MW	DO-35	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 mA		50 Na @ 9,87 V				13 v	200 ohms
1N4125 (DO35)	-	RFQ	8444	Microsemi Corporation	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	1N4125		400 MW	DO-35	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 mA		10 Na @ 35,75 V				47 v	250 ohms
1N4680 (DO35)	-	RFQ	3496	Microsemi Corporation	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	1N4680		500 MW	DO-35	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 mA		4 µA A 1 V				2,2 v
1N4683 (DO35)	-	RFQ	2005	Microsemi Corporation	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	1N4683		500 MW	DO-35	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 mA		800 Na @ 1 V				3 v
1N4685 (DO35)	-	RFQ	4008	Microsemi Corporation	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	1N4685		500 MW	DO-35	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 mA		7,5 µA a 2 V				3,6 v
1N4689 (DO35)	-	RFQ	7447	Microsemi Corporation	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	1N4689		500 MW	DO-35	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 mA		10 µA A 3 V				5.1 v
1N4699 (DO35)	-	RFQ	4379	Microsemi Corporation	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	1N4699		500 MW	DO-35	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 mA		50 Na @ 9,1 V				12 v
1N4702 (DO35)	-	RFQ	1716	Microsemi Corporation	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	1N4702		500 MW	DO-35	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 mA		50 Na @ 11,4 V				15 v
1N4709 (DO35)	-	RFQ	1852	Microsemi Corporation	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	1N4709		500 MW	DO-35	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 mA		10 Na @ 18,2 V				24 v
1N4713 (DO35)	-	RFQ	3730	Microsemi Corporation	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	1N4713		500 MW	DO-35	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 mA		10 Na @ 22,8 V				30 v

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