Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-compponents.com
Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N6010B | 1.8400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1,2 V @ 200 mA | 100 Na @ 21 V | 27 v | 70 ohms | ||||||||||||||||
![]() | Flz7v5c | 0,0200 | ![]() | 66 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,2 V @ 200 mA | 300 Na @ 4 V | 7,5 v | 6,6 ohms | ||||||||||||||||
![]() | RURD620CCS9A-SB82215 | 0,8700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-RURD620CCS9A-SB82215-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Flz4v3c | 0,0200 | ![]() | 3720 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.090 | 1,2 V @ 200 mA | 470 Na @ 1 V | 4,4 v | 32 ohms | ||||||||||||||||
1N5407 | - | ![]() | 4168 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-201aa, DO-27, axial | Padrão | Axial | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1 V @ 3 A | 10 µA a 800 V | -65 ° C ~ 170 ° C. | 3a | - | ||||||||||||||||
![]() | EGP20J | 0,2200 | ![]() | 23 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Padrão | DO-15 | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.385 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 2 A | 75 ns | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
![]() | MMBZ5256B | - | ![]() | 9886 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 225 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 23 V | 30 v | 49 ohms | ||||||||||||||
![]() | ES2C | - | ![]() | 4914 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Padrão | SMB (DO-214AA) | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 900 mV @ 2 a | 20 ns | 5 µA A 150 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||||||||||||||
![]() | 1N4150TR | 0,0200 | ![]() | 6219 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Padrão | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0070 | 5 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 50 v | 1 V @ 200 mA | 6 ns | 100 Na @ 50 V | 175 ° C (max) | 200Ma | 2.5pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | 1N6017B | 1.8400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1,2 V @ 200 mA | 100 Na @ 39 V | 51 v | 180 ohms | ||||||||||||||||
![]() | FYPF2045DNTU | 0,5100 | ![]() | 19 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | Schottky | TO-220F-3 | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 20a | 700 mV @ 20 A | 1 ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||
![]() | 1n4732atr | 0,0300 | ![]() | 2226 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.960 | 10 µA A 1 V | 4,7 v | 8 ohms | ||||||||||||||||||
![]() | BZX55C47 | 0,0200 | ![]() | 4407 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.000 | 1,3 V @ 100 Ma | 100 Na @ 35 V | 47 v | 110 ohms | ||||||||||||||||
![]() | 2W10G | 1.0000 | ![]() | 1856 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-circular, WOB | Padrão | WOB | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V @ 2 A | 5 µA @ 1 V | 2 a | Fase Única | 1 kv | ||||||||||||||||
![]() | EGP30F | 0,2600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.156 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,25 V @ 3 A | 50 ns | 5 µA A 300 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 75pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
![]() | KBU4K | 1.0000 | ![]() | 8500 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, kbu | Padrão | KBU | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 4 a | 5 µA a 50 V | 4 a | Fase Única | 800 v | ||||||||||||||||
![]() | Ffpf05u60dntu | 0,2800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | Padrão | TO-220F-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 5a | 2,3 V @ 5 A | 80 ns | 2,5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||
![]() | RGP10B | 0,0700 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.991 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
![]() | ES1A | 1.0000 | ![]() | 2704 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC, SMA | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 920 mV @ 1 a | 15 ns | 5 µA a 50 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||||||||||||
![]() | 1N5992B | 1.8400 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1,2 V @ 200 mA | 3 µA A 1,5 V | 4,7 v | 70 ohms | ||||||||||||||||
![]() | BZX85C9V1 | 0,0300 | ![]() | 67 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | BZX85C9 | 1.3 w | DO-41G | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 6,8 V | 9.1 v | 5 ohms | |||||||||||||
![]() | 1N4748A | 0,0300 | ![]() | 23 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 9.779 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 16,7 V | 22 v | 23 ohms | |||||||||||||||||
![]() | 1N5259B | - | ![]() | 5042 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-1N5259B-600039 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 100 Na @ 30 V | 39 v | 80 ohms | ||||||||||||||||
![]() | MM5Z10V | 0,0200 | ![]() | 1839 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | 200 MW | SOD-523F | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100 Na @ 8 V | 10 v | 20 ohms | ||||||||||||||||||
![]() | EGF1B | 0,2500 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.205 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
![]() | MMSD3070 | 1.0000 | ![]() | 6659 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | Padrão | SOD-123 | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 200 v | 1 V @ 100 Ma | 50 ns | 100 Na @ 175 V | 150 ° C (Máximo) | 200Ma | 5pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||
![]() | BAT54A | - | ![]() | 3675 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | Schottky | SOT-23-3 (TO-236) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par ânodo comum | 30 v | 200Ma | 1 V @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 25 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | MM5Z16V | 0,0900 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523F | 200 MW | SOD-523F | - | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-MM5Z16V-600039 | 1 | 50 Na @ 11,2 V | 16 v | 40 ohms | |||||||||||||||||
![]() | 1n748a | 1.9300 | ![]() | 112 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0050 | 156 | 1,5 V @ 200 mA | 10 µA A 1 V | 3,9 v | 23 ohms | ||||||||||||||||
![]() | BZX55C7V5 | 0,0200 | ![]() | 7856 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.335 | 1,3 V @ 100 Ma | 100 Na @ 5 V | 7,5 v | 7 ohms |
Volume médio diário de RFQ
Unidade de produto padrão
Fabricantes em todo o mundo
Armazém em estoque