SIC
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Diodos (1290)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
MMSZ5243B Fairchild Semiconductor MMSZ5243B -
RFQ
 ECAD 9857 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 500 MW SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 500 Na @ 9,9 V 13 v 13 ohms
1N5241BTR Fairchild Semiconductor 1n5241btr 0,0200
RFQ
 ECAD 392 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 mA 2 µA a 8,4 V 11 v 22 ohms
1N5229BTR Fairchild Semiconductor 1N5229BTR 0,0300
RFQ
 ECAD 155 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco 500 MW download Ear99 8541.10.0050 11.539 5 µA @ 1 V 4.3 v 22 ohms
BAV21TR Fairchild Semiconductor Bav21tr -
RFQ
 ECAD 4263 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BAV21 Padrão DO-35 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 5.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 250 v 1,25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 200 V 175 ° C (max) 200Ma 5pf @ 0V, 1MHz
MM3Z43VC Fairchild Semiconductor MM3Z43VC -
RFQ
 ECAD 7538 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323F download Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 Ma 45 Na @ 30,1 V 43 v 141 ohms
1N5408 Fairchild Semiconductor 1N5408 1.0000
RFQ
 ECAD 1378 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial 1N5408 Padrão DO15/DO204AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,2 V @ 3 A 1,5 µs 200 Na @ 1000 V -50 ° C ~ 175 ° C. 3a -
MMSZ5236B Fairchild Semiconductor MMSZ5236B 0,0200
RFQ
 ECAD 134 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% - Montagem na Superfície SOD-123 MMSZ52 500 MW SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 3 µA a 6 V 7,5 v 5 ohms
EGP20D Fairchild Semiconductor EGP20D 1.0000
RFQ
 ECAD 3844 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Padrão DO-15 download Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 950 mV @ 2 a 50 ns 5 µA A 200 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a 70pf @ 4V, 1MHz
FFP08D60L2 Fairchild Semiconductor FFP08D60L2 -
RFQ
 ECAD 8812 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco To-220-2 Padrão To-220-2 download Ear99 8542.39.0001 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 3,6 V @ 8 a 25 ns 10 µA A 600 V -65 ° C ~ 150 ° C. 8a -
BZX85C5V6 Fairchild Semiconductor BZX85C5V6 0,0300
RFQ
 ECAD 42 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% - Através do buraco Do-204al, DO-41, axial BZX85C5 1.3 w DO-41G download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA @ 2 V 5,6 v 7 ohms
BZX85C30 Fairchild Semiconductor BZX85C30 0,0300
RFQ
 ECAD 78 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% - Através do buraco Do-204al, DO-41, axial BZX85C30 1.3 w DO-41G download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 mA 500 Na @ 22 V 30 v 30 ohms
KBU6D Fairchild Semiconductor KBU6D 0,5400
RFQ
 ECAD 5011 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbu Padrão KBU download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 425 1 V @ 6 A 10 µA A 200 V 6 a Fase Única 200 v
KBU6K Fairchild Semiconductor KBU6K -
RFQ
 ECAD 4104 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbu Padrão KBU download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 6 A 10 µA a 800 V 6 a Fase Única 800 v
FLZ36VC Fairchild Semiconductor Flz36vc 0,0200
RFQ
 ECAD 9474 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW SOD-80 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 4.513 1,2 V @ 200 mA 133 Na @ 27 V 34,3 v 63 ohms
SS36 Fairchild Semiconductor SS36 0,2300
RFQ
 ECAD 73 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Schottky SMC (DO-214AB) download Ear99 8541.10.0080 1.436 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 750 mv @ 3 a 500 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
1N5402 Fairchild Semiconductor 1N5402 -
RFQ
 ECAD 7746 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco Do-201aa, DO-27, axial 1N5402 Padrão DO-201 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,2 V @ 3 A 1,5 µs 200 Na @ 200 V -50 ° C ~ 175 ° C. 3a -
1N5247BTR Fairchild Semiconductor 1N5247BTR 0,0200
RFQ
 ECAD 4891 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 mA 100 Na @ 13 V 17 v 19 ohms
MBR1660 Fairchild Semiconductor MBR1660 1.0000
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco To-220-2 Schottky TO-220AC download Ear99 8541.10.0080 302 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 750 mv @ 16 a 1 mA a 60 V -65 ° C ~ 150 ° C. 16a 450pf @ 4V, 1MHz
FLZ15VC Fairchild Semiconductor Flz15vc 1.0000
RFQ
 ECAD 2814 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW SOD-80 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 2.500 1,2 V @ 200 mA 133 Na @ 11 V 14,7 v 13,3 ohms
1N5393 Fairchild Semiconductor 1N5393 0,0200
RFQ
 ECAD 35 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Padrão DO15/DO204AC download Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,3 V @ 1,5 A 1,5 µs 5 µA A 200 V -50 ° C ~ 175 ° C. 1.5a -
1N914BWT Fairchild Semiconductor 1n914bwt 0,0200
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície SC-79, SOD-523F 1n914b Padrão SOD-523F download Ear99 8541.10.0070 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 75 v 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -55 ° C ~ 150 ° C. 200Ma 4pf @ 0V, 1MHz
FLZ2V7B Fairchild Semiconductor Flz2v7b 0,0200
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 4% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW SOD-80 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 2.500 1,2 V @ 200 mA 70 µA A 1 V 2,8 v 35 ohms
MM3Z56VC Fairchild Semiconductor MM3Z56VC -
RFQ
 ECAD 5457 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% 150 ° C. Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323F download Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 Ma 45 Na @ 39,2 V 56 v 188 ohms
1N4730A-T50A Fairchild Semiconductor 1N4730A-T50A -
RFQ
 ECAD 1513 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1 w DO-41 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-1N4730A-T50A-600039 1 50 µA @ 1 V 3,9 v 9 ohms
BZX84C5V6-FS Fairchild Semiconductor BZX84C5V6-FS 0,0200
RFQ
 ECAD 3013 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C5 250 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.003 900 mV a 10 mA 1 µA @ 2 V 5,6 v 10 ohms
FFD04H60S Fairchild Semiconductor FFD04H60S 0,5900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Padrão TO-252, (D-PAK) download Ear99 8542.39.0001 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,1 V @ 4 A 60 ns 100 µA A 600 V -65 ° C ~ 150 ° C. 4a -
FLZ8V2B Fairchild Semiconductor Flz8v2b 0,0200
RFQ
 ECAD 5084 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW SOD-80 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 4.230 1,2 V @ 200 mA 300 Na @ 5 V 8 v 6,6 ohms
MMSZ5255B Fairchild Semiconductor MMSZ5255B 1.0000
RFQ
 ECAD 1316 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 500 MW SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 21 V 28 v 44 ohms
EGP20G Fairchild Semiconductor EGP20G 0,2800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Padrão DO-15 download Ear99 8541.10.0080 1.158 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,25 V @ 2 A 50 ns 5 µA A 400 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a 45pf @ 4V, 1MHz
FFSH20120ADN-F155 Fairchild Semiconductor FFSH20120ADN-F155 -
RFQ
 ECAD 2177 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco To-247-3 FFSH20120 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-247 download Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 1200 v 10a (DC) 1,75 V @ 10 A 200 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

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