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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FFPF20U40STU | 1.5000 | ![]() | 272 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Padrão | TO-220F-2L | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,4 V @ 20 A | 50 ns | 50 µA A 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | ||||||||||||
![]() | 1N4737A-T50A | 0,0500 | ![]() | 42 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | - | 2156-1N4737A-T50A | 6.231 | 10 µA a 5 V | 7,5 v | 4 ohms | |||||||||||||||||
![]() | UF4007 | 1.0000 | ![]() | 6139 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | UF400 | Padrão | DO-41 | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 1000 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||||||||||||
![]() | MM5Z18V-FS | 1.0000 | ![]() | 2653 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | ± 6,39% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | 200 MW | SOD-523F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 50 Na @ 12,6 V | 18 v | 45 ohms | |||||||||||||
![]() | Bas40sl | - | ![]() | 2475 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-923 | Bas40 | Schottky | SOD-923F | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 40 v | 1 V @ 40 Ma | 8 ns | 200 Na @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 100mA | 5pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | MMSZ5254B-FS | 1.0000 | ![]() | 9212 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z6V8 | 1.0000 | ![]() | 6251 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | MM5Z6 | 200 MW | SOD-523 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 2 µA A 4 V | 6,8 v | 15 ohms | ||||||||||||
![]() | 1N5233B | 0,0300 | ![]() | 27 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | ± 5% | Através do buraco | 500 MW | - | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 11.539 | 5 µA A 3,5 V | 6 v | 7 ohms | ||||||||||||||||||
MMSZ5234B | 0,0200 | ![]() | 426 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | SOD-123 | MMSZ5234 | 500 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 5 µA A 4 V | 6.2 v | 7 ohms | ||||||||||||
![]() | BZX85C7V5 | 0,0300 | ![]() | 35 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | BZX85C7 | 1.3 w | DO-41G | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 4,5 V | 7,5 v | 3 ohms | |||||||||||
![]() | BAW76 | 1.0000 | ![]() | 7262 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BAW76 | Padrão | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 75 v | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 Na @ 50 V | 175 ° C (max) | 300mA | 2pf @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | GBPC3508 | 3.0800 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal de QC | 4 Quadrados, GBPC | Padrão | GBPC | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 17,5 A | 5 µA A 800 V | 35 a | Fase Única | 800 v | |||||||||||||||
![]() | GBPC2510W | - | ![]() | 1579 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 Quadrados, GBPC-W | Padrão | GBPC-W | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,1 V @ 12,5 A | 5 µA @ 1 V | 25 a | Fase Única | 1 kv | |||||||||||||||
![]() | 1N914A | 0,0200 | ![]() | 340 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Padrão | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1 V @ 20 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175 ° C (max) | 200Ma | 4pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N4448 | 0,0300 | ![]() | 115 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Padrão | DO-35 | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 11.539 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200Ma | 2pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | BZX84C4V3 | 0,0200 | ![]() | 90 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C4 | 250 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 90 ohms | |||||||||||
![]() | RURD660 | - | ![]() | 4302 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-251-2, IPAK | Padrão | TO-251-2 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,5 V @ 6 A | 60 ns | 100 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - | ||||||||||||
![]() | 1MD2_FDH3369C | 0,0200 | ![]() | 4131 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 0000.00.0000 | 9.992 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4749A | 0,0300 | ![]() | 90 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 9.779 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 18,2 V | 24 v | 25 ohms | |||||||||||||||
![]() | MMBZ5255B | 0,0200 | ![]() | 200 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 225 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 21 V | 28 v | 44 ohms | ||||||||||||
![]() | 1N4732A | 0,0300 | ![]() | 101 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 9.779 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | US1AFA | 1.0000 | ![]() | 4051 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | Padrão | SOD-123FA | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 1 a | 50 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | BZX85C47 | 0,0300 | ![]() | 32 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | BZX85C47 | 1.3 w | DO-41G | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 500 Na @ 36 V | 47 v | 90 ohms | |||||||||||
![]() | MM3Z33VB | 1.0000 | ![]() | 1263 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | - | 0000.00.0000 | 1 | 1 V @ 10 Ma | 45 Na @ 23 V | 33 v | 75 ohms | ||||||||||||||||
![]() | ISL9R860S3ST_NL | 0,7000 | ![]() | 583 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Stealth ™ | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2,4 V @ 8 A | 30 ns | 100 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | ||||||||||
![]() | BZX85C5V1 | 0,0300 | ![]() | 27 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | ± 6% | - | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | BZX85C5 | 1.3 w | DO-41G | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 1,5 V | 5.1 v | 10 ohms | |||||||||||
![]() | 1n957b | 2.9800 | ![]() | 61 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0050 | 101 | 150 µA a 5,2 V | 6,8 v | 4,5 ohms | |||||||||||||||
![]() | 1n756a_nl | - | ![]() | 5328 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 16.000 | 1,5 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 8.2 v | 8 ohms | ||||||||||||
![]() | S1J | 1.0000 | ![]() | 8096 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC, SMA | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1 A | 1,5 µs | 5 µA A 600 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||||||||||
![]() | 1n914b | 0,0300 | ![]() | 140 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Padrão | DO-35 | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 11.539 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1 V @ 200 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200Ma | 4pf @ 0V, 1MHz |
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