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Diodos (545)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZV90-C16115 | - |  | 4409 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | BZV90 | Volume | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | 1,5 w | SC-73 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZV90-C16115-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 Na @ 11,2 V | 16 v | 40 ohms | ||||||||||||
| BZV49-C11,115 | - | | 4934 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | BZV49 | Volume | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-243AA | 1 w | SOT-89 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZV49-C11,115-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20 ohms | ||||||||||||
| PDZ33BGWX | - | | 8602 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101, PDZ-GW | Volume | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | 365 MW | SOD-123 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-PDZ33BGWX-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 25 V | 33 v | 40 ohms | ||||||||||||
 | 1N4733A, 113 | 0,0300 | | 214 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-1N4733A, 113-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | BZV55-C30,135 | 0,0200 | | 56 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-C30,135-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 21 V | 30 v | 80 ohms | ||||||||||||
| BZX79-B9V1,143 | 0,0200 | | 103 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-B9V1,143-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 500 Na @ 6 V | 9.1 v | 15 ohms | ||||||||||||
 | NZX18A, 133 | 0,0200 | | 37 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-NZX18A, 133-954 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 50 Na @ 12,6 V | 18 v | 55 ohms | ||||||||||||
| Pzu9.1b2,115 | - | | 9806 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 310 MW | SC-90 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-PZU9.1B2,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 500 Na @ 6 V | 9.1 v | 10 ohms | ||||||||||||
| BZT52H-B62,115 | - | | 3303 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | BZT52H | Volume | Ativo | ± 1,94% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123F | 375 MW | SOD-123F | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZT52H-B62,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 43,4 V | 62 v | 140 ohms | ||||||||||||
 | BZV55-C20.135 | 0,0200 | | 155 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 14 V | 20 v | 55 ohms | ||||||||||||||
| BZV85-C10,133 | 0,0400 | | 98 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1.3 w | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV85-C10,133-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 200 Na @ 7 V | 10 v | 8 ohms | ||||||||||||
 | PMEG2005EGWX | - | | 5456 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | Schottky | SOD-123 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMEG2005EGWX-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 390 mV @ 500 mA | 200 µA a 20 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | 66pf @ 1V, 1MHz | |||||||||
 | MMBD4148.215 | - | | 6158 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Padrão | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-MMBD4148.215-954 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 75 v | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 Na @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | 215mA | 1.5pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||
 | NZX5V6D, 133 | - | | 7082 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA @ 2 V | 5,6 v | 40 ohms | |||||||||||||
 | BZX79-B47133 | 0,0200 | | 30 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| BZX79-C27,113 | 0,0200 | | 520 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C27,113-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 18,9 V | 27 v | 80 ohms | ||||||||||
| Bas116gwj | 1.0000 | | 6893 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | Padrão | SOD-123 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BAS116GWJ-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 75 v | 1,25 V @ 150 Ma | 3 µs | 5 Na @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | 215mA | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||||||
| BZX79-C24,113 | 0,0200 | | 350 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C24,113-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 16,8 V | 24 v | 70 ohms | ||||||||||
 | BZX84J-C4V3,115 | - | | 1319 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | BZX84J-C4V3 | 550 MW | SOD-323F | download | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90 ohms | |||||||||||||
| PMBD7100,215 | 0,0200 | | 18 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMBD7100,215-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | BZT52H-C18,115 | 0,0200 | | 92 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZT52H-C18,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 12,6 V | 18 v | 20 ohms | |||||||||||
 | BAT74S, 115 | 1.0000 | | 2777 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | BAT74 | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-BAT74S, 115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||
| BZX84J-C13,115 | - | | 5511 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SC-90 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZX84J-C13,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 8 V | 13 v | 10 ohms | ||||||||||||
 | BZX884-C18,315 | - | | 7302 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX884-C18,315-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 12,6 V | 18 v | 45 ohms | ||||||||||
 | BZX84J-C24,115 | 0,0300 | | 68 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SOD-323F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84J-C24,115-954 | 11.823 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 16,8 V | 24 v | 30 ohms | ||||||||||||
| BZX79-C3V0,113 | 0,0200 | | 250 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C3V0,113-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 10 µA A 1 V | 3 v | 95 ohms | ||||||||||||
| BAT754C, 215 | 0,0500 | | 530 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BAT754C, 215-954 | 6.138 | ||||||||||||||||||||||
| BZX884-B2V4,315 | - | | 7880 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX884-B2V4,315-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 µA @ 1 V | 2,4 v | 100 ohms | ||||||||||||
| Pzu13b2a, 115 | 1.0000 | | 1332 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | download | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 10 V | 13 v | 10 ohms | ||||||||||||||
 | BYV32E-2000.127 | - | | 7891 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | BYV32 | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-byv32e-200.127-954 | Ear99 | 8541.10.0080 | 381 |
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