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Diodos (545)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMEG1020EJ, 115 | - |  | 8548 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | Schottky | SOD-323F | download | Alcançar Não Afetado | 2156-PMEG1020EJ, 115-954 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 10 v | 460 mV @ 2 a | 3 mA a 10 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | 50pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||
 | BZX84-B75.215 | 0,0200 | | 158 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-B75,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 52,5 V | 75 v | 255 ohms | |||||||||||||
 | BZX884-B2V7,315 | - | | 6297 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZX884-B2V7,315-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 20 µA @ 1 V | 2,7 v | 100 ohms | |||||||||||||
| PMEG6010esbyl | 0,0400 | | 200 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 2-xdfn | PMEG6010 | Schottky | DSN1006-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMEG6010esbyl-954 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8.126 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 730 mV @ 1 a | 2.4 ns | 30 µA A 60 V | 150 ° C (Máximo) | 1a | 20pf @ 10V, 1MHz | ||||||||
 | BZX79-C22.143 | 0,0200 | | 75 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C22,143-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 700 mV | 22 v | 55 ohms | |||||||||||
| Pzu2.4bl, 315 | - | | 6739 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-PZU2.4BL, 315-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 µA @ 1 V | 2,4 v | 100 ohms | |||||||||||||
 | PMEG3020CEP, 115 | 0,0900 | | 386 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | Schottky | SOD-128/CFP5 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMEG3020CEP, 115-954 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 420 mv @ 2 a | 1,5 mA a 30 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | 170pf @ 1V, 1MHz | ||||||||||
 | PMEG2015EH, 115 | 0,0500 | | 94 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | Schottky | SOD-123F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMEG2015EH, 115-954 | 5.912 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 660 mV @ 1,5 A | 70 µA A 20 V | 150 ° C (Máximo) | 1.5a | 50pf @ 1V, 1MHz | ||||||||||||
| BZX79-B5V1,133 | 0,0200 | | 139 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-B5V1,133-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60 ohms | |||||||||||||
 | BZB984-C13,115 | 0,0400 | | 18 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | SOT-663 | 265 MW | SOT-663 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZB984-C13,115-954 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 8 V | 13 v | 10 ohms | ||||||||||||
| BZX79-B7V5.143 | - | | 2731 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZX79-B7V5,143-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 1 µA a 5 V | 7,5 v | 15 ohms | |||||||||||||
| BZX84-A4V3,215 | 0,1000 | | 3 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-A4V3,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90 ohms | |||||||||||||
 | BZX585-C5V1,115 | - | | 7528 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60 ohms | |||||||||||
 | Pzu6.8b2l, 315 | - | | 5372 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-882 | Pzu6.8 | 250 MW | DFN1006-2 | download | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 500 Na @ 3,5 V | 6,8 v | 20 ohms | ||||||||||||||
| PLVA659A, 215 | 0,0500 | | 38 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PLVA659 | 250 MW | TO-236AB | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PLVA659A, 215-954 | 6.397 | 900 mV a 10 mA | 1 µA a 5,3 V | 5,9 v | 100 ohms | ||||||||||||
| Pzu3.0b2a, 115 | - | | 1522 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-PZU3.0B2A, 115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 10 µA A 1 V | 3 v | 95 ohms | |||||||||||||
| PMEG4005esfyl | - | | 2590 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 0201 (0603 Mética) | Schottky | DSN0603-2 | - | 2156-PMEG4005esfyl | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 880 mV @ 500 mA | 1,28 ns | 6,5 µA A 40 V | 150 ° C. | 500mA | 17pf @ 1V, 1MHz | |||||||||||||
 | BZX84J-B68,115 | 1.0000 | | 9101 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | BZX84J-B68 | 550 MW | SOD-323F | download | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 47,6 V | 68 v | 160 ohms | ||||||||||||||
| BZX79-C3V0,113 | 0,0200 | | 250 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C3V0,113-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 10 µA A 1 V | 3 v | 95 ohms | |||||||||||||
| BZX84-C6V2.235 | 0,0200 | | 120 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-C6V2.235-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 3 µA A 4 V | 6.2 v | 10 ohms | |||||||||||||
| BZB984-C6V8,115 | 0,0400 | | 7 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | SOT-663 | 265 MW | SOT-663 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZB984-C6V8,115-954 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 2 µA A 4 V | 6,8 v | 6 ohms | ||||||||||||
 | BZX884-B68.315 | 0,0300 | | 30 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX884-B68.315-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 47,6 V | 68 v | 240 ohms | |||||||||||
| Tdz5v6j/zl, 135 | 0,0300 | | 1 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | Tdz5v6 | 500 MW | SOD-323F | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-TDZ5V6J/ZL, 135-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 10 µA A 2,5 V | 5,6 v | 40 ohms | ||||||||||||
 | BZV85-C27,133 | 0,0400 | | 101 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV85-C27,133-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 Na @ 19 V | 27 v | 40 ohms | |||||||||||||
| BZT52H-B2V4,115 | 0,0200 | | 19 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZT52H-B2V4,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 µA @ 1 V | 2,4 v | 85 ohms | ||||||||||||
| BZX84-C2V4,215 | 0,0200 | | 4 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-C2V4,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 µA @ 1 V | 2,4 v | 100 ohms | |||||||||||||
| BZV85-C13,113 | 0,0400 | | 122 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1.3 w | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV85-C13,113-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 200 Na @ 9,1 V | 13 v | 10 ohms | |||||||||||||
| BZT52H-C4V7,115 | 0,0200 | | 179 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZT52H-C4V7,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 3 µA @ 2 V | 4,7 v | 78 ohms | ||||||||||||
| BZX79-C18,133 | 0,0200 | | 301 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C18,133-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 12,6 V | 18 v | 45 ohms | |||||||||||||
 | BYC5DX-500,127 | 0,3700 | | 48 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Padrão | TO-220F | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 2 V @ 5 A | 16 ns | 40 µA @ 500 V | 150 ° C (Máximo) | 5a | - |
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