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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Pzu3.0b2a, 115 | - | ![]() | 1522 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-PZU3.0B2A, 115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 10 µA A 1 V | 3 v | 95 ohms | |||||||||||||
![]() | Pzu12ba, 115 | - | ![]() | 6428 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-PZU12BA, 115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 9 V | 12 v | 10 ohms | |||||||||||||
![]() | PDZ33BGWX | - | ![]() | 8602 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101, PDZ-GW | Volume | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | 365 MW | SOD-123 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-PDZ33BGWX-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 25 V | 33 v | 40 ohms | |||||||||||||
![]() | BZV90-C16115 | - | ![]() | 4409 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | BZV90 | Volume | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | 1,5 w | SC-73 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZV90-C16115-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 Na @ 11,2 V | 16 v | 40 ohms | |||||||||||||
![]() | BZV49-C11,115 | - | ![]() | 4934 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | BZV49 | Volume | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-243AA | 1 w | SOT-89 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZV49-C11,115-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20 ohms | |||||||||||||
![]() | BZV85-C27,133 | 0,0400 | ![]() | 101 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV85-C27,133-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 Na @ 19 V | 27 v | 40 ohms | |||||||||||||
![]() | PMBD914.215 | 0,0200 | ![]() | 191 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMBD914 | Padrão | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMBD914.215-954 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA A 75 V | 150 ° C (Máximo) | 215mA | 1.5pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||
![]() | Tdz4v7j, 115 | - | ![]() | 1229 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | Tdz4v7 | 500 MW | SOD-323F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-TDZ4V7J, 115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 2 V | 4,7 v | 80 ohms | ||||||||||||
![]() | NZH16C, 115 | 0,0200 | ![]() | 204 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 3% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123F | 500 MW | SOD-123F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-NZH16C, 115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 40 Na @ 12 V | 16 v | 18 ohms | |||||||||||||
![]() | BZV55-B11.115 | 0,0200 | ![]() | 63 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-B11,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20 ohms | ||||||||||||||
![]() | BZV85-C3V9,113 | 0,0300 | ![]() | 75 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1.3 w | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV85-C3V9,113-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 10 µA A 1 V | 3,9 v | 15 ohms | |||||||||||||
![]() | Pzu8.2bl, 315 | 0,0300 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PZU8.2BL, 315-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 500 Na @ 5 V | 8.2 v | 10 ohms | |||||||||||
![]() | BZT52H-C20.115 | 0,0200 | ![]() | 129 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZT52H-C20,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 14 V | 20 v | 20 ohms | ||||||||||||
![]() | Pzu7.5b, 115 | 0,0300 | ![]() | 110 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 310 MW | SOD-323F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-Pzu7.5b, 115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 500 Na @ 4 V | 7,5 v | 10 ohms | |||||||||||
![]() | BZB84-C3V0,215 | 0,0200 | ![]() | 149 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZB84-C3V0,215-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 10 µA A 1 V | 3 v | 95 ohms | ||||||||||
![]() | Tdz5v6j/zl, 135 | 0,0300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | Tdz5v6 | 500 MW | SOD-323F | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-TDZ5V6J/ZL, 135-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 10 µA A 2,5 V | 5,6 v | 40 ohms | ||||||||||||
![]() | BZT52H-C7V5,115 | 0,0200 | ![]() | 24 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZT52H-C7V5,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 1 µA a 5 V | 7,5 v | 10 ohms | ||||||||||||
![]() | NZX22C, 133 | 0,0200 | ![]() | 84 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-NZX22C, 133-954 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 50 Na @ 15,4 V | 22 v | 65 ohms | |||||||||||||
![]() | BZX884-B68.315 | 0,0300 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX884-B68.315-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 47,6 V | 68 v | 240 ohms | |||||||||||
![]() | BZX884-B11,315 | 0,0300 | ![]() | 70 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX884-B11,315-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 8 V | 11 v | 10 ohms | |||||||||||||
![]() | BZX585-C11,115 | - | ![]() | 8989 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX585-C11,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 100 µA a 8 V | 11 v | 10 ohms | |||||||||||||
![]() | BZX79-C22,113 | - | ![]() | 8054 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C22,113-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 700 mV | 22 v | 55 ohms | |||||||||||||
![]() | BZX84-B30,215 | 0,0200 | ![]() | 93 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-B30,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 21 V | 30 v | 80 ohms | |||||||||||||
![]() | BZX79-B4V7,113 | 0,0200 | ![]() | 120 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-B4V7,113-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 3 µA @ 2 V | 4,7 v | 80 ohms | |||||||||||||
![]() | PMEG45U10EPDAZ | 0,2600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Schottky | CFP15 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMEG45U10EPDAZ-954 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 490 mV @ 10 A | 16 ns | 20 mA a 10 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 1170pf @ 1V, 1MHz | |||||||||
![]() | Pzu20b1a, 115 | 0,0300 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PZU20B1A, 115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 15 V | 20 v | 20 ohms | |||||||||||||
![]() | PLVA659A, 215 | 0,0500 | ![]() | 38 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PLVA659 | 250 MW | TO-236AB | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PLVA659A, 215-954 | 6.397 | 900 mV a 10 mA | 1 µA a 5,3 V | 5,9 v | 100 ohms | ||||||||||||
![]() | BZV55-B36,115 | 0,0200 | ![]() | 772 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-B36,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 700 mV | 36 v | 90 ohms | |||||||||||||
![]() | BZV85-C13,113 | 0,0400 | ![]() | 122 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1.3 w | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV85-C13,113-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 200 Na @ 9,1 V | 13 v | 10 ohms | |||||||||||||
![]() | BZB984-C3V6,115 | 0,0400 | ![]() | 133 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | SOT-663 | 265 MW | SOT-663 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZB984-C3V6,115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 v | 85 ohms |
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