SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Razão de Capacitânncia Condição da Razão de Capacitância Q @ vr, f
NZX9V1C,133 NXP Semiconductors NZX9V1C, 133 -
RFQ
ECAD 5504 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW ALF2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-NZX9V1C, 133-954 1 1,5 V @ 200 mA 500 Na @ 6 V 9.1 v 20 ohms
BZX585-C62,115 NXP Semiconductors BZX585-C62,115 0,0300
RFQ
ECAD 96 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 300 MW SOD-523 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX585-C62,115-954 10.764 1,1 V @ 100 Ma 50 Na @ 43,4 V 62 v 215 ohms
BZX585-B43,115 NXP Semiconductors BZX585-B43,115 0,0300
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 300 MW SOD-523 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX585-B43,115-954 1 1,1 V @ 100 Ma 50 Na @ 30,1 V 43 v 150 ohms
NZH10C,115 NXP Semiconductors NZH10C, 115 0,0200
RFQ
ECAD 30 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SOD-123F 500 MW SOD-123F download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-NZH10C, 115-954 1 900 mV a 10 mA 200 Na @ 7 V 10 v 8 ohms
NZX10D,133 NXP Semiconductors NZX10D, 133 0,0200
RFQ
ECAD 110 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW ALF2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-NZX10D, 133-954 1 1,5 V @ 200 mA 200 Na @ 7 V 10 v 25 ohms
BZX585-B51,115 NXP Semiconductors BZX585-B51,115 0,0300
RFQ
ECAD 104 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 300 MW SOD-523 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX585-B51,115-954 9.366 1,1 V @ 100 Ma 50 Na @ 35,7 V 51 v 180 ohms
BB131,115 NXP Semiconductors BB131,115 0,1000
RFQ
ECAD 12 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 SOD-323 download Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-BB131,115 Ear99 8541.10.0070 1 1.055pf @ 28V, 1MHz Solteiro 30 v 16 C0.5/C28 -
BAS16J,115 NXP Semiconductors Bas16J, 115 -
RFQ
ECAD 5125 0,00000000 Semicondutores nxp Automotive, AEC-Q101, BAS16 Volume Ativo Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F Bas16 Padrão SOD-323F download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-Bas16J, 115-954 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V 150 ° C (Máximo) 250mA 1.5pf @ 0V, 1MHz
PZU15B3A,115 NXP Semiconductors Pzu15b3a, 115 -
RFQ
ECAD 5452 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 2% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 320 MW SOD-323 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-PZU15B3A, 115-954 1 1,1 V @ 100 Ma 50 Na @ 11 V 15 v 15 ohms
BZB84-C68,215 NXP Semiconductors BZB84-C68.215 1.0000
RFQ
ECAD 6985 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-C68 300 MW TO-236AB download 0000.00.0000 1 1 par ânodo comum 900 mV a 10 mA 50 Na @ 47,6 V 68 v 240 ohms
BZX79-C2V4,133 NXP Semiconductors BZX79-C2V4,133 0,0200
RFQ
ECAD 339 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 400 MW ALF2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX79-C2V4,133-954 1 900 mV a 10 mA 50 µA @ 1 V 2,4 v 100 ohms
BZV55-B6V8,115 NXP Semiconductors BZV55-B6V8,115 0,0200
RFQ
ECAD 67 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW LLDS; Mínimo download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZV55-B6V8,115-954 1 900 mV a 10 mA 2 µA A 4 V 6,8 v 15 ohms
BZT52H-B3V6,115 NXP Semiconductors BZT52H-B3V6,115 0,0200
RFQ
ECAD 2584 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) Montagem na Superfície SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZT52H-B3V6,115-954 4.000 900 mV a 10 mA 5 µA @ 1 V 3,6 v 95 ohms
BAT54VV,115 NXP Semiconductors BAT54VV, 115 -
RFQ
ECAD 5705 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo BAT54 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BAT54VV, 115-954 1
BZX79-C5V6,143 NXP Semiconductors BZX79-C5V6,143 -
RFQ
ECAD 5295 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX79-C5V6 400 MW ALF2 download 0000.00.0000 1 900 mV a 10 mA 1 µA @ 2 V 5,6 v 40 ohms
BZV85-C62,113 NXP Semiconductors BZV85-C62,113 0,0400
RFQ
ECAD 55 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1.3 w DO-41 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZV85-C62,113-954 1 1 V @ 50 Ma 50 Na @ 43 V 62 v 175 ohms
TDZ3V9J,115 NXP Semiconductors Tdz3v9j, 115 -
RFQ
ECAD 1496 0,00000000 Semicondutores nxp Automotive, AEC-Q101, TDZXJ Volume Ativo ± 2,05% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F 500 MW SC-90 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-TDZ3V9J, 115-954 1 1,1 V @ 100 Ma 3 µA @ 1 V 3,9 v 90 ohms
BZX84-A3V9,215 NXP Semiconductors BZX84-A3V9.215 0,1000
RFQ
ECAD 6867 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX84-A3V9,215-954 1.304 900 mV a 10 mA 3 µA @ 1 V 3,9 v 90 ohms
BZV85-C12,113 NXP Semiconductors BZV85-C12,113 0,0400
RFQ
ECAD 19 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1 w DO-41 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZV85-C12,113-954 1 1 V @ 50 Ma 200 Na @ 8,4 V 12 v 10 ohms
PZU20BA,115 NXP Semiconductors Pzu20ba, 115 0,0200
RFQ
ECAD 48 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 320 MW SOD-323 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-PZU20BA, 115-954 1 1,1 V @ 100 Ma 50 Na @ 15 V 20 v 20 ohms
NZH6V8B,115 NXP Semiconductors NZH6V8B, 115 0,0200
RFQ
ECAD 245 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SOD-123F 500 MW SOD-123F download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-NZH6V8B, 115-954 1 900 mV a 10 mA 2 µA A 3,5 V 6,8 v 8 ohms
1N4737A,133 NXP Semiconductors 1N4737A, 133 -
RFQ
ECAD 5624 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4737 1 w DO-41 download Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 mA 10 µA a 5 V 7,5 v 4 ohms
BZV90-C51,115 NXP Semiconductors BZV90-C51,115 -
RFQ
ECAD 8346 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA 1,5 w SOT-223 download Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 50 Ma 50 Na @ 35,7 V 51 v 180 ohms
BAV102,115 NXP Semiconductors BAV102.115 0,0300
RFQ
ECAD 52 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 Padrão LLDS; Mínimo download Alcançar Não Afetado 2156-BAV102,115-954 11.357 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 1,25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 150 V 175 ° C (max) 250mA 5pf @ 0V, 1MHz
BZV85-C18,113 NXP Semiconductors BZV85-C18,113 0,0400
RFQ
ECAD 23 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1.3 w DO-41 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZV85-C18,113-954 1 1 V @ 50 Ma 50 Na @ 12,5 V 18 v 20 ohms
BZX79-B12143 NXP Semiconductors BZX79-B12143 -
RFQ
ECAD 4369 0,00000000 Semicondutores nxp BZX79 Volume Ativo ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 400 MW ALF2 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-BZX79-B12143-954 1 900 mV a 10 mA 100 Na @ 8 V 12 v 25 ohms
BAV99/8,215 NXP Semiconductors BAV99/8.215 -
RFQ
ECAD 9213 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo Bav99 download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-BAV99/8.215-954 1
BZX79-C36,113 NXP Semiconductors BZX79-C36,113 0,0200
RFQ
ECAD 209 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 400 MW ALF2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX79-C36,113-954 Ear99 8541.10.0070 1 900 mV a 10 mA 50 Na @ 25,2 V 36 v 90 ohms
BAW56W135 NXP Semiconductors BAW56W135 -
RFQ
ECAD 7176 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo BAW56W download 0000.00.0000 1
1PS79SB31,115 NXP Semiconductors 1PS79SB31,115 -
RFQ
ECAD 5059 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 Schottky SOD-523 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-1PS79SB31,115-954 Ear99 8541.10.0070 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 500 mV @ 200 mA 30 µA a 10 V 125 ° C (Máximo) 200Ma 25pf @ 1V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque