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Diodos (545)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX79-C3V6,133 | 0,0200 |  | 620 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C3V6,133-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 v | 90 ohms | |||||||||||||
| BZX79-C15,133 | 0,0200 | | 244 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C15,133-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 10,5 V | 15 v | 30 ohms | |||||||||||||
 | Tdz8v2j, 115 | 0,0300 | | 28 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | TDZ8V2 | 500 MW | SOD-323F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-TDZ8V2J, 115-954 | 10.414 | 1,1 V @ 100 Ma | 700 Na @ 5 V | 8.2 v | 10 ohms | ||||||||||||
 | BZX585-B56,115 | - | | 2618 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | BZX585-B56 | 300 MW | SOD-523 | download | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 39,2 V | 56 v | 200 ohms | ||||||||||||||
 | BAW56W135 | - | | 7176 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | BAW56W | download | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | 1N4728A, 113 | 0,0300 | | 258 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-1N4728A, 113-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| 1N4742A, 113 | - | | 1206 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-1N4742A, 113-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | BZX585-C2V7,135 | 0,0300 | | 29 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX585-C2V7,135-954 | 10.764 | 1,1 V @ 100 Ma | 20 µA @ 1 V | 2,7 v | 100 ohms | |||||||||||||
| BZX79-B75,133 | 0,0200 | | 74 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-B75,133-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 52,5 V | 75 v | 255 ohms | |||||||||||||
| PZU10B3,115 | - | | 5443 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 310 MW | SC-90 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-PZU10B3,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 7 V | 10 v | 10 ohms | |||||||||||||
 | 1N4531133 | - | | 9164 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Através do buraco | DO-204AG, DO-34, axial | Padrão | Do-34 | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 75 v | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 25 Na @ 20 V | 200 ° C (max) | 4pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||
| Tdz3v3j, 115 | 0,0300 | | 10 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | TDZ3V3 | 500 MW | SOD-323F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-TDZ3V3J, 115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 5 µA @ 1 V | 3,3 v | 95 ohms | ||||||||||
 | BZX84-C3V6,215 | 0,0200 | | 554 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-C3V6,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 v | 90 ohms | |||||||||||||
| BLC6G27LS-100,118 | 563.3800 | | 100 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-BLC6G27LS-100,118-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | BZX884-B5V1.315 | 0,0300 | | 81 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX884-B5V1,315-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mV a 10 mA | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60 ohms | |||||||||||
| BZX585-C62,115 | 0,0300 | | 96 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX585-C62,115-954 | 10.764 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 43,4 V | 62 v | 215 ohms | |||||||||||||
 | BZV55-C24.135 | 0,0200 | | 220 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-C24,135-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 700 mV | 24 v | 70 ohms | |||||||||||||
| 1N4749A, 133 | 0,0400 | | 57 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-1N4749A, 133-954 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 18,2 V | 24 v | 25 ohms | |||||||||||||
| BZX84-C7V5.215 | 0,0200 | | 353 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-C7V5.215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 1 µA a 5 V | 7,5 v | 15 ohms | |||||||||||||
| Pzu22b2,115 | 0,0300 | | 32 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 310 MW | SOD-323F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PZU22B2,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 17 V | 22 v | 25 ohms | |||||||||||||
 | BZB84-C2V7,215 | - | | 4810 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-C2V7 | 300 MW | TO-236AB | download | 0000.00.0000 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 20 µA @ 1 V | 2,7 v | 100 ohms | |||||||||||||
 | BZT52H-B22,115 | - | | 7615 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZT52H-B22,115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 15,4 V | 22 v | 25 ohms | ||||||||||
| PNS40010er, 115 | - | | 6908 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | Padrão | SOD-123W | - | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-PNS40010er, 115-954 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 1 µA A 400 V | 175 ° C (max) | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
| BZV85-C62,113 | 0,0400 | | 55 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1.3 w | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV85-C62,113-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 Na @ 43 V | 62 v | 175 ohms | |||||||||||||
| BZT52H-C68,115 | 0,0200 | | 181 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZT52H-C68,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 47,6 V | 68 v | 160 ohms | ||||||||||||
| Pzu9.1bl, 315 | 0,0300 | | 92 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PZU9.1BL, 315-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 500 Na @ 6 V | 9.1 v | 10 ohms | |||||||||||||
| BZV55-B10,115 | 0,0200 | | 351 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-B10,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 200 Na @ 7 V | 10 v | 20 ohms | |||||||||||||
| Bas35.215 | 0,0400 | | 60 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BAS35.215-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||
| PMEG4005EGWJ | - | | 1938 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | Schottky | SOD-123 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMEG4005EGWJ-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 470 mV @ 500 mA | 100 µA A 40 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | 43pf @ 1V, 1MHz | ||||||||||
 | BZV55-B4V7,115 | - | | 9228 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV a 10 mA | 3 µA @ 2 V | 4,7 v | 80 ohms |
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