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Diodos (545)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4728A, 113 | 0,0300 |  | 258 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-1N4728A, 113-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C3V3,133 | 0,0200 | | 170 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C3V3,133-954 | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV a 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,3 v | 95 ohms | |||||||||||
 | BZV55-B75,115 | - | | 5152 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-B75,115-954 | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 52,5 V | 75 v | 255 ohms | |||||||||||
 | BLC6G27LS-100,118 | 563.3800 | | 100 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-BLC6G27LS-100,118-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| BZV55-C6V8,115 | 0,0200 | | 287 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-C6V8,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 2 µA A 4 V | 6,8 v | 15 ohms | ||||||||||||
 | Bas35.215 | 0,0400 | | 60 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BAS35.215-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | Pdz3.6b, 115 | 0,0200 | | 24 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | 400 MW | SOD-323 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PDZ3.6b, 115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 5 µA @ 1 V | 3,6 v | 90 ohms | ||||||||||
 | BZX585-C20,115 | 1.0000 | | 8197 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX585-C20,115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 14 V | 20 v | 55 ohms | ||||||||||
| BAP70-02/AX | 0,2300 | | 66 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | - | Fornecedor indefinido | ALCANCE AFETADO | 2156-BAP70-02/AX-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| BZX79-C9V1,133 | 0,0200 | | 290 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C9V1,133-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 500 Na @ 6 V | 9.1 v | 15 ohms | ||||||||||||
| BZV55-C16,115 | 0,0200 | | 75 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-C16,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 11,2 V | 16 v | 40 ohms | |||||||||||||
| BZX84-B24.215 | 0,0200 | | 255 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-B24.215-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 16,8 V | 24 v | 70 ohms | ||||||||||
| BZV55-C15,115 | 1.0000 | | 1636 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-C15,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 10,5 V | 15 v | 30 ohms | ||||||||||||
 | Bas40-07.215 | 0,0300 | | 178 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | Bas40 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BAS40-07.215-954 | 1 | |||||||||||||||||||||
| BZX84-C3V0,215 | 0,0200 | | 177 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-C3V0,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 10 µA A 1 V | 3 v | 95 ohms | ||||||||||||
| 1N4744A, 133 | 0,0400 | | 25 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-1N4744A, 133-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 11,4 V | 15 v | 14 ohms | ||||||||||
| BZX84-C18.235 | 0,0200 | | 124 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-C18,235-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 12,6 V | 18 v | 45 ohms | ||||||||||||
| BZV85-C75,113 | 0,0300 | | 103 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1.3 w | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV85-C75,113-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 Na @ 53 V | 75 v | 225 ohms | ||||||||||
 | BZB984-C3V3,115 | 0,0400 | | 5822 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | SOT-663 | 265 MW | SOT-663 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZB984-C3V3,115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,3 v | 85 ohms | |||||||||
| BZX585-B3V0,115 | - | | 1500 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX585-B3V0,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 10 µA A 1 V | 3 v | 95 ohms | ||||||||||||
| BZV55-C39,115 | 0,0200 | | 837 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-C39,115-954 | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 27,3 V | 39 v | 130 ohms | |||||||||||
| 1N4742A, 113 | - | | 1206 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-1N4742A, 113-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| PZU24B1,115 | 0,0300 | | 59 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 310 MW | SOD-323F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PZU24B1,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 19 V | 24 v | 30 ohms | ||||||||||||
| PZU20B2.115 | 0,0300 | | 32 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 310 MW | SOD-323F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PZU20B2,115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 15 V | 20 v | 20 ohms | ||||||||||
| BZX84-A20.215 | 0,1000 | | 127 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-A20.215-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 14 V | 20 v | 55 ohms | ||||||||||
| BZX79-C4V7,113 | 0,0200 | | 262 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C4V7,113-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| Tdz8v2j, 115 | 0,0300 | | 28 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | TDZ8V2 | 500 MW | SOD-323F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-TDZ8V2J, 115-954 | 10.414 | 1,1 V @ 100 Ma | 700 Na @ 5 V | 8.2 v | 10 ohms | |||||||||||
 | PMEG045V050EPDAZ | 0,1600 | | 895 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Schottky | CFP15 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMEG045V050EPDAZ-954 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 490 mV @ 5 A | 12 ns | 300 µA @ 45 V | 175 ° C (max) | 5a | 580pf @ 1V, 1MHz | ||||||||
| PMEG4005EGWJ | - | | 1938 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | Schottky | SOD-123 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMEG4005EGWJ-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 470 mV @ 500 mA | 100 µA A 40 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | 43pf @ 1V, 1MHz | |||||||||
 | 1PS66SB17,115 | 1.0000 | | 1033 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | 1PS66 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-1PS66SB17,115-954 | 1 |
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