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Diodos (545)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMBZ5263BLT1G | - |  | 9111 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 225 MW | SOT-23-3 (TO-236) | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-MMBZ5263BLT1G-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 43 V | 56 v | 150 ohms | |||||||||||||||
 | BZX79-B20.143 | 0,0200 | | 215 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-B20.143-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 14 V | 20 v | 55 ohms | |||||||||||||||
 | BZX585-B3V6,115 | 0,0300 | | 162 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX585-B3V6,115-954 | 9.366 | 1,1 V @ 100 Ma | 5 µA @ 1 V | 3,6 v | 90 ohms | |||||||||||||||
| BZB784-C5V6,115 | - | | 5706 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | 350 MW | SOT-323 | download | 0000.00.0000 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 1 µA @ 2 V | 5,6 v | 40 ohms | ||||||||||||||||
 | BZV55-B3V6,115 | 0,0200 | | 218 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-B3V6,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 v | 90 ohms | |||||||||||||||
| BZV55-C6V8,135 | 0,0200 | | 50 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-C6V8,135-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 2 µA A 4 V | 6,8 v | 15 ohms | |||||||||||||||
| BZV55-B3V3,115 | 0,0200 | | 191 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-B3V3,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,3 v | 95 ohms | |||||||||||||||
 | PMEG20101SX | 0,0900 | | 27 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 3-AUDFN PAD EXPOSTO | Schottky | DFN2020D-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMEG2010PASX-954 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.699 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 375 mV @ 1 a | 50 ns | 335 µA a 20 V | 150 ° C (Máximo) | 1a | 175pf @ 1V, 1MHz | |||||||||||
 | BZV85-C5V6,113 | 0,0400 | | 568 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV85-C5V6,113-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 2 µA @ 2 V | 5,6 v | 7 ohms | |||||||||||||||
 | BZX84-A30,215 | - | | 3818 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | download | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 700 mV | 30 v | 80 ohms | |||||||||||||||||
 | BZX884-B27315 | 0,0300 | | 479 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu24b2l, 315 | 0,0300 | | 30 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PZU24B2L, 315-954 | 10.764 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 19 V | 24 v | 30 ohms | |||||||||||||||
| BZX84-B20.215 | - | | 1267 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | BZX84 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZX84-B20.215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 14 V | 20 v | 55 ohms | |||||||||||||||
| Pzu3.3b2l, 315 | 0,0300 | | 148 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PZU3.3B2L, 315-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.764 | 1,1 V @ 100 Ma | 5 µA @ 1 V | 3,3 v | 95 ohms | |||||||||||||
 | BZX84-C6V8.235 | 0,0200 | | 25 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-C6V8,235-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 2 µA A 4 V | 6,8 v | 15 ohms | |||||||||||||||
 | BZX79-C75143 | 0,0200 | | 185 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| BZV85-C20,113 | 0,0300 | | 113 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1.3 w | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV85-C20,113-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 Na @ 14 V | 20 v | 24 ohms | |||||||||||||||
 | PMEG045T150EPDAZ | 0,3600 | | 92 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Schottky | CFP15 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMEG045T150EPDAZ-954 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 550 mV @ 15 A | 20 ns | 100 µA A 45 V | 175 ° C (max) | 15a | 800pf @ 10V, 1MHz | |||||||||||
 | BZT52H-C4V3,115 | 0,0200 | | 102 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZT52H-C4V3,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 95 ohms | ||||||||||||||
 | BZV90-C3V0,115 | 0,1500 | | 2 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | 1,5 w | SOT-223 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV90-C3V0,115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 10 µA A 1 V | 3 v | 95 ohms | |||||||||||||
| BZX884-C10,315 | 0,0300 | | 3 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX884-C10,315-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 200 Na @ 7 V | 10 v | 10 ohms | |||||||||||||||
 | PMEG4002esfyl | 0,0300 | | 1 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 0201 (0603 Mética) | Schottky | DSN0603-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMEG4002esfyl-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 40 v | 600 mV a 200 mA | 1,28 ns | 6,5 µA A 40 V | 150 ° C (Máximo) | 200Ma | 17pf @ 1V, 1MHz | |||||||||||
| BZX79-B20.113 | 0,0200 | | 70 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-B20,113-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 14 V | 20 v | 55 ohms | |||||||||||||||
| BZV55-B68,115 | 0,0200 | | 19 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-B68,115-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 47,6 V | 68 v | 240 ohms | |||||||||||||
| BZV55-C75,115 | 0,0200 | | 55 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-C75,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 52,5 V | 75 v | 255 ohms | |||||||||||||||
| PMEG100T20ELPX | - | | 3587 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | Schottky | SOD-128/CFP5 | - | 2156-PMEG100T20ELPX | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 800 mv @ 2 a | 12 ns | 1,25 µA A 100 V | 175 ° C. | 2a | 200pf @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||
| BZX84-C33,215 | 0,0200 | | 295 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-C33,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 23,1 V | 33 v | 80 ohms | |||||||||||||||
| BZV49-C39,115 | - | | 7119 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | BZV49 | Volume | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-243AA | 1 w | SOT-89 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZV49-C39,115-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 Na @ 27,3 V | 39 v | 130 ohms | |||||||||||||||
 | TDZ22J, 115 | 0,0300 | | 42 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | TDZ22 | 500 MW | SOD-323F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-TDZ22J, 115-954 | 10.414 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 15,4 V | 22 v | 25 ohms | ||||||||||||||
 | Bas28.215 | 0,0300 | | 799 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-253-4, TO-253AA | Bas28 | Padrão | SOT-143B | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BAS28.215-954 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 75 v | 215mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA A 75 V | 150 ° C (Máximo) |
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