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Diodos (545)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZB84-B4V3215 | - |  | 4379 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | TO-236AB | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZB84-B4V3215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90 ohms | |||||||||||||
| MMBZ5263BLT1G | - | | 9111 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 225 MW | SOT-23-3 (TO-236) | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-MMBZ5263BLT1G-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 43 V | 56 v | 150 ohms | |||||||||||||
| BZT52-C33X | - | | 9569 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Volume | Ativo | ± 6,06% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | 350 MW | SOD-123 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZT52-C33X-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 23,1 V | 33 v | 40 ohms | |||||||||||||
| BZT52H-B36,115 | - | | 4246 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | BZT52H | Volume | Ativo | ± 1,94% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123F | 375 MW | SOD-123F | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZT52H-B36,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 25,2 V | 36 v | 60 ohms | |||||||||||||
| BAV20.143 | - | | 6288 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Padrão | ALF2 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BAV20,143-954 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 150 V | 175 ° C (max) | 250mA | 5pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||
| BZX84J-C11,115 | - | | 3413 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SC-90 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZX84J-C11,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 8 V | 11 v | 10 ohms | |||||||||||||
| PZU18B1,115 | - | | 5728 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 310 MW | SC-90 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-PZU18B1,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 13 V | 18 v | 20 ohms | |||||||||||||
| BZT52H-C47,115 | - | | 8661 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | BZT52H | Volume | Ativo | ± 6,38% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123F | 375 MW | SOD-123F | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZT52H-C47,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 32,9 V | 47 v | 90 ohms | |||||||||||||
| Pdz27bgwx | - | | 4669 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101, PDZ-GW | Volume | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | 365 MW | SOD-123 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-PDZ27BGWX-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 21 V | 27 v | 40 ohms | |||||||||||||
| BZX79-B20133 | - | | 6562 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | BZX79 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZX79-B20133-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 14 V | 20 v | 55 ohms | |||||||||||||
| BZX84-B20.215 | - | | 1267 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | BZX84 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZX84-B20.215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 14 V | 20 v | 55 ohms | |||||||||||||
 | BZT52H-C3V6,115 | - | | 5971 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZT52H-C3V6,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 v | 95 ohms | ||||||||||||
| BZB84-C5V1.215 | - | | 6129 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | TO-236AB | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZB84-C5V1,215-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 5.1 v | 60 ohms | |||||||||||
| PMEG2010AEJ, 115 | - | | 3718 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | Schottky | SOD-323F | - | 2156-PMEG2010AEJ, 115 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 550 mV @ 1 a | 70 µA A 20 V | 150 ° C. | 1a | 40pf @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||
 | BZX79-B20.113 | 0,0200 | | 70 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-B20,113-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 14 V | 20 v | 55 ohms | |||||||||||||
| BZX79-C62,113 | 0,0200 | | 429 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C62,113-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 43,4 V | 62 v | 215 ohms | |||||||||||||
| BZV85-C43,133 | - | | 7382 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1.3 w | DO-41 | download | 0000.00.0000 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 Na @ 30 V | 43 v | 75 ohms | |||||||||||||||
 | Pzu7.5b2l, 315 | 0,0300 | | 117 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PZU7.5B2L, 315-954 | 10.764 | 1,1 V @ 100 Ma | 500 Na @ 4 V | 7,5 v | 10 ohms | |||||||||||||
| BZX79-C10,113 | 0,0200 | | 345 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C10,113-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 200 Na @ 7 V | 10 v | 20 ohms | |||||||||||||
 | Pzu3.9b2a, 115 | 0,0200 | | 76 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PZU3.9B2A, 115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 1 V | 3,9 v | 90 ohms | |||||||||||||
| NZH9V1B, 115 | 0,0200 | | 198 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123F | 500 MW | SOD-123F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-NZH9V1B, 115-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mV a 10 mA | 500 Na @ 6 V | 9.1 v | 8 ohms | |||||||||||
 | BZV55-B3V6,115 | 0,0200 | | 218 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-B3V6,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 v | 90 ohms | |||||||||||||
| BZV55-C6V8,135 | 0,0200 | | 50 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-C6V8,135-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 2 µA A 4 V | 6,8 v | 15 ohms | |||||||||||||
 | BZV85-C4V7,133 | 0,0300 | | 62 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1.3 w | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV85-C4V7,133-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 3 µA @ 1 V | 4,7 v | 13 ohms | |||||||||||||
| BZV85-C36,113 | 0,0300 | | 152 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1.3 w | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV85-C36,113-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 Na @ 25 V | 36 v | 50 ohms | |||||||||||||
 | BZX84-B13,215 | 0,0200 | | 248 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-B13,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 8 V | 13 v | 30 ohms | |||||||||||||
| TDZ22J, 115 | 0,0300 | | 42 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | TDZ22 | 500 MW | SOD-323F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-TDZ22J, 115-954 | 10.414 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 15,4 V | 22 v | 25 ohms | ||||||||||||
| BZT52H-C2V4,115 | 0,0200 | | 147 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZT52H-C2V4,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 µA @ 1 V | 2,4 v | 85 ohms | ||||||||||||
| BZV55-C11,115 | 0,0200 | | 284 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-C11,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20 ohms | |||||||||||||
 | RB521S30,115 | - | | 6894 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | Schottky | SOD-523 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-RB521S30,115-954 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 500 mV @ 200 mA | 30 µA a 10 V | 150 ° C (Máximo) | 200Ma | 25pf @ 1V, 1MHz |
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