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Diodos (545)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Razão de Capacitânncia | Condição da Razão de Capacitância | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX79-C56.143 | 0,0200 |  | 367 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C56,143-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 39,2 V | 56 v | 200 ohms | ||||||||||||||||||||
 | BZV55-B33,115 | 0,0200 | | 207 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-B33,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 23,1 V | 33 v | 80 ohms | ||||||||||||||||||||
 | PMEG4005EGW, 118 | 1.0000 | | 2203 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C47.215 | - | | 6984 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | BZX84 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZX84-C47,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 32,9 V | 47 v | 170 ohms | ||||||||||||||||||||
 | BZT52H-B4V3,115 | 0,0200 | | 73 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZT52H-B4V3,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 95 ohms | |||||||||||||||||||
| BZB784-C15,115 | - | | 6350 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | BZB784 | Volume | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | 180 MW | SC-70 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZB784-C15,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 10,5 V | 15 v | 30 ohms | ||||||||||||||||||||
 | BYR29X-600,127 | 0,5100 | | 5 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Padrão | TO-220F | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 8 a | 75 ns | 10 µA A 600 V | 150 ° C (Máximo) | 8a | - | |||||||||||||||||||
| BZV55-C6V2,115 | 0,0200 | | 93 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-C6V2,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 3 µA A 4 V | 6.2 v | 10 ohms | ||||||||||||||||||||
| BZB84-B9V1.215 | - | | 6918 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | TO-236AB | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZB84-B9V1,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 500 Na @ 6 V | 9.1 v | 15 ohms | ||||||||||||||||||||
| BAV70SRAZ | - | | 1579 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 6-XFDFN PAD EXPOSTO | Padrão | DFN1412-6 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BAV70SRAZ-954 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 par cátodo comum | 100 v | 355mA | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 Na @ 80 V | 150 ° C. | ||||||||||||||||||
| PZU18B1,115 | - | | 5728 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 310 MW | SC-90 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-PZU18B1,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 13 V | 18 v | 20 ohms | ||||||||||||||||||||
 | BZX79-B36,143 | 0,0200 | | 123 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 25,2 V | 36 v | 90 ohms | |||||||||||||||||||||
| NZX10C, 133 | - | | 2866 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | NZX | Volume | Ativo | ± 2% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-NZX10C, 133-954 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 200 Na @ 7 V | 10 v | 25 ohms | ||||||||||||||||||||
 | BZX84-C75.215 | 0,0200 | | 209 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-C75,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 52,5 V | 75 v | 255 ohms | ||||||||||||||||||||
 | BZV85-C6V8,133 | 0,0300 | | 5093 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1.3 w | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV85-C6V8,133-954 | 3.375 | 1 V @ 50 Ma | 2 µA A 4 V | 6,8 v | 3,5 ohms | ||||||||||||||||||||
| BZV55-C4V7,135 | 0,0200 | | 18 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-C4V7,135-954 | 18.104 | 900 mV a 10 mA | 3 µA @ 2 V | 4,7 v | 80 ohms | ||||||||||||||||||||
 | BZX585-B62,115 | 0,0300 | | 95 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX585-B62,115-954 | 9.366 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 43,4 V | 62 v | 215 ohms | ||||||||||||||||||||
| 1N4738A, 133 | 0,0400 | | 132 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-1N4738A, 133-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu24ba, 115 | 0,0300 | | 124 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PZU24BA, 115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 19 V | 24 v | 30 ohms | ||||||||||||||||||||
| BZV55-C10,135 | 0,0200 | | 130 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-C10,135-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 200 Na @ 7 V | 10 v | 20 ohms | |||||||||||||||||||||
| BZX79-C56,113 | 0,0200 | | 400 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C56,113-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 39,2 V | 56 v | 200 ohms | ||||||||||||||||||||
| Pdz3.9bgw, 115 | 1.0000 | | 4316 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BB156,135 | - | | 1505 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | SOD-323 | - | 2156-BB156,135 | 1 | 5.4pf @ 7.5V, 1MHz | Solteiro | 10 v | 3.9 | C1/C7.5 | - | ||||||||||||||||||||||
| BZV55-C9V1,115 | - | | 8169 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | BZV55 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 400 MW | LLDS; Mínimo | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZV55-C9V1,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 500 Na @ 6 V | 9.05 v | 15 ohms | ||||||||||||||||||||
 | BZB84-C51.215 | 1.0000 | | 2995 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | download | 0000.00.0000 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 35,7 V | 51 v | 180 ohms | |||||||||||||||||||||
| BZT52H-B16,115 | - | | 2958 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montagem na Superfície | SOD-123F | 375 MW | SOD-123F | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZT52H-B16,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 11,2 V | 16 v | 20 ohms | ||||||||||||||||||||
| BZB84-B4V3215 | - | | 4379 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | TO-236AB | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZB84-B4V3215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90 ohms | ||||||||||||||||||||
| BZV85-C36,113 | 0,0300 | | 152 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1.3 w | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV85-C36,113-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 Na @ 25 V | 36 v | 50 ohms | ||||||||||||||||||||
| Tdz5v6j, 115 | 0,0300 | | 63 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | Tdz5v6 | 500 MW | SOD-323F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-TDZ5V6J, 115-954 | 10.414 | 1,1 V @ 100 Ma | 10 µA A 2,5 V | 5,6 v | 40 ohms | |||||||||||||||||||
 | BZB784-C13,115 | 0,0300 | | 69 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | 180 MW | SOT-323 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZB784-C13,115-954 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 8 V | 13 v | 30 ohms |
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