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Diodos (545)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZV85-C3V6,113 | 0,0300 |  | 15 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1.3 w | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV85-C3V6,113-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 µA @ 1 V | 3,6 v | 15 ohms | |||||||||||||
 | Bas16W, 115 | 0,0200 | | 836 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotive, AEC-Q101, BAS16 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | Bas16 | Padrão | SOT-323 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BAS16W, 115-954 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 Na @ 80 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 175mA | 1.5pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||
 | BZX585-B75,115 | - | | 1700 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | BZX585-B75 | 300 MW | SOD-523 | download | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 52,5 V | 75 v | 255 ohms | ||||||||||||||
 | BZX585-C5V1,115 | - | | 7528 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60 ohms | |||||||||||
 | PMEG1020EJ, 115 | - | | 8548 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | Schottky | SOD-323F | download | Alcançar Não Afetado | 2156-PMEG1020EJ, 115-954 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 10 v | 460 mV @ 2 a | 3 mA a 10 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | 50pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||
 | Nzx6v2a, 133 | 0,0200 | | 218 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-NZX6V2A, 133-954 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 3 µA A 4 V | 6.2 v | 15 ohms | |||||||||||||
| BZX79-B5V1,133 | 0,0200 | | 139 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-B5V1,133-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60 ohms | |||||||||||||
| BZX84J-B62,115 | 0,0300 | | 59 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SOD-323F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84J-B62,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 43,4 V | 62 v | 140 ohms | |||||||||||||
| BZX79-C3V9,113 | 0,0200 | | 239 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C3V9,113-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 3 µA @ 1 V | 3,9 v | 90 ohms | |||||||||||||
 | BZV90-C8V2,115 | - | | 2861 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | BZV90 | Volume | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | 1,5 w | SC-73 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZV90-C8V2,115-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 700 Na @ 5 V | 8.2 v | 15 ohms | |||||||||||||
 | BZB84-C75.215 | 0,0200 | | 510 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZB84-C75,215-954 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 52,5 V | 75 v | 255 ohms | ||||||||||||
| BZX79-B5V1,113 | 0,0200 | | 140 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-B5V1,113-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60 ohms | |||||||||||||
| BZX84-B75.215 | 0,0200 | | 158 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-B75,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 52,5 V | 75 v | 255 ohms | |||||||||||||
| BZB784-C3V3,115 | 0,0300 | | 233 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | 180 MW | SOT-323 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZB784-C3V3,115-954 | 0000.00.0000 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,3 v | 95 ohms | |||||||||||
| BZX79-B12,113 | 0,0200 | | 100 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-B12,113-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 8 V | 12 v | 25 ohms | |||||||||||||
 | BZV55-C3V3,115 | - | | 4298 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-C3V3,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,3 v | 95 ohms | |||||||||||||
 | NZH3V3A, 115 | 0,0200 | | 52 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 3% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123F | 500 MW | SOD-123F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-NZH3V3A, 115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 20 µA @ 1 V | 3,3 v | 70 ohms | |||||||||||||
 | BZV55-B5V1,135 | - | | 7200 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV a 10 mA | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60 ohms | |||||||||||||||
 | BZV85-C3V9.133 | - | | 4895 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | BZV85-C3V9 | 1.3 w | DO-41 | download | 0000.00.0000 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 10 µA A 1 V | 3,9 v | 15 ohms | ||||||||||||||
| BZX884-B2V7,315 | - | | 6297 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZX884-B2V7,315-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 20 µA @ 1 V | 2,7 v | 100 ohms | |||||||||||||
 | BZX884-B30,315 | 0,0300 | | 28 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX884-B30,315-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 21 V | 30 v | 80 ohms | |||||||||||
| BZX79-C3V3,143 | 0,0200 | | 290 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C3V3,143-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,3 v | 95 ohms | |||||||||||||
 | BZX79-B62.133 | - | | 1934 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX79-B62 | 400 MW | ALF2 | download | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 43,4 V | 62 v | 215 ohms | ||||||||||||||
| BZX79-C47,113 | 0,0200 | | 327 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C47,113-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 700 mV | 47 v | 170 ohms | |||||||||||||
| BZX79-B15,133 | - | | 2880 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | BZX79 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZX79-B15,133-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 10,5 V | 15 v | 30 ohms | |||||||||||||
| BZX79-B3V6,133 | 0,0200 | | 88 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-B3V6,133-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 v | 90 ohms | |||||||||||||
| Bas40-05W, 115 | 0,0300 | | 294 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | Bas40 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BAS40-05W, 115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | BZV49-C3V0,115 | 0,1700 | | 5 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-243AA | 1 w | SOT-89 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV49-C3V0,115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 10 µA A 1 V | 3 v | 95 ohms | |||||||||||
| BZT52H-C62,115 | 0,0200 | | 165 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZT52H-C62,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 43,4 V | 62 v | 140 ohms | ||||||||||||
| BZX79-B2V7,143 | 0,0200 | | 80 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-B2V7,143-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 20 µA @ 1 V | 2,7 v | 100 ohms |
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