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Diodos (545)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Razão de Capacitânncia | Condição da Razão de Capacitância | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZB784-C11115 | - |  | 3443 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q100 | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | 180 MW | SOT-323 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20 ohms | ||||||||||||||||||||
 | BZV85-C3V9.133 | - | | 4895 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | BZV85-C3V9 | 1.3 w | DO-41 | download | 0000.00.0000 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 10 µA A 1 V | 3,9 v | 15 ohms | |||||||||||||||||||||
| BZV85-C36,133 | - | | 3634 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | BZV85-C36 | 1.3 w | DO-41 | download | 0000.00.0000 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 Na @ 25 V | 36 v | 50 ohms | |||||||||||||||||||||
 | PDZ33BGWX | - | | 8602 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101, PDZ-GW | Volume | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | 365 MW | SOD-123 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-PDZ33BGWX-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 25 V | 33 v | 40 ohms | ||||||||||||||||||||
 | Bas16W, 115 | 0,0200 | | 836 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotive, AEC-Q101, BAS16 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | Bas16 | Padrão | SOT-323 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BAS16W, 115-954 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 Na @ 80 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 175mA | 1.5pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||
 | Pzu6.2bl, 315 | - | | 3706 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-882 | Pzu6.2 | 250 MW | DFN1006-2 | download | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 500 Na @ 3 V | 6.2 v | 30 ohms | |||||||||||||||||||||
 | BZX585-B75,115 | - | | 1700 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | BZX585-B75 | 300 MW | SOD-523 | download | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 52,5 V | 75 v | 255 ohms | |||||||||||||||||||||
| Bas70-04W, 115 | - | | 9472 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | Schottky | SC-70 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BAS70-04W, 115-954 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 70 v | 70mA | 1 V @ 15 mA | 10 µA A 70 V | 150 ° C. | |||||||||||||||||||
| BB181,135 | - | | 7708 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | SOD-523 | - | 2156-BB181,135 | 1 | 1.055pf @ 28V, 1MHz | Solteiro | 30 v | 14 | C0.5/C28 | - | ||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-B62,115 | 0,0300 | | 59 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SOD-323F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84J-B62,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 43,4 V | 62 v | 140 ohms | ||||||||||||||||||||
 | BZV55-C30,135 | 0,0200 | | 56 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-C30,135-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 21 V | 30 v | 80 ohms | ||||||||||||||||||||
 | BZV85-C10,133 | 0,0400 | | 98 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1.3 w | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV85-C10,133-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 200 Na @ 7 V | 10 v | 8 ohms | ||||||||||||||||||||
 | BZX84J-B56,115 | - | | 8649 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SOD-323F | download | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 39,2 V | 56 v | 120 ohms | ||||||||||||||||||||||
| Pzu7.5b, 115 | 0,0300 | | 110 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 310 MW | SOD-323F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-Pzu7.5b, 115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 500 Na @ 4 V | 7,5 v | 10 ohms | ||||||||||||||||||
| BB208-02,135 | - | | 2082 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | SOD-523 | - | 2156-BB208-02.135 | 1 | 5.4pf @ 7.5V, 1MHz | Solteiro | 10 v | 5.2 | C1/C7.5 | - | ||||||||||||||||||||||
 | BZB84-B33.215 | - | | 7720 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | - | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-B33 | 300 MW | TO-236AB | download | 0000.00.0000 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 23,1 V | 33 v | 80 ohms | ||||||||||||||||||||
 | BZX585-C11,115 | - | | 8989 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX585-C11,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 100 µA a 8 V | 11 v | 10 ohms | ||||||||||||||||||||
 | BZX884-C2V4,315 | - | | 7068 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX884-C2V4,315-954 | 3.200 | 900 mV a 10 mA | 50 µA @ 1 V | 2,4 v | 100 ohms | ||||||||||||||||||||
 | BZX79-B56,113 | 0,0200 | | 24 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-B56,113-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 39,2 V | 56 v | 200 ohms | ||||||||||||||||||||
 | PMEG4020EP, 115 | 0,0900 | | 21 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | Schottky | SOD-128/CFP5 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMEG4020EP, 115-954 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 490 mV @ 2 a | 100 µA A 40 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | 95pf @ 10V, 1MHz | |||||||||||||||||
 | PMEG45U10EPDAZ | 0,2600 | | 1 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Schottky | CFP15 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMEG45U10EPDAZ-954 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 490 mV @ 10 A | 16 ns | 20 mA a 10 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 1170pf @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||
| BZV55-C33,115 | 0,0200 | | 304 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-C33,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 23,1 V | 33 v | 80 ohms | ||||||||||||||||||||
| BZV55-C18,115 | 0,0200 | | 25 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-C18,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 12,6 V | 18 v | 45 ohms | ||||||||||||||||||||
 | BZX84-B3V3,215 | 1.0000 | | 1891 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-B3V3,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,3 v | 95 ohms | ||||||||||||||||||||
 | Nzx7v5d, 133 | - | | 5910 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | NZX7V5 | 500 MW | ALF2 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA a 5 V | 7,5 v | 15 ohms | ||||||||||||||||||||
| NZX5V6D, 133 | - | | 7082 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA @ 2 V | 5,6 v | 40 ohms | |||||||||||||||||||||
| BZX84-A43.215 | 0,1100 | | 95 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-A43,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 30,1 V | 43 v | 150 ohms | ||||||||||||||||||||
| BZX884-B10315 | - | | 6947 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX884-B30,315 | 0,0300 | | 28 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX884-B30,315-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 21 V | 30 v | 80 ohms | ||||||||||||||||||
 | BYV32E-2000.127 | - | | 7891 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | BYV32 | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-byv32e-200.127-954 | Ear99 | 8541.10.0080 | 381 |
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