SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
1PS88SB82,115 NXP Semiconductors 1PS88SB82.115 -
RFQ
ECAD 9512 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Obsoleto Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Schottky 6-TSSOP - 2156-1PS88SB82,115 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 15 v 700 mV a 30 mA 200 Na @ 1 V -65 ° C ~ 125 ° C.
BZB84-C6V2,215 NXP Semiconductors BZB84-C6V2.215 0,0200
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW TO-236AB download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZB84-C6V2,215-954 Ear99 8541.10.0050 1 1 par ânodo comum 900 mV a 10 mA 3 µA A 4 V 6.2 v 10 ohms
BZX384-C11,115 NXP Semiconductors BZX384-C11,115 -
RFQ
ECAD 7400 0,00000000 Semicondutores nxp BZX384 Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 300 MW SOD-323 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-BZX384-C11,115-954 1 1,1 V @ 100 Ma 100 Na @ 8 V 11 v 20 ohms
BZX84-C2V4,215 NXP Semiconductors BZX84-C2V4,215 0,0200
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX84-C2V4,215-954 1 900 mV a 10 mA 50 µA @ 1 V 2,4 v 100 ohms
BZX79-C16,113 NXP Semiconductors BZX79-C16,113 0,0200
RFQ
ECAD 240 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 400 MW ALF2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX79-C16,113-954 1 900 mV a 10 mA 50 Na @ 700 mV 16 v 40 ohms
BZX79-C22,143 NXP Semiconductors BZX79-C22.143 0,0200
RFQ
ECAD 75 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 400 MW ALF2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX79-C22,143-954 Ear99 8541.10.0070 1 900 mV a 10 mA 50 Na @ 700 mV 22 v 55 ohms
PZU6.8B2L,315 NXP Semiconductors Pzu6.8b2l, 315 -
RFQ
ECAD 5372 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SOD-882 Pzu6.8 250 MW DFN1006-2 download 0000.00.0000 1 1,1 V @ 100 Ma 500 Na @ 3,5 V 6,8 v 20 ohms
BZT52H-C4V7,115 NXP Semiconductors BZT52H-C4V7,115 0,0200
RFQ
ECAD 179 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) Montagem na Superfície SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZT52H-C4V7,115-954 1 900 mV a 10 mA 3 µA @ 2 V 4,7 v 78 ohms
BZV85-C3V6,133 NXP Semiconductors BZV85-C3V6,133 0,0300
RFQ
ECAD 30 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1.3 w DO-41 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZV85-C3V6,133-954 1 1 V @ 50 Ma 50 µA @ 1 V 3,6 v 15 ohms
PMEG6010ESBC,315 NXP Semiconductors PMEG6010ESBC, 315 0,0300
RFQ
ECAD 30 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo PMEG6010 download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-PMEG6010SBC, 315-954 1
BYV29F-600,127 NXP Semiconductors BYV29F-600,127 0,3700
RFQ
ECAD 51 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo Através do buraco To-220-2 Padrão TO-220AC download Ear99 8541.10.0080 802 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,9 V @ 8 A 35 ns 50 µA A 600 V 150 ° C (Máximo) 9a -
PMEG3005AESF,315 NXP Semiconductors PMEG3005AESF, 315 -
RFQ
ECAD 9404 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo PMEG3005 download Ear99 8541.10.0070 1
BZX84J-C13,115 NXP Semiconductors BZX84J-C13,115 -
RFQ
ECAD 5511 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 5% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F 550 MW SC-90 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-BZX84J-C13,115-954 1 1,1 V @ 100 Ma 100 Na @ 8 V 13 v 10 ohms
PZU5.6B2A,115 NXP Semiconductors Pzu5.6b2a, 115 0,0200
RFQ
ECAD 3496 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 320 MW SOD-323 download Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 100 Ma 1 µA A 2,5 V 5,6 v 40 ohms
BAT74S,115 NXP Semiconductors BAT74S, 115 1.0000
RFQ
ECAD 2777 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo BAT74 download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-BAT74S, 115-954 1
PMEG3010BEV,115 NXP Semiconductors PMEG3010BEV, 115 0,0500
RFQ
ECAD 141 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 Schottky SOT-666 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-PMEG3010BEV, 115-954 6.542 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 560 mV @ 1 a 150 µA A 30 V 150 ° C (Máximo) 1a 70pf @ 1V, 1MHz
BZX84-C13,235 NXP Semiconductors BZX84-C13,235 0,0200
RFQ
ECAD 80 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX84-C13,235-954 Ear99 8541.10.0050 1 900 mV a 10 mA 100 Na @ 8 V 13 v 30 ohms
BZX884-C18,315 NXP Semiconductors BZX884-C18,315 -
RFQ
ECAD 7302 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SOD-882 250 MW DFN1006-2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX884-C18,315-954 Ear99 8541.10.0070 1 900 mV a 10 mA 50 Na @ 12,6 V 18 v 45 ohms
BZV55-C43,115 NXP Semiconductors BZV55-C43,115 0,0200
RFQ
ECAD 262 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW LLDS; Mínimo download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZV55-C43,115-954 Ear99 8541.10.0070 1 900 mV a 10 mA 50 Na @ 30,1 V 43 v 150 ohms
PMEG1020EJ,115 NXP Semiconductors PMEG1020EJ, 115 -
RFQ
ECAD 8548 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F Schottky SOD-323F download Alcançar Não Afetado 2156-PMEG1020EJ, 115-954 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 10 v 460 mV @ 2 a 3 mA a 10 V 150 ° C (Máximo) 2a 50pf @ 5V, 1MHz
BZX79-B5V1,133 NXP Semiconductors BZX79-B5V1,133 0,0200
RFQ
ECAD 139 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 400 MW ALF2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX79-B5V1,133-954 1 900 mV a 10 mA 2 µA @ 2 V 5.1 v 60 ohms
BZX84J-B62,115 NXP Semiconductors BZX84J-B62,115 0,0300
RFQ
ECAD 59 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F 550 MW SOD-323F download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX84J-B62,115-954 1 1,1 V @ 100 Ma 50 Na @ 43,4 V 62 v 140 ohms
BZT52H-B2V4,115 NXP Semiconductors BZT52H-B2V4,115 0,0200
RFQ
ECAD 19 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) Montagem na Superfície SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZT52H-B2V4,115-954 1 900 mV a 10 mA 50 µA @ 1 V 2,4 v 85 ohms
PMEG150G20ELPX NXP Semiconductors PMEG150G20ELPX -
RFQ
ECAD 3493 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Montagem na Superfície SOD-128 Padrão SOD-128/CFP5 - 2156-PMEG150G20ELPX 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 850 mv @ 2 a 14 ns 30 Na @ 150 V 175 ° C. 2a 70pf @ 1V, 1MHz
BAT54W,115 NXP Semiconductors BAT54W, 115 0,0200
RFQ
ECAD 82 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BAT54 Schottky SOT-323 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BAT54W, 115-954 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 800 mV @ 100 Ma 5 ns 2 µA a 25 V 150 ° C (Máximo) 200Ma 10pf @ 1V, 1MHz
BZX79-C18,113 NXP Semiconductors BZX79-C18,113 0,0200
RFQ
ECAD 470 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 400 MW ALF2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX79-C18,113-954 1 900 mV a 10 mA 50 Na @ 12,6 V 18 v 45 ohms
BAS16W,115 NXP Semiconductors Bas16W, 115 0,0200
RFQ
ECAD 836 0,00000000 Semicondutores nxp Automotive, AEC-Q101, BAS16 Volume Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 Bas16 Padrão SOT-323 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BAS16W, 115-954 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 100 v 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V -65 ° C ~ 150 ° C. 175mA 1.5pf @ 0V, 1MHz
BZX84-A43,215 NXP Semiconductors BZX84-A43.215 0,1100
RFQ
ECAD 95 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX84-A43,215-954 1 900 mV a 10 mA 50 Na @ 30,1 V 43 v 150 ohms
BZV85-C3V6,113 NXP Semiconductors BZV85-C3V6,113 0,0300
RFQ
ECAD 15 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1.3 w DO-41 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZV85-C3V6,113-954 1 1 V @ 50 Ma 50 µA @ 1 V 3,6 v 15 ohms
BZX84-B3V3,215 NXP Semiconductors BZX84-B3V3,215 1.0000
RFQ
ECAD 1891 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX84-B3V3,215-954 1 900 mV a 10 mA 5 µA @ 1 V 3,3 v 95 ohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque