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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1PS88SB82.115 | - | ![]() | 9512 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Schottky | 6-TSSOP | - | 2156-1PS88SB82,115 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 15 v | 700 mV a 30 mA | 200 Na @ 1 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||||||
![]() | BZB84-C6V2.215 | 0,0200 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZB84-C6V2,215-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 3 µA A 4 V | 6.2 v | 10 ohms | ||||||||||
![]() | BZX384-C11,115 | - | ![]() | 7400 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | BZX384 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | 300 MW | SOD-323 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZX384-C11,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20 ohms | |||||||||||||
![]() | BZX84-C2V4,215 | 0,0200 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-C2V4,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 µA @ 1 V | 2,4 v | 100 ohms | |||||||||||||
![]() | BZX79-C16,113 | 0,0200 | ![]() | 240 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C16,113-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 700 mV | 16 v | 40 ohms | |||||||||||||
![]() | BZX79-C22.143 | 0,0200 | ![]() | 75 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C22,143-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 700 mV | 22 v | 55 ohms | |||||||||||
![]() | Pzu6.8b2l, 315 | - | ![]() | 5372 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-882 | Pzu6.8 | 250 MW | DFN1006-2 | download | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 500 Na @ 3,5 V | 6,8 v | 20 ohms | ||||||||||||||
![]() | BZT52H-C4V7,115 | 0,0200 | ![]() | 179 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZT52H-C4V7,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 3 µA @ 2 V | 4,7 v | 78 ohms | ||||||||||||
![]() | BZV85-C3V6,133 | 0,0300 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1.3 w | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV85-C3V6,133-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 µA @ 1 V | 3,6 v | 15 ohms | |||||||||||||
![]() | PMEG6010ESBC, 315 | 0,0300 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | PMEG6010 | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-PMEG6010SBC, 315-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BYV29F-600,127 | 0,3700 | ![]() | 51 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Padrão | TO-220AC | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 802 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,9 V @ 8 A | 35 ns | 50 µA A 600 V | 150 ° C (Máximo) | 9a | - | ||||||||||||
![]() | PMEG3005AESF, 315 | - | ![]() | 9404 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | PMEG3005 | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C13,115 | - | ![]() | 5511 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SC-90 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZX84J-C13,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 8 V | 13 v | 10 ohms | |||||||||||||
![]() | Pzu5.6b2a, 115 | 0,0200 | ![]() | 3496 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 1 µA A 2,5 V | 5,6 v | 40 ohms | ||||||||||||||
![]() | BAT74S, 115 | 1.0000 | ![]() | 2777 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | BAT74 | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-BAT74S, 115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG3010BEV, 115 | 0,0500 | ![]() | 141 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | Schottky | SOT-666 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMEG3010BEV, 115-954 | 6.542 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 560 mV @ 1 a | 150 µA A 30 V | 150 ° C (Máximo) | 1a | 70pf @ 1V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BZX84-C13,235 | 0,0200 | ![]() | 80 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-C13,235-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 8 V | 13 v | 30 ohms | |||||||||||
![]() | BZX884-C18,315 | - | ![]() | 7302 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX884-C18,315-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 12,6 V | 18 v | 45 ohms | |||||||||||
![]() | BZV55-C43,115 | 0,0200 | ![]() | 262 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-C43,115-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 30,1 V | 43 v | 150 ohms | |||||||||||
![]() | PMEG1020EJ, 115 | - | ![]() | 8548 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | Schottky | SOD-323F | download | Alcançar Não Afetado | 2156-PMEG1020EJ, 115-954 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 10 v | 460 mV @ 2 a | 3 mA a 10 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | 50pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | BZX79-B5V1,133 | 0,0200 | ![]() | 139 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-B5V1,133-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60 ohms | |||||||||||||
![]() | BZX84J-B62,115 | 0,0300 | ![]() | 59 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SOD-323F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84J-B62,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 43,4 V | 62 v | 140 ohms | |||||||||||||
![]() | BZT52H-B2V4,115 | 0,0200 | ![]() | 19 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZT52H-B2V4,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 µA @ 1 V | 2,4 v | 85 ohms | ||||||||||||
![]() | PMEG150G20ELPX | - | ![]() | 3493 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | Padrão | SOD-128/CFP5 | - | 2156-PMEG150G20ELPX | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 850 mv @ 2 a | 14 ns | 30 Na @ 150 V | 175 ° C. | 2a | 70pf @ 1V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | BAT54W, 115 | 0,0200 | ![]() | 82 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | BAT54 | Schottky | SOT-323 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BAT54W, 115-954 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA a 25 V | 150 ° C (Máximo) | 200Ma | 10pf @ 1V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BZX79-C18,113 | 0,0200 | ![]() | 470 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C18,113-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 12,6 V | 18 v | 45 ohms | |||||||||||||
![]() | Bas16W, 115 | 0,0200 | ![]() | 836 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotive, AEC-Q101, BAS16 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | Bas16 | Padrão | SOT-323 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BAS16W, 115-954 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 Na @ 80 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 175mA | 1.5pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BZX84-A43.215 | 0,1100 | ![]() | 95 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-A43,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 30,1 V | 43 v | 150 ohms | |||||||||||||
![]() | BZV85-C3V6,113 | 0,0300 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1.3 w | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV85-C3V6,113-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 µA @ 1 V | 3,6 v | 15 ohms | |||||||||||||
![]() | BZX84-B3V3,215 | 1.0000 | ![]() | 1891 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-B3V3,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,3 v | 95 ohms |
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