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Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Tecnologia	Poder - Máx	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)
Jan1n6350d	49.5300	RFQ	8224	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/533	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-JAN1N6350D	Ear99	8541.10.0050	1			1,4 V @ 1 A		50 Na @ 91 V				120 v	600 ohms
1N4780C	31.7100	RFQ	8542	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204aa, do-7, axial		250 MW	Do-7	-	Alcançar Não Afetado	150-1N4780C	Ear99	8541.10.0050	1					10 µA a 6 V				8,5 v	100 ohms
CDLL6637	14.7300	RFQ	9788	Microchip Technology	*	Volume	Ativo								-	Alcançar Não Afetado	150-CDLL6637	Ear99	8541.10.0050	1
UFR8505	148.2150	RFQ	5935	Microchip Technology	*	Volume	Ativo								-	Alcançar Não Afetado	150-UFR8505			1
1N1587	38.3850	RFQ	6727	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Montagem do Pino	DO-203AA, DO-4, Stud	Padrão		DO-4 (DO-203AA)	download	Alcançar Não Afetado	150-1N1587	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	600 v	1,3 V @ 30 A		10 µA A 600 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	3a	-
CDS756AUR-1	-	RFQ	7314	Microchip Technology	*	Volume	Ativo								-	Alcançar Não Afetado	150-CDS756AUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
S4320TS	112.3200	RFQ	1719	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Montagem do Pino	Do-205AA, DO-8, Stud	Padrão		Do-205AA (DO-8)	-	Alcançar Não Afetado	150-S4320TS	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	200 v	1,1 V @ 200 A		50 µA A 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	150a	-
CD5534BSBW	-	RFQ	1771	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Morrer		500 MW	Morrer	-	Alcançar Não Afetado	150-CD5534BSBW	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 200 mA		10 Na @ 12,6 V				14 v	100 ohms
Jantxv1n4962d	27.0600	RFQ	6071	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/356	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	E, axial		5 w	E, axial	-	Alcançar Não Afetado	150-Jantxv1n4962d	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 A		5 µA A 11,4 V				15 v	3,5 ohms
Jankca1N4100D	-	RFQ	9434	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/435	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Morrer		500 MW	Morrer	-	Alcançar Não Afetado	150-JANKCA1N4100D	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 mA		10 µA a 5,7 V				7,5 v	200 ohms
1N5279B-1	3.1200	RFQ	7742	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-1N5279B-1	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 200 mA		100 Na @ 137 V				180 v	2200 ohms
1N5527	1.8150	RFQ	5396	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-1N5527	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 mA		500 Na @ 6 V				7,5 v
CDLL5245D	6.9150	RFQ	8399	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	DO-213AA		10 MW	DO-213AA	-	Alcançar Não Afetado	150-CDLL5245D	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 mA		100 Na @ 11 V				15 v	16 ohms
1N5529B-1	1.8150	RFQ	1662	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-1N5529B-1	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 mA		100 Na @ 8,2 V				9.1 v	45 ohms
Jan1n6347d	49.5300	RFQ	1275	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/533	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-JAN1N6347D	Ear99	8541.10.0050	1			1,4 V @ 1 A		50 Na @ 69 V				91 v	270 ohms
CDLL4979	11.1450	RFQ	9157	Microchip Technology	*	Volume	Ativo								-	Alcançar Não Afetado	150-CDLL4979	Ear99	8541.10.0050	1
Utr41	9.2550	RFQ	9545	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Através do buraco	A, axial	Padrão		A, axial	-	Alcançar Não Afetado	150-UTR41	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	400 v	1,1 V @ 500 mA	350 ns	3 µA A 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	1a	60pf @ 0V, 1MHz
JANS1N6334D	350.3400	RFQ	7796	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/533	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-JANS1N6334D	Ear99	8541.10.0050	1			1,4 V @ 1 A		50 Na @ 21 V				27 v	27 ohms
JANS1N4478CUS	283.8300	RFQ	5545	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/406	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SQ-Melf, a		1,5 w	D-5A	-	Alcançar Não Afetado	150-JANS1N4478CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 A		50 Na @ 28,8 V				36 v	27 ohms
CDS5518BUR-1	-	RFQ	2314	Microchip Technology	*	Volume	Ativo								-	Alcançar Não Afetado	150-CDS5518bur-1	Ear99	8541.10.0050	50
CDLL5256D	8.4150	RFQ	6786	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	DO-213AA		10 MW	DO-213AA	-	Alcançar Não Afetado	150-CDLL5256D	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 mA		100 Na @ 23 V				30 v	49 ohms
JANS1N4476CUS	283.8300	RFQ	2052	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/406	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SQ-Melf, a		1,5 w	D-5A	-	Alcançar Não Afetado	150-JANS1N4476CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 A		50 Na @ 24 V				30 v	20 ohms
1N5523A	1.8150	RFQ	2660	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-1N5523A	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 mA		2 µA @ 2 V				5.1 v
CD4735B	2.0700	RFQ	3591	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Morrer		1 w	Morrer	-	Alcançar Não Afetado	150-CD4735B	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 200 mA		5 µA @ 3 V				6.2 v	2 ohms
Jantx1n6343d	39.7950	RFQ	7032	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/533	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-JANTX1N6343D	Ear99	8541.10.0050	1			1,4 V @ 1 A		50 Na @ 47 V				62 v	125 ohms
1N4531UR-1	3.4050	RFQ	1767	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Montagem na Superfície	DO-213AA	Padrão		DO-213AA	download	Alcançar Não Afetado	150-1N4531UR-1	Ear99	8541.10.0070	1	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade	75 v	1,2 V @ 100 Ma	20 ns	500 Na @ 75 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	125mA	-
1N5088SM	27.0900	RFQ	2281	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	SQ-Melf, a		3 w	A, SQ-Melf	-	Alcançar Não Afetado	150-1N5088SM	Ear99	8541.10.0050	1					1 µA a 45,7 V				60 v	70 ohms
Janhca1N5540C	-	RFQ	4817	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/437	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-JANHCA1N5540C	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 mA		10 Na @ 18 V				20 v	100 ohms
CDS5522B-1	-	RFQ	9276	Microchip Technology	*	Volume	Ativo								-	Alcançar Não Afetado	150-CDS5522B-1	Ear99	8541.10.0050	50
Jantxv1N3821C-1	25.4250	RFQ	7685	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/115	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204al, do041, axial		1 w	DO-41	-	Alcançar Não Afetado	150-JANTXV1N3821C-1	Ear99	8541.10.0050	1			1,2 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V				3,3 v	10 ohms

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