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Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Tecnologia	Poder - Máx	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)
Jantxv1N4971C	22.2000	RFQ	5834	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/356	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	E, axial		5 w	E, axial	-	Alcançar Não Afetado	150-Jantxv1N4971C	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 A	2 µA A 27,4 V				36 v	11 ohms
Jantxv1n4969Cus	40.8900	RFQ	9107	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/356	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SQ-Melf, b		5 w	E-Melf	-	Alcançar Não Afetado	150-Jantxv1N4969Cus	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 A	2 µA A 22,8 V				30 v	8 ohms
1N3949	-	RFQ	6307	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-	Montagem do Pino	DO-203AA, DO-4, Stud		10 w	Do-203aa (DO-4)	-	Alcançar Não Afetado	150-1N3949	Ear99	8541.10.0050	100								20 v	3 ohms
Jantxv1n4464dus	38.6100	RFQ	8249	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/406	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SQ-Melf, a		1,5 w	D-5A	-	Alcançar Não Afetado	150-Jantxv1n4464dus	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 A	300 Na @ 5,46 V				9.1 v	4 ohms
1N2438	102.2400	RFQ	5945	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Montagem do Pino	Do-205AA, DO-8, Stud	Padrão		Do-205AA (DO-8)	download	Alcançar Não Afetado	150-1N2438	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	150 v	1,1 V @ 200 A	50 µA A 150 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	150a	-
R4320D	102.2400	RFQ	7525	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Montagem do Pino	Do-205AA, DO-8, Stud	Padrão		Do-205AA (DO-8)	-	Alcançar Não Afetado	150-R4320D	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	200 v	1,1 V @ 200 A	50 µA A 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	150a	-
Janhca1n4114d	-	RFQ	7840	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/435	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Morrer		500 MW	Morrer	-	Alcançar Não Afetado	150-JANHCA1N4114D	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 mA	10 Na @ 15,2 V				20 v	150 ohms
1N5543D	5.6850	RFQ	9588	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-1N5543D	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 mA	10 Na @ 22,4 V				25 v	100 ohms
1N4482D	22.1400	RFQ	4814	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204al, do041, axial		1,5 w	DO-41	download	Alcançar Não Afetado	150-1N4482D	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 A	50 Na @ 40,8 V				51 v	60 ohms
CDLL4957	11.1450	RFQ	1359	Microchip Technology	*	Volume	Ativo								-	Alcançar Não Afetado	150-CDLL4957	Ear99	8541.10.0050	1
1N4100D-1	6.1500	RFQ	9316	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	download	Alcançar Não Afetado	150-1N4100D-1	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 mA	1 µA a 5,7 V				7,5 v	200 ohms
CDLL5241C	7.1400	RFQ	8971	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	DO-213AA		10 MW	DO-213AA	-	Alcançar Não Afetado	150-CDLL5241C	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 mA	2 µA a 8,4 V				11 v	22 ohms
1N5274	3.0750	RFQ	4905	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-1N5274	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 200 mA	100 Na @ 94 V				130 v	1100 ohms
JANS1N4496CUS	283.8300	RFQ	3219	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/406	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SQ-Melf, a		1,5 w	D-5A	-	Alcançar Não Afetado	150-JANS1N4496CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 A	250 Na @ 160 V				200 v	1500 ohms
UZ5727	32.2650	RFQ	5633	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	B, axial		5 w	B, axial	-	Alcançar Não Afetado	150-UZ5727	Ear99	8541.10.0050	1				10 µA a 20,6 V				27 v	6 ohms
MSASC150W45LV	-	RFQ	8412	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Montagem na Superfície	Thinkey ™ 3	Schottky		Thinkey ™ 3	-	Alcançar Não Afetado	150-MSASC150W45LV	Ear99	8541.10.0080	100	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	45 v	760 mV @ 150 A	1 ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	150a	-
CD3047B	4.0650	RFQ	1227	Microchip Technology	*	Volume	Ativo								-	Alcançar Não Afetado	150-CD3047B	Ear99	8541.10.0050	1
Jantxv1N4462Cus	30.8850	RFQ	7199	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/406	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SQ-Melf, a		1,5 w	D-5A	-	Alcançar Não Afetado	150-Jantxv1N4462Cus	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 A	1 µA A 4,5 V				7,5 v	2,5 ohms
CD4751	2.0700	RFQ	7065	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Morrer		1 w	Morrer	-	Alcançar Não Afetado	150-CD4751	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 200 mA	100 Na @ 22,8 V				30 v	40 ohms
1N4614	3.4350	RFQ	8317	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204aa, do-7, axial		500 MW	Do-7	-	Alcançar Não Afetado	150-1N4614	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 mA	7,5 µA a 1 V				1,8 v	1200 ohms
UZ8710	22.4400	RFQ	3080	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	A, axial		1 w	A, axial	-	Alcançar Não Afetado	150-UZ8710	Ear99	8541.10.0050	1				2 µA a 7,6 V				10 v	7 ohms
Jantxv1N6332Cus	57.1050	RFQ	8401	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/533	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SQ-Melf, b		500 MW	B, Sq-Melf	-	Alcançar Não Afetado	150-JANTXV1N6332CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1,4 V @ 1 A	50 Na @ 17 V				22 v	20 ohms
1n959a	2.7150	RFQ	3258	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204aa, do-7, axial		500 MW	Do-7	-	Alcançar Não Afetado	150-1N959A	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 mA	50 µA A 6,2 V				8.2 v	6,5 ohms
UZ5716	32.2650	RFQ	6111	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	B, axial		5 w	B, axial	-	Alcançar Não Afetado	150-UZ5716	Ear99	8541.10.0050	1				10 µA A 12,2 V				16 v	3,5 ohms
S53150TS	158.8200	RFQ	8283	Microchip Technology	*	Volume	Ativo								-	Alcançar Não Afetado	150-S53150TS			1
UZ856	22.4400	RFQ	4007	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	-	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	A, axial		3 w	A, axial	-	Alcançar Não Afetado	150-UZ856	Ear99	8541.10.0050	1
Jantx1N6339Cus	39.7950	RFQ	1644	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/533	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SQ-Melf, b		500 MW	B, Sq-Melf	-	Alcançar Não Afetado	150-JANTX1N6339CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1,4 V @ 1 A	50 Na @ 33 V				43 v	65 ohms
UZ5810	32.2650	RFQ	8960	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	B, axial		5 w	B, axial	-	Alcançar Não Afetado	150-UZ5810	Ear99	8541.10.0050	1				75 µA A 7,6 V				10 v	2 ohms
Jankca1N4127C	-	RFQ	9422	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/435	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Morrer		500 MW	Morrer	-	Alcançar Não Afetado	150-JANKCA1N4127C	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 mA	10 Na @ 42,6 V				56 v	300 ohms
CDS5522BUR-1	-	RFQ	6737	Microchip Technology	*	Volume	Ativo								-	Alcançar Não Afetado	150-CDS5522bur-1	Ear99	8541.10.0050	50

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