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Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Poder - Máx	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Tipo de diodo	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)
Jantxv1N4148UBCDP	33.6490	RFQ	9409	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/116	Volume	Ativo			Montagem na Superfície	3-SMD, sem chumbo		Padrão		UBC	-	Alcançar Não Afetado	150-JANTXV1N4148UBCDP	Ear99	8541.10.0070	1	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade	75 v	1,2 V @ 100 Ma	5 ns	500 Na @ 75 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	200Ma	4pf @ 0V, 1MHz
Jantxv1n4966d	22.6200	RFQ	3541	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/356	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	E, axial			5 w	E, axial	-	Alcançar Não Afetado	150-JANTXV1N4966D	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 A		2 µA A 16,7 V					22 v	5 ohms
UZ8814	22.4400	RFQ	5567	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	A, axial			1 w	A, axial	-	Alcançar Não Afetado	150-UZ8814	Ear99	8541.10.0050	1					500 Na @ 10,1 V					14 v	12 ohms
1N5081SM	27.0900	RFQ	8137	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	SQ-Melf, a			3 w	A, SQ-Melf	-	Alcançar Não Afetado	150-1N5081SM	Ear99	8541.10.0050	1					1 µA A 30,4 V					40 v	27 ohms
CD4127C	-	RFQ	8059	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Morrer			500 MW	Morrer	-	Alcançar Não Afetado	150-CD4127C	Ear99	8541.10.0050	305			1,5 V @ 200 mA		10 Na @ 42,6 V					56 v	300 ohms
469-5	-	RFQ	4676	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/469	Volume	Ativo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem do chassi	4 quadrados		Silício Schottky		MD	-	Alcançar Não Afetado	150-469-5	Ear99	8541.10.0080	100									Fase Única
JANS1N4492D	343.5150	RFQ	9490	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/406	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204al, do041, axial			1,5 w	DO-41	-	Alcançar Não Afetado	150-JANS1N4492D	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 A		250 Na @ 104 V					130 v	500 ohms
CDLL5270C	6.7200	RFQ	8300	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-	Alcançar Não Afetado	150-CDLL5270C	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 mA		100 Na @ 69 V					91 v	400 ohms
1N3968	62.1150	RFQ	4339	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Montagem do Pino	DO-203AB, DO-5, Stud		Padrão		DO-5 (DO-203AB)	download	Alcançar Não Afetado	150-1N3968	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	200 v	1,25 V @ 200 A		25 µA A 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	70A	-
S4215	102.2400	RFQ	7695	Microchip Technology	*	Volume	Ativo									-	Alcançar Não Afetado	150-S4215			1
UZ5220	32.2650	RFQ	7135	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	B, axial			5 w	B, axial	-	Alcançar Não Afetado	150-UZ5220	Ear99	8541.10.0050	1					5 µA A 144 V					200 v	500 ohms
CDLL5273C	6.7200	RFQ	9837	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 20%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Montagem na Superfície	DO-213AA				DO-213AA	-	Alcançar Não Afetado	150-CDLL5273C	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 mA		100 Na @ 86 V					120 v	900 ohms
1N5539	1.8150	RFQ	8512	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-1N5539	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 mA		10 Na @ 16 V					19 v
Janhca1n4614d	-	RFQ	6794	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/435	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Morrer			500 MW	Morrer	-	Alcançar Não Afetado	150-JANHCA1N4614D	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 mA		7,5 µA a 1 V					1,8 v	1200 ohms
CD4696D	-	RFQ	4467	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Morrer			500 MW	Morrer	-	Alcançar Não Afetado	150-CD4696D	Ear99	8541.10.0050	100			1,5 V @ 200 mA		1 µA A 6,9 V					9.1 v
21FQ035	54.5550	RFQ	6564	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Montagem do Pino	DO-203AA, DO-4, Stud		Schottky		DO-4 (DO-203AA)	-	Alcançar Não Afetado	150-21FQ035	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	35 v	630 mV @ 30 A		1,5 mA a 35 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	30a	-
1N3647A	16.8600	RFQ	6514	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Através do buraco	S, axial		Padrão		S, axial	download	Alcançar Não Afetado	150-1N3647A	Ear99	8541.10.0070	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	2100 v	5 V @ 250 Ma		5 µA A 21000 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	250mA	-
1N5521D	5.6850	RFQ	5758	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-1N5521D	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 mA		3 µA A 1,5 V					4.3 v	18 ohms
Jantxv1N6332C	37.5300	RFQ	9319	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/533	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-JANTXV1N6332C	Ear99	8541.10.0050	1			1,4 V @ 1 A		50 Na @ 17 V					22 v	20 ohms
1N2987RB	36.9900	RFQ	8474	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem do Pino	DO-203AA, DO-4, Stud	1N2987		10 w	DO-4 (DO-203AA)	download	Alcançar Não Afetado	150-1N2987RB	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 2 A		10 µA a 18,2 V					25 v	6 ohms
S53150TS	158.8200	RFQ	8283	Microchip Technology	*	Volume	Ativo									-	Alcançar Não Afetado	150-S53150TS			1
UZ856	22.4400	RFQ	4007	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	-	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	A, axial			3 w	A, axial	-	Alcançar Não Afetado	150-UZ856	Ear99	8541.10.0050	1
Jantx1N6339Cus	39.7950	RFQ	1644	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/533	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SQ-Melf, b			500 MW	B, Sq-Melf	-	Alcançar Não Afetado	150-JANTX1N6339CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1,4 V @ 1 A		50 Na @ 33 V					43 v	65 ohms
UZ5810	32.2650	RFQ	8960	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	B, axial			5 w	B, axial	-	Alcançar Não Afetado	150-UZ5810	Ear99	8541.10.0050	1					75 µA A 7,6 V					10 v	2 ohms
Jankca1N4127C	-	RFQ	9422	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/435	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Morrer			500 MW	Morrer	-	Alcançar Não Afetado	150-JANKCA1N4127C	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 mA		10 Na @ 42,6 V					56 v	300 ohms
Jantxv1N4971C	22.2000	RFQ	5834	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/356	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	E, axial			5 w	E, axial	-	Alcançar Não Afetado	150-Jantxv1N4971C	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 A		2 µA A 27,4 V					36 v	11 ohms
Jantxv1n4969Cus	40.8900	RFQ	9107	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/356	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SQ-Melf, b			5 w	E-Melf	-	Alcançar Não Afetado	150-Jantxv1N4969Cus	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 A		2 µA A 22,8 V					30 v	8 ohms
1N3949	-	RFQ	6307	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-	Montagem do Pino	DO-203AA, DO-4, Stud			10 w	Do-203aa (DO-4)	-	Alcançar Não Afetado	150-1N3949	Ear99	8541.10.0050	100										20 v	3 ohms
Jantxv1n4464dus	38.6100	RFQ	8249	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/406	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SQ-Melf, a			1,5 w	D-5A	-	Alcançar Não Afetado	150-Jantxv1n4464dus	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 A		300 Na @ 5,46 V					9.1 v	4 ohms
1N2438	102.2400	RFQ	5945	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Montagem do Pino	Do-205AA, DO-8, Stud		Padrão		Do-205AA (DO-8)	download	Alcançar Não Afetado	150-1N2438	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	150 v	1,1 V @ 200 A		50 µA A 150 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	150a	-

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