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Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Tecnologia	Poder - Máx	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)
R714XE	55.6500	RFQ	6613	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Através do buraco	TO-204AA, TO-3	Padrão		TO-204AA (TO-3)	-	Alcançar Não Afetado	150-R714XE	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	400 v	1,4 V @ 15 A	200 ns	1 ma @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	15a	-
1N2131	74.5200	RFQ	2193	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Montagem do Pino	DO-203AB, DO-5, Stud	Padrão		DO-5 (DO-203AB)	download	Alcançar Não Afetado	150-1N2131	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	200 v	1,25 V @ 200 A		25 µA A 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	70A	-
CD5271	1.6350	RFQ	2729	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Morrer		500 MW	Morrer	-	Alcançar Não Afetado	150-CD5271	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 200 mA		100 Na @ 76 V				100 v	500 ohms
CDLL6634	14.7300	RFQ	1737	Microchip Technology	*	Volume	Ativo								-	Alcançar Não Afetado	150-CDLL6634	Ear99	8541.10.0050	1
JANS1N4990DUS	527.9550	RFQ	8391	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/356	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SQ-Melf, b		5 w	E-Melf	-	Alcançar Não Afetado	150-JANS1N4990DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 A		2 µA @ 167 V				220 v	550 ohms
Janhca1N754C	-	RFQ	5305	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-JANHCA1N754C	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 mA		100 Na @ 1 V				6,8 v	5 ohms
CDS746A-1	-	RFQ	2182	Microchip Technology	*	Volume	Ativo								-	Alcançar Não Afetado	150-CDS746A-1	Ear99	8541.10.0050	50
1N5523A	1.8150	RFQ	2660	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-1N5523A	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 mA		2 µA @ 2 V				5.1 v
CD4735B	2.0700	RFQ	3591	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Morrer		1 w	Morrer	-	Alcançar Não Afetado	150-CD4735B	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 200 mA		5 µA @ 3 V				6.2 v	2 ohms
Jantx1n6343d	39.7950	RFQ	7032	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/533	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-JANTX1N6343D	Ear99	8541.10.0050	1			1,4 V @ 1 A		50 Na @ 47 V				62 v	125 ohms
1N4531UR-1	3.4050	RFQ	1767	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Montagem na Superfície	DO-213AA	Padrão		DO-213AA	download	Alcançar Não Afetado	150-1N4531UR-1	Ear99	8541.10.0070	1	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade	75 v	1,2 V @ 100 Ma	20 ns	500 Na @ 75 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	125mA	-
1N5088SM	27.0900	RFQ	2281	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	SQ-Melf, a		3 w	A, SQ-Melf	-	Alcançar Não Afetado	150-1N5088SM	Ear99	8541.10.0050	1					1 µA a 45,7 V				60 v	70 ohms
Janhca1N5540C	-	RFQ	4817	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/437	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-JANHCA1N5540C	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 mA		10 Na @ 18 V				20 v	100 ohms
Janhca1N5526C	-	RFQ	1979	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/437	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-JANHCA1N5526C	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 mA		1 µA a 6,2 V				6,8 v	30 ohms
Janhca1n4125d	-	RFQ	2272	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/435	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Morrer		500 MW	Morrer	-	Alcançar Não Afetado	150-JANHCA1N4125D	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 mA		10 Na @ 35,75 V				47 v	250 ohms
CDS5522B-1	-	RFQ	9276	Microchip Technology	*	Volume	Ativo								-	Alcançar Não Afetado	150-CDS5522B-1	Ear99	8541.10.0050	50
Jantxv1N3821C-1	25.4250	RFQ	7685	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/115	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204al, do041, axial		1 w	DO-41	-	Alcançar Não Afetado	150-JANTXV1N3821C-1	Ear99	8541.10.0050	1			1,2 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V				3,3 v	10 ohms
CDS5240D-1	-	RFQ	9901	Microchip Technology	*	Volume	Ativo								-	Alcançar Não Afetado	150-CDS5240D-1	Ear99	8541.10.0050	50
CDLL6351	14.6400	RFQ	1529	Microchip Technology	*	Volume	Ativo								-	Alcançar Não Afetado	150-CDLL6351	Ear99	8541.10.0050	1
Jantx1N6348C	29.2350	RFQ	7913	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/533	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-Jantx1N6348C	Ear99	8541.10.0050	1			1,4 V @ 1 A		50 Na @ 76 V				100 v	340 ohms
Jan1n6341d	49.5300	RFQ	3276	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/533	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-JAN1N6341D	Ear99	8541.10.0050	1			1,4 V @ 1 A		50 Na @ 39 V				51 v	85 ohms
CDS5522BUR-1	-	RFQ	6737	Microchip Technology	*	Volume	Ativo								-	Alcançar Não Afetado	150-CDS5522bur-1	Ear99	8541.10.0050	50
1N2137R	74.5200	RFQ	3804	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Montagem do Pino	DO-203AB, DO-5, Stud	Polaridada reversa padrão		DO-5 (DO-203AB)	download	Alcançar Não Afetado	150-1N2137R	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	500 v	1,25 V @ 200 A		25 µA A 500 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	70A	-
Jankca1N4614C	-	RFQ	7379	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/435	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Morrer		500 MW	Morrer	-	Alcançar Não Afetado	150-JANKCA1N4614C	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 mA		7,5 µA a 1 V				1,8 v	1200 ohms
Jantxv1N3828C-1	25.4250	RFQ	2958	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/115	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204al, do041, axial		1 w	DO-41	-	Alcançar Não Afetado	150-JANTXV1N3828C-1	Ear99	8541.10.0050	1			1,2 V @ 200 mA		3 µA A 3 V				6.2 v	2 ohms
Jantxv1N4484Cus	45.1350	RFQ	8432	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/406	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SQ-Melf, a		1,5 w	D-5A	-	Alcançar Não Afetado	150-Jantxv1N4484CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 A		250 Na @ 49,6 V				62 v	80 ohms
UZ5727	32.2650	RFQ	5633	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	B, axial		5 w	B, axial	-	Alcançar Não Afetado	150-UZ5727	Ear99	8541.10.0050	1					10 µA a 20,6 V				27 v	6 ohms
MSASC150W45LV	-	RFQ	8412	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Montagem na Superfície	Thinkey ™ 3	Schottky		Thinkey ™ 3	-	Alcançar Não Afetado	150-MSASC150W45LV	Ear99	8541.10.0080	100	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	45 v	760 mV @ 150 A		1 ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	150a	-
CD3047B	4.0650	RFQ	1227	Microchip Technology	*	Volume	Ativo								-	Alcançar Não Afetado	150-CD3047B	Ear99	8541.10.0050	1
Jantxv1N4462Cus	30.8850	RFQ	7199	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/406	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SQ-Melf, a		1,5 w	D-5A	-	Alcançar Não Afetado	150-Jantxv1N4462Cus	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 A		1 µA A 4,5 V				7,5 v	2,5 ohms

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