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Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Poder - Máx	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Max)	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)
1N3499	5.4750	RFQ	9942	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	-	-	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial				DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-1N3499	Ear99	8541.10.0050	1
1N4256SM	12.9000	RFQ	5945	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Montagem na Superfície	SQ-Melf, s		Padrão		S, Sq-Melf	download	Alcançar Não Afetado	150-1N4256SM	Ear99	8541.10.0070	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	2500 v	3,5 V @ 100 Ma	1 µA A 2500 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	250mA	-
Jankca1N4109C	-	RFQ	4489	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/435	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Morrer			500 MW	Morrer	-	Alcançar Não Afetado	150-JANKCA1N4109C	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 mA	50 Na @ 11,4 V						15 v	100 ohms
1N2250	44.1600	RFQ	4047	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Montagem do Pino	DO-203AA, DO-4, Stud		Padrão		DO-4 (DO-203AA)	download	Alcançar Não Afetado	150-1N2250	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	200 v	1,2 V @ 30 A	10 µA A 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	22a	-
1n4746ur-1	3.4650	RFQ	5130	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Do-213ab, Mell (Vidro)			1 w	DO-213AB (Mell, LL41)	-	Alcançar Não Afetado	150-1N4746UR-1	Ear99	8541.10.0050	1			1,2 V @ 200 mA	5 µA A 13,7 V						18 v	20 ohms
1N4110DUR-1	9.4800	RFQ	6018	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	download	Alcançar Não Afetado	150-1N4110DUR-1	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 mA	50 Na @ 12,2 V						16 v	100 ohms
Jan1n6346dus	49.6800	RFQ	5296	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/533	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SQ-Melf, b			500 MW	B, Sq-Melf	-	Alcançar Não Afetado	150-JAN1N6346DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1,4 V @ 1 A	50 Na @ 62 V						82 v	220 ohms
Jankca1N4624C	-	RFQ	6311	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/435	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Morrer			500 MW	Morrer	-	Alcançar Não Afetado	150-JANKCA1N4624C	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 mA	10 µA A 3 V						4,7 v	1550 ohms
UZ730	22.4400	RFQ	7147	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	A, axial			3 w	A, axial	-	Alcançar Não Afetado	150-UZ730	Ear99	8541.10.0050	1				1 µA A 22,8 V						30 v	15 ohms
CDS759AUR-1	-	RFQ	2899	Microchip Technology	*	Volume	Ativo									-	Alcançar Não Afetado	150-CDS759AUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
CDLL5255C	6.7200	RFQ	6900	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-	Alcançar Não Afetado	150-CDLL5255C	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 mA	100 Na @ 21 V						28 v	44 ohms
Jan1N6346CUS	63.7050	RFQ	4393	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/533	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SQ-Melf, b			500 MW	B, Sq-Melf	-	Alcançar Não Afetado	150-JAN1N6346CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1,4 V @ 1 A	50 Na @ 62 V						82 v	220 ohms
1N5532D	5.6850	RFQ	8105	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-1N5532D	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 mA	50 Na @ 10,8 V						12 v	90 ohms
JANS1N6330C	358.7400	RFQ	9859	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/533	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-JANS1N6330C	Ear99	8541.10.0050	1			1,4 V @ 1 A	50 Na @ 14 V						18 v	14 ohms
CDS979B-1	-	RFQ	5381	Microchip Technology	*	Volume	Ativo									-	Alcançar Não Afetado	150-CDS979B-1	Ear99	8541.10.0050	50
1n4437fs	204.6750	RFQ	2666	Microchip Technology	-	Volume	Ativo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassi, montagem em pântano	Stud		Padrão		-	download	Alcançar Não Afetado	150-1N4437FS	Ear99	8541.10.0080	1			1,2 V @ 10 A	10 µA A 400 V		10 a		Fase Única	400 v
1N4741AGE3	3.3300	RFQ	8960	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204al, do041, axial			1 w	DO-41	-	Alcançar Não Afetado	150-1N4741AGE3	Ear99	8541.10.0050	1			1,2 V @ 200 mA	5 µA a 8,4 V						11 v	8 ohms
1N5519	2.7150	RFQ	6738	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-1N5519	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 mA	3 µA A 900 mV						3,6 v
UZ7707HR2	647.4450	RFQ	1017	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem do Pino	Stud			10 w	Axial	-	Alcançar Não Afetado	150-UZ7707HR2	Ear99	8541.10.0050	1				800 µA a 5,7 V						7,5 v	0,7 ohms
Jankca1N4109D	-	RFQ	5844	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/435	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Morrer			500 MW	Morrer	-	Alcançar Não Afetado	150-JANKCA1N4109D	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 mA	50 Na @ 11,4 V						15 v	100 ohms
Jantxv1n6348d	46.9200	RFQ	3546	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/533	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-JANTXV1N6348D	Ear99	8541.10.0050	1			1,4 V @ 1 A	50 Na @ 76 V						100 v	340 ohms
1N4743AE3	3.6450	RFQ	8984	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Através do buraco	Do-204al, do041, axial			1 w	DO-41	-	Alcançar Não Afetado	150-1N4743AE3	Ear99	8541.10.0050	1			1,2 V @ 200 mA	5 µA A 9,9 V						13 v	10 ohms
1N935AE3	5.7300	RFQ	7286	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-	Através do buraco	Do-204aa, do-7, axial			500 MW	Do-7	-	Alcançar Não Afetado	150-1N935AE3	Ear99	8541.10.0050	1										9 v	20 ohms
CDLL4975	11.1450	RFQ	7165	Microchip Technology	*	Volume	Ativo									-	Alcançar Não Afetado	150-CDLL4975	Ear99	8541.10.0050	1
Jantxv1n6343dus	68.5500	RFQ	6214	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/533	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SQ-Melf, b			500 MW	B, Sq-Melf	-	Alcançar Não Afetado	150-Jantxv1N6343dus	Ear99	8541.10.0050	1			1,4 V @ 1 A	50 Na @ 47 V						62 v	125 ohms
1N4713D	9.8100	RFQ	1422	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204aa, do-7, axial			500 MW	Do-7	-	Alcançar Não Afetado	150-1N4713D	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 mA	10 Na @ 22,8 V						30 v
1N1362	44.3850	RFQ	3372	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 10%	-	Montagem do Pino	DO-203AA, DO-4, Stud	1N136		10 w	Do-203aa (DO-4)	-	Alcançar Não Afetado	150-1N1362	Ear99	8541.10.0050	1										30 v	4 ohms
1N1672	158.8200	RFQ	2417	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Montagem do Pino	DO-205AB, DO-9, Stud		Padrão		DO-205AB (DO-9)	download	Alcançar Não Afetado	150-1N1672	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	150 v	1,3 V @ 300 A	75 µA A 150 V	-65 ° C ~ 190 ° C.	275a	-
Janhca1n755d	-	RFQ	6716	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-JANHCA1N755D	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 mA	100 Na @ 1 V						7,5 v	6 ohms
CDLL4627C	7.8600	RFQ	5337	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	Alcançar Não Afetado	150-CDLL4627C	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 mA	10 µA a 5 V						6.2 v	1200 ohms

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