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Diodos (34409)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Poder - Máx	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)
Janhca1n4132d	-	RFQ	4615	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/435	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Morrer			500 MW	Morrer	-	Alcançar Não Afetado	150-JANHCA1N4132D	Ear99	8541.10.0050	100					1,1 V @ 200 mA		10 Na @ 62,32 V				82 v	800 ohms
Jantxv1N4485Cus	45.1350	RFQ	2115	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SQ-Melf, a			1,5 w	D-5A	-	Alcançar Não Afetado	150-Jantxv1N4485CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1,5 V @ 1 A		250 Na @ 54,4 V				68 v	100 ohms
Janhca1N4117D	-	RFQ	8521	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/435	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Morrer			500 MW	Morrer	-	Alcançar Não Afetado	150-JANHCA1N4117D	Ear99	8541.10.0050	100					1,1 V @ 200 mA		10 Na @ 19 V				25 v	150 ohms
Janhca1N4103C	-	RFQ	7404	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/435	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Morrer			500 MW	Morrer	-	Alcançar Não Afetado	150-JANHCA1N4103C	Ear99	8541.10.0050	100					1,1 V @ 200 mA		1 µA a 6,92 V				9.1 v	200 ohms
CDLL5257D	8.4150	RFQ	8410	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-	Alcançar Não Afetado	150-CDLL5257D	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 mA		100 Na @ 25 V				33 v	58 ohms
CDLL5279A	3.5850	RFQ	5708	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 10%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Montagem na Superfície	DO-213AA				DO-213AA	-	Alcançar Não Afetado	150-CDLL5279A	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 mA		100 Na @ 130 V				180 v	2200 ohms
CDLL5240C	6.7200	RFQ	6438	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-	Alcançar Não Afetado	150-CDLL5240C	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 mA		3 µA a 8 V				10 v	17 ohms
CDLL5239D	8.4150	RFQ	4477	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-	Alcançar Não Afetado	150-CDLL5239D	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 mA		3 µA a 7 V				9.1 v	10 ohms
UZ8120	22.4400	RFQ	8049	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	A, axial			1 w	A, axial	-	Alcançar Não Afetado	150-UZ8120	Ear99	8541.10.0050	1							500 Na @ 152 V				200 v	1500 ohms
1N5276	3.1950	RFQ	8790	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-1N5276	Ear99	8541.10.0050	1					1,5 V @ 200 mA		100 Na @ 108 V				150 v	1500 ohms
Jantx1N6348CUS	39.7950	RFQ	2725	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/533	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SQ-Melf, b			500 MW	B, Sq-Melf	-	Alcançar Não Afetado	150-Jantx1N6348CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1,4 V @ 1 A		50 Na @ 76 V				100 v	340 ohms
CDS5526B-1	-	RFQ	2143	Microchip Technology	*	Volume	Ativo									-	Alcançar Não Afetado	150-CDS5526B-1	Ear99	8541.10.0050	50
CD750D	-	RFQ	5513	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Morrer			500 MW	Morrer	-	Alcançar Não Afetado	150-CD750D	Ear99	8541.10.0050	223					1,5 V @ 200 mA		5 µA A 1,5 V				4,7 v	19 ohms
R504100TS	158.8200	RFQ	7960	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Montagem do Pino	DO-205AB, DO-9, Stud		Polaridada reversa padrão		DO-205AB (DO-9)	-	Alcançar Não Afetado	150-R504100TS	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		1000 v		1,25 V @ 1000 A		75 µA A 1000 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	300A	-
1N1367	44.3850	RFQ	8806	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 10%	-	Montagem do Pino	DO-203AA, DO-4, Stud	1N136		10 w	Do-203aa (DO-4)	-	Alcançar Não Afetado	150-1N1367	Ear99	8541.10.0050	1											47 v	7 ohms
1N5989	1.9950	RFQ	8924	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-1N5989	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 mA		50 µA A 500 mV				3,6 v	95 ohms
1N4371A-1	2.6400	RFQ	4812	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	download	Alcançar Não Afetado	150-1N4371A-1	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 mA		75 µA @ 1 V				2,7 v	30 ohms
1N824AE3	3.9150	RFQ	3523	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-1N824AE3	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 v	15 ohms
CDLL4689AE3	3.7350	RFQ	3633	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	Alcançar Não Afetado	150-CDLL4689AE3	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 mA		10 µA A 3 V				5.1 v
Jan1n4148Ubcd	26.3700	RFQ	6996	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/116	Volume	Ativo			Montagem na Superfície	3-SMD, sem chumbo	1N4148	Padrão		UBC	-	Alcançar Não Afetado	150-JAN1N4148UBCD	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE	75 v	1a	800 mV @ 100 Ma	5 ns	25 Na @ 20 V	-65 ° C ~ 200 ° C.
1n6001bur-1	3.5850	RFQ	3061	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	Alcançar Não Afetado	150-1N6001bur-1	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 mA		100 Na @ 8,4 V				11 v	18 ohms
CDLL5242C	6.7200	RFQ	4487	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-	Alcançar Não Afetado	150-CDLL5242C	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 mA		1 µA A 9,1 V				12 v	30 ohms
1N4575	4.0650	RFQ	2054	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204aa, do-7, axial			500 MW	Do-7	download	Alcançar Não Afetado	150-1N4575	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6,4 v	50 ohms
1N1304	45.3600	RFQ	9289	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Montagem do Pino	DO-203AB, DO-5, Stud		Padrão		DO-5 (DO-203AB)	download	Alcançar Não Afetado	150-1N1304	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		200 v		1,19 V @ 90 A	5 µs	10 µA A 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	37a	-
S307060F	49.0050	RFQ	2165	Microchip Technology	*	Volume	Ativo									-	Alcançar Não Afetado	150-S307060F			1
1N3499	5.4750	RFQ	9942	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	-	-	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial				DO-35 (DO-204AH)	-	Alcançar Não Afetado	150-1N3499	Ear99	8541.10.0050	1
1N4256SM	12.9000	RFQ	5945	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Montagem na Superfície	SQ-Melf, s		Padrão		S, Sq-Melf	download	Alcançar Não Afetado	150-1N4256SM	Ear99	8541.10.0070	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		2500 v		3,5 V @ 100 Ma		1 µA A 2500 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	250mA	-
Jankca1N4109C	-	RFQ	4489	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/435	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Morrer			500 MW	Morrer	-	Alcançar Não Afetado	150-JANKCA1N4109C	Ear99	8541.10.0050	100					1,1 V @ 200 mA		50 Na @ 11,4 V				15 v	100 ohms
1N2250	44.1600	RFQ	4047	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Montagem do Pino	DO-203AA, DO-4, Stud		Padrão		DO-4 (DO-203AA)	download	Alcançar Não Afetado	150-1N2250	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		200 v		1,2 V @ 30 A		10 µA A 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	22a	-
1n4746ur-1	3.4650	RFQ	5130	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Do-213ab, Mell (Vidro)			1 w	DO-213AB (Mell, LL41)	-	Alcançar Não Afetado	150-1N4746UR-1	Ear99	8541.10.0050	1					1,2 V @ 200 mA		5 µA A 13,7 V				18 v	20 ohms

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