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Diodos (34409)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Poder - Máx	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)
Jantx1n3046b-1	-	RFQ	1915	Microchip Technology	-	Volume	Ativo									-	Rohs Não Compatível		Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	1
CDS945B-1/TR	-	RFQ	2596	Microchip Technology	*	Tape & Reel (TR)	Ativo									-			Alcançar Não Afetado	150-CDS945B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
MSASC75W15FS/TR	-	RFQ	1815	Microchip Technology	*	Tape & Reel (TR)	Ativo									-			Alcançar Não Afetado	150-MSASC75W15FS/tr			100
1N5933A	3.0300	RFQ	4097	Microchip Technology	MIL-PRF-19500	Volume	Ativo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204al, do041, axial	1N5933		1,25 w	DO-41	download	Rohs Não Compatível		Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	1					1,2 V @ 200 mA		1 µA A 16,7 V				22 v	17,5 ohms
CDS5535B-1/TR	-	RFQ	1985	Microchip Technology	*	Tape & Reel (TR)	Ativo									-			Alcançar Não Afetado	150-CDS5535B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
MSC2X51SDA070J	47.7600	RFQ	76	Microchip Technology	-	Tubo	Ativo			Montagem do chassi	SOT-227-4, Minibloc	MSC2X51	Sic (carboneto de Silíc) Schottky		SOT-227 (Isotop®)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	150-MSC2X51SDA070J	Ear99	8541.10.0080	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)	2 Independente	700 v	50a (DC)	1,8 V @ 50 A	0 ns	200 µA a 700 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
1N5751D	4.6800	RFQ	1124	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	1N5751		500 MW	DO-35	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	1					900 mV a 10 mA		100 Na @ 30 V				43 v	150 ohms
Jan1n6764r	-	RFQ	5874	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Através do buraco	TO-254-3, TO-254AA (Leads retos)		Padrão		To-254	-	Rohs Não Compatível		Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		150 v		1,05 V @ 12 A	35 ns	10 µA A 200 V	-	12a	300pf @ 5V, 1MHz
1N5340AE3/TR13	0,9900	RFQ	1464	Microchip Technology	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Através do buraco	T-18, axial	1N5340		5 w	T-18	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	1.250					1,2 V @ 1 A		1 µA A 3 V				6 v	1 ohms
CDLL3825A	10.1250	RFQ	6561	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem NA Superfície	Do-213ab, Mell	CDLL3825		1 w	DO-213AB	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	1					1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V				4,7 v	8 ohms
1N4775A	16.9650	RFQ	8635	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	1N4775		500 MW	DO-35	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	1											8,5 v	200 ohms
Janhca1n5544d	-	RFQ	4358	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/437	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcançar Não Afetado	150-JANHCA1N5544D	Ear99	8541.10.0050	100					1,1 V @ 200 mA		10 Na @ 25,2 V				28 v	100 ohms
Jankca1n746d	-	RFQ	5296	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcançar Não Afetado	150-JANKCA1N746D	Ear99	8541.10.0050	100					1,1 V @ 200 mA		10 µA A 1 V				3,3 v	28 ohms
1N3139	245.8350	RFQ	3833	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Montagem do Pino	Do-205AA, DO-8, Stud		Padrão		Do-205AA (DO-8)	download			Alcançar Não Afetado	150-1N3139	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		50 v		1,2 V @ 200 A		50 µA a 50 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	100a	-
1n5924b	3.0300	RFQ	2751	Microchip Technology	MIL-PRF-19500	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204al, do041, axial	1N5924		1,25 w	DO-41	download	Rohs Não Compatível		Alcançar Não Afetado	1n5924bms	Ear99	8541.10.0050	1					1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 7 V				9.1 v	4 ohms
Jantxv1N6631	-	RFQ	5995	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/590	Volume	Descontinuado no sic			Através do buraco	E, axial		Padrão		E-pak	-	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		1100 v		1,6 V @ 1,4 A	60 ns	4 µA A 1100 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	1.4a	40pf @ 10V, 1MHz
SMBJ5922CE3/TR13	1.3350	RFQ	9832	Microchip Technology	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Montagem NA Superfície	DO-214AA, SMB	SMBJ5922		2 w	SMBJ (DO-214AA)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	3.000					1,2 V @ 200 mA		5 µA a 6 V				7,5 v	3 ohms
Jantxv1n2846rb	-	RFQ	8469	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/114	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-204AD	1N2846		10 w	TO-204AD (TO-3)	-	Rohs Não Compatível		Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	1					1,5 V @ 2 A		10 µA A 152 V				200 v	90 ohms
UZ5850	32.2650	RFQ	2785	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	B, axial			5 w	B, axial	-			Alcançar Não Afetado	150-UZ5850	Ear99	8541.10.0050	1							5 µA A 36 V				50 v	25 ohms
Jantxv1n5538bur-1	19.3500	RFQ	4863	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/437	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem NA Superfície	DO-213AA (Vidro)	1N5538		500 MW	DO-213AA	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 mA		10 Na @ 16,2 V				18 v	100 ohms
1N4132	2.4450	RFQ	4353	Microchip Technology	*	Volume	Ativo					1N4132				download	Rohs Não Compatível		Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	1
1n5416/tr	6.6450	RFQ	4350	Microchip Technology	-	Tape & Reel (TR)	Ativo			Através do buraco	B, axial		Padrão		B, axial	download	ROHS3 Compatível		Alcançar Não Afetado	150-1N5416/tr	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		100 v		1,5 V @ 9 A	150 ns	1 µA A 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	3a	-
Jantxv1n6337us	22.3050	RFQ	3291	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/533	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem NA Superfície	SQ-Melf, b	1N6337		500 MW	B, Sq-Melf	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	1					1,4 V @ 1 A		50 Na @ 27 V				36 v	50 ohms
JAN1N3025C-1	17.3250	RFQ	9464	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/115	Volume	Ativo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	1N3025		1 w	DO-41	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	1					1,2 V @ 200 mA		10 µA A 12,2 V				16 v	16 ohms
1N5947C	6.7950	RFQ	3792	Microchip Technology	MIL-PRF-19500	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204al, do041, axial	1N5947		1,25 w	DO-41	download	Rohs Não Compatível		Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	1					1,2 V @ 200 mA		1 µA A 62,2 V				82 v	160 ohms
JAN1N3035DUR-1/TR	36.2558	RFQ	2174	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C.	Montagem NA Superfície	Do-213ab, Mell (Vidro)			1 w	DO-213AB (Mell, LL41)	download	ROHS3 Compatível		Alcançar Não Afetado	150-JAN1N3035DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1,2 V @ 200 mA		10 µA a 32,7 V				43 v	70 ohms
Jan1n6776	-	RFQ	1163	Microchip Technology	-	Volume	Ativo			Através do buraco	TO-257-3		Padrão		To-257	-	Rohs Não Compatível		Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		150 v		1,15 V @ 15 A	35 ns	10 µA a 800 mV	-65 ° C ~ 150 ° C.	15a	300pf @ 5V, 1MHz
Jankca1N4372C	-	RFQ	6552	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcançar Não Afetado	150-JANKCA1N4372C	Ear99	8541.10.0050	100					1,1 V @ 200 mA		50 µA @ 1 V				3 v	29 ohms
Jantx1N5542C-1	18.8100	RFQ	7458	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/437	Volume	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	1N5542		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 mA		10 Na @ 21,6 V				24 v	100 ohms
Jantx1N966Dur-1	18.0300	RFQ	4356	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/117	Volume	Ativo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	1N966		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 mA		500 Na @ 12 V				16 v	17 ohms

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