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| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4730AT/R. | 0,1500 |  | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-1N4730AT/RTR | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 50 µA @ 1 V | 3,9 v | 9 ohms | ||||||||||
 | 1N5234BT/R. | 0,0400 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5234BT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,1 V @ 200 mA | 5 µA A 4 V | 6.2 v | 7 ohms | ||||||||||
| BYD33mbulk | 0,2100 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Avalanche | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-byd33mbulk | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 300 ns | 1 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.3a | - | ||||||||
| HER101BULK | 0,2100 | | 7 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-HER101BULK | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
| SR1J | 0,0593 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | SMA (DO-214AC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-SR1JTR | 8541.10.0000 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
| 1n5819bulk | 0,2100 | | 3 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N5819 | Schottky | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5819Bulk | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 600 mV @ 1 a | 1 mA a 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 110pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
 | MR850T/R. | 0,1100 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-MR850T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,25 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
| 1N5392T/R. | 0,0400 | | 60 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5392T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 1,5 A | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| SF55-BULK | 0,5800 | | 3 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-SF55-BULK | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,7 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA A 300 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||
| HER103T/R. | 0,0500 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-HER103T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
| HER108BULK | 0,2400 | | 2 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-HER108BULK | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
| MR760 | 0,7500 | | 350 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | D-6, axial | Padrão | D6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-MR760 | 8541.10.0000 | 800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 900 mV @ 6 A | 25 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 22a | - | ||||||||
| 1n5407bulk | 0,1800 | | 4 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5407bulk | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 950 mV @ 3 a | 5 µA A 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| 1n4007bulk | 0,1800 | | 17 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-1N4007Bulk | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
| 1n5226bbulk | 0,1800 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5226BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V @ 200 mA | 25 µA @ 1 V | 3,3 v | 28 ohms | ||||||||||
| 1N4744A | 0,0650 | | 100 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4744ATR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 11,4 V | 15 v | 14 ohms | ||||||||||
| 1n5355bbulk | 0,4000 | | 2 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 5 w | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5355BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 13,7 V | 18 v | 2,5 ohms | ||||||||||
| BYD33GBULK | 0,2100 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Avalanche | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BYD33GBULK | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 1 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.3a | - | ||||||||
| 1n5402bulk | 0,1800 | | 6 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5402Bulk | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 3 a | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| 1N4753ABULK | 0,1800 | | 4 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4753ABULK | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 27,4 V | 36 v | 50 ohms | ||||||||||
| Dr204t/r | 0,0600 | | 15 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Padrão | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-DR204T/RTR | 8541.10.0000 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 2 A | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 75pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| HER305T/R. | 0,2000 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-HER305T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA A 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
| MR2504 | 0,3900 | | 2 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | Automotivo | Bolsa | Ativo | Montagem na Superfície | Botão Microde | Padrão | Senhor | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-MR2504 | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 25 A | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 25a | - | ||||||||
| AR3504 | 0,3100 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | Automotivo | Bolsa | Ativo | Montagem na Superfície | Botão Microde | Padrão | Botão Microde | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-AR3504 | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 35 A | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 35a | - | |||||||||
| 1N5238BT/R. | 0,0400 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5238BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V @ 200 mA | 3 µA A 6,5 V | 8,7 v | 8 ohms | ||||||||||
| 1N5397T/R. | 0,0400 | | 55 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5397T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1,5 A | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| 1N4732ABULK | 0,1200 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-1N4732ABULK | 1.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 1 V | 4,7 v | 8 ohms | ||||||||||
| 1n4005bulk | 0,1300 | | 7 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-1N4005BULK | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
| 1N4748A | 0,0600 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4748atr | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 16,7 V | 22 v | 23 ohms | ||||||||||
| 1n5245bt/r | 0,0400 | | 20 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5245BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V @ 200 mA | 100 Na @ 11 V | 15 v | 16 ohms |
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