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Diodos (453)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BR804 | 0,9200 |  | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 Quadrados, BR-10 | Padrão | BR-10 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BR804 | 8541.10.0000 | 200 | 1 V @ 4 a | 10 µA A 400 V | 8 a | Fase Única | 400 v | ||||||||||||
| FR103T/R. | 0,0400 | | 35 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-FR103T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
 | Fr303bulk | 0,2100 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-FR303BULK | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| BR1002 | 0,9400 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 Quadrados, BR-10 | BR1002 | Padrão | BR-10 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BR1002 | 8541.10.0000 | 200 | 1,1 V @ 5 A | 10 µA A 200 V | 10 a | Fase Única | 200 v | |||||||||||
| Her305bulk | 0,2600 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-HER305BULK | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA A 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| BR1500 | 2.3400 | | 700 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 4 quadrados, BR-50 | Padrão | BR-50 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BR1500 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V @ 7,5 A | 10 µA a 50 V | 15 a | Fase Única | 50 v | ||||||||||||
| 1n4006bulk | 0,1300 | | 48 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-1N4006Bulk | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA A 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
 | 1n5247bbulk | 0,1800 | | 2 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5247BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V @ 200 mA | 100 Na @ 13 V | 17 v | 19 ohms | ||||||||||||
| 1N4744 | 0,0350 | | 15 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4744TR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 11,4 V | 15 v | 14 ohms | ||||||||||||
| 1N4738T/R. | 0,0500 | | 20 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4738T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA a 6 V | 8.2 v | 4,5 ohms | ||||||||||||
| 1N5377ABULK | 0,3300 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 5 w | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5377ABULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 65,5 V | 91 v | 75 ohms | ||||||||||||
| BR5006W | 3.7500 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 quadrados, BR-50W | Padrão | BR-50W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BR5006W | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA A 600 V | 50 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||||
| RBV5008 | 3.9300 | | 620 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, RBV-25 | Padrão | RBV-25 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-RBV5008 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA a 800 V | 50 a | Fase Única | 800 v | |||||||||||
| 1N5818T/R. | 0,1000 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Schottky | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5818T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 1 mA a 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 110pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
| 1N4759AT/R. | 0,0500 | | 20 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4759AT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 47,1 V | 62 v | 125 ohms | ||||||||||||
| 1N5338A | 0,4100 | | 9 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 5 w | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5338a | 8541.10.0000 | 3.000 | 1,2 V @ 1 A | 1 µA a 1 V | 5.1 v | 1,5 ohms | ||||||||||||
| HER107BULK | 0,2400 | | 15 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-HER107BULK | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| Z1200-T/R. | 0,0400 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-Z1200-T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 152 V | 200 v | 1900 ohms | |||||||||||
| BR2506 | 2.7800 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 4 quadrados, BR-50 | Padrão | BR-50 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BR2506 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V @ 12,5 A | 10 µA A 600 V | 25 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||||
| 1N4752AT/R. | 0,0600 | | 15 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4752AT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 25,1 V | 33 v | 45 ohms | ||||||||||||
| RBV3506 | 2.8100 | | 900 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, RBV-25 | Padrão | RBV-25 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-RBV3506 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V @ 17,5 A | 10 µA A 600 V | 35 a | Fase Única | 600 v | |||||||||||
| RBV2501 | 1.6400 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, RBV-25 | Padrão | RBV-25 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-RBV2501 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V @ 12,5 A | 10 µA A 100 V | 25 a | Fase Única | 100 v | |||||||||||
| KBL410 | 1.2300 | | 2 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, kbl | Padrão | Kbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-KBL410 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V @ 4 A | 10 µA A 1000 V | 4 a | Fase Única | 1 kv | |||||||||||
| 1n749abulk | 0,2100 | | 4 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N749abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 4.3 v | 22 ohms | ||||||||||||
| 1N5359B | 0,1150 | | 6 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 5 w | DO-15 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5359BTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 18,2 V | 24 v | 3,5 ohms | ||||||||||||
| 1N5359A | 0.1330 | | 6 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 5 w | DO-15 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5359atr | 8541.10.0000 | 3.000 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 17,3 V | 24 v | 3,5 ohms | ||||||||||||
| 1N4738 | 0,0500 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4738TR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA a 6 V | 8.2 v | 4,5 ohms | ||||||||||||
| 1N5362BT/R. | 0,1100 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 5 w | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5362BT/RTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 21,2 V | 28 v | 6 ohms | ||||||||||||
| BR1001 | 0,9500 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 Quadrados, BR-10 | BR1001 | Padrão | BR-10 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BR1001 | 8541.10.0000 | 200 | 1,1 V @ 5 A | 10 µA A 100 V | 10 a | Fase Única | 100 v | |||||||||||
| 1N5402T/R. | 0,0800 | | 21 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5402T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 3 a | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 28pf @ 4V, 1MHz |
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