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Diodos (453)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4007W | 0,0670 |  | 2547 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4007WTR | 8541.10.0000 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1N5923BBULK | 0,1600 | | 7 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1,5 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5923BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 5 µA A 6,5 V | 8.2 v | 3,5 ohms | |||||||||||||
| 1n5394bulk | 0,1800 | | 20 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5394Bulk | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,1 V @ 1,5 A | 5 µA A 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
| 10HCB | 0,0400 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-10HCBTR | 8541.10.0000 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||
 | 1n5251bt/r | 0,0400 | | 20 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5251BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V @ 200 mA | 100 Na @ 17 V | 22 v | 29 ohms | ||||||||||||
| BR606 | 0,7600 | | 3 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 Quadrados, BR-6 | Padrão | BR-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BR606 | 8541.10.0000 | 200 | 1 V @ 3 A | 10 µA A 600 V | 6 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||||
| RBV1006 | 1.4600 | | 500 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, RBV-25 | Padrão | RBV-25 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-RBV1006 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 5 A | 10 µA A 600 V | 10 a | Fase Única | 600 v | |||||||||||
| BR604 | 0,7500 | | 2 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 Quadrados, BR-6 | Padrão | BR-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BR604 | 8541.10.0000 | 200 | 1 V @ 3 A | 10 µA A 400 V | 6 a | Fase Única | 400 v | ||||||||||||
 | Fr306bulk | 0,2100 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-FR306BULK | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 3 A | 500 ns | 10 µA a 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| KBP208 | 0,8500 | | 2 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBP | Padrão | KBP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-KBP208 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 1 A | 10 µA a 800 V | 2 a | Fase Única | 800 v | |||||||||||
| SB390 | 0,1338 | | 7 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-SB390TR | 8541.10.0000 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 790 mV @ 3 a | 500 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||||||||||
| HER301T/R. | 0,1500 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-HER301T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1n5349bbulk | 0,3600 | | 3 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 5 w | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5349BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 1 A | 2 µA A 9,1 V | 12 v | 2,5 ohms | ||||||||||||
| Rm11b-bulk | 0,1900 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | D-2, axial | Padrão | D2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-rm11b-bulk | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 920 mV @ 1,5 A | 10 µA a 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.2a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| HER104T/R. | 0,0600 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-HER104T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 300 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1n5381bbulk | 0,3800 | | 4 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 5 w | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5381BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 98,8 V | 130 v | 190 ohms | ||||||||||||
| KBL400 | 1.0000 | | 900 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, kbl | Padrão | Kbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-KBL400 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V @ 4 A | 10 µA a 50 V | 4 a | Fase Única | 50 v | ||||||||||||
| SF56-Bulk | 0,6700 | | 3 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-SF56-BULK | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,7 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA A 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| 3EZ330D5T/R. | 0,2100 | | 9 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 3 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-3EZ330D5T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 2 V @ 200 mA | 1 µA @ 251 V | 330 v | 2200 ohms | ||||||||||||
| RBV600 | 0,9900 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, RBV-25 | Padrão | RBV-25 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-RBV600 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 3 A | 10 µA a 50 V | 6 a | Fase Única | 50 v | |||||||||||
| 1n4933bulk | 0,1800 | | 98 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4933BULK | 8541.10.0000 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,2 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| Rm3a | 0,0517 | | 7 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-rm3atr | 8541.10.0000 | 1.250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 950 mV @ 2,5 A | 10 µA A 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2.5a | - | |||||||||||
| MR754T/R. | 0,2900 | | 2 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | Automotivo | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | D-6, axial | Padrão | D6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-MR754T/RTR | 8541.10.0000 | 800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 900 mV @ 6 A | 25 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - | |||||||||||
| 1n4733bulk | 0,1800 | | 3 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4733BULK | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 1 V | 5.1 v | 7 ohms | ||||||||||||
| BY550-1000G | 0,9100 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439 POR 550-1000G | 8541.10.0000 | 50 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 5 A | 20 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
| 1n4935bulk | 0,1800 | | 51 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4935Bulk | 8541.10.0000 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,2 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1N5932BT/R. | 0,0500 | | 20 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1,5 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5932BT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1 µA A 15,2 V | 20 v | 14 ohms | |||||||||||||
| 1N5819ST/R. | 0,0400 | | 25 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N5819 | Schottky | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5819ST/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 600 mV @ 1 a | 1 mA a 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 110pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| Sf13-bulk | 0,2100 | | 15 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-SF13-BULK | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA A 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| 1N5392Bulk | 0,1800 | | 20 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5392Bulk | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 1,5 A | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz |
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