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Diodos (453)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Rm3a | 0,0517 |  | 7 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-rm3atr | 8541.10.0000 | 1.250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 950 mV @ 2,5 A | 10 µA A 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2.5a | - | ||||||||||
 | MR754T/R. | 0,2900 | | 2 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | Automotivo | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | D-6, axial | Padrão | D6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-MR754T/RTR | 8541.10.0000 | 800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 900 mV @ 6 A | 25 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - | ||||||||||
| BYD13DBULK | 0,2100 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Avalanche | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-byd13dbulk | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,05 V @ 1 A | 1 µA A 200 V | 175 ° C. | 1.4a | - | ||||||||||
| 1N4750A | 0,1800 | | 11 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4750A | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 20,6 V | 27 v | 35 ohms | |||||||||||
 | 1n5246bt/r | 0,0400 | | 30 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5246BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V @ 200 mA | 100 Na @ 12 V | 16 v | 17 ohms | |||||||||||
| BR1004 | 0,9800 | | 2 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 Quadrados, BR-10 | Padrão | BR-10 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BR1004 | 8541.10.0000 | 200 | 1,1 V @ 5 A | 10 µA A 400 V | 10 a | Fase Única | 400 v | |||||||||||
| BR2510 | 2.8100 | | 250 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 4 quadrados, BR-50 | Padrão | BR-50 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BR2510 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V @ 12,5 A | 10 µA A 1000 V | 25 a | Fase Única | 1 kv | |||||||||||
| 1N752AT/R. | 0,0300 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N752AT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA a 1 V | 5,6 v | 11 ohms | |||||||||||
| 1N4730ABULK | 0,1500 | | 3 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-1N4730ABULK | 1.000 | 1,2 V @ 200 mA | 50 µA @ 1 V | 3,9 v | 9 ohms | |||||||||||
| BR1000 | 0,9400 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 Quadrados, BR-10 | Padrão | BR-10 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BR1000 | 8541.10.0000 | 200 | 1,1 V @ 5 A | 10 µA a 50 V | 10 a | Fase Única | 50 v | |||||||||||
| 1n759abulk | 0,2100 | | 4 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N759abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 12 v | 30 ohms | |||||||||||
| 1n4933bulk | 0,1800 | | 98 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4933BULK | 8541.10.0000 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,2 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| RBV604 | 1.1600 | | 400 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, RBV-25 | Padrão | RBV-25 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-RBV604 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 3 A | 10 µA A 400 V | 6 a | Fase Única | 400 v | ||||||||||
| Fkbl406mbulk | 1.8500 | | 900 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, kbl | Padrão | Kbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-FKBL406mbulk | 8541.10.0000 | 50 | 1,4 V @ 4 a | 10 µA A 600 V | 4 a | Fase Única | 600 v | |||||||||||
| 1N5393T/R. | 0,0400 | | 15 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5393T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1,5 A | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1N4758ABULK | 0,1800 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4758ABULK | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 42,6 V | 56 v | 110 ohms | |||||||||||
| 1N4736AT/R. | 0,0500 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4736AT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 4 V | 6,8 v | 3,5 ohms | |||||||||||
| 1N5361AT/R. | 0,1500 | | 7 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 5 w | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5361AT/RTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 19,4 V | 27 v | 5 ohms | |||||||||||
| 1N4747ABULK | 0,1800 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4747ABULK | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 15,2 V | 20 v | 22 ohms | |||||||||||
| Her303Bulk | 0,2500 | | 2 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-HER303BULK | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| 1N5223BT/R. | 0,0400 | | 20 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5223BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V @ 200 mA | 75 µA @ 1 V | 2,7 v | 30 ohms | |||||||||||
| 1N4732AG | 0,1800 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4732AG | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 1 V | 4,7 v | 8 ohms | |||||||||||
| BR1502 | 2.3500 | | 900 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 4 quadrados, BR-50 | Padrão | BR-50 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BR1502 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V @ 7,5 A | 10 µA A 200 V | 15 a | Fase Única | 200 v | |||||||||||
| 1N5232BBULK | 0,1800 | | 2 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5232BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V @ 200 mA | 5 µA @ 3 V | 5,6 v | 11 ohms | |||||||||||
| 1N5240BT/R. | 0,0400 | | 20 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5240BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V @ 200 mA | 3 µA a 8 V | 10 v | 17 ohms | |||||||||||
| 1n5360bbulk | 0,4000 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 5 w | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5360BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 19 V | 25 v | 4 ohms | |||||||||||
| 1N5229BT/R. | 0,0400 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5229BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 22 ohms | |||||||||||
| 1N5923BBULK | 0,1600 | | 7 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1,5 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5923BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 5 µA A 6,5 V | 8.2 v | 3,5 ohms | ||||||||||||
| 3EZ330D5T/R. | 0,2100 | | 9 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 3 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-3EZ330D5T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 2 V @ 200 mA | 1 µA @ 251 V | 330 v | 2200 ohms | |||||||||||
| 1n5394bulk | 0,1800 | | 20 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5394Bulk | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,1 V @ 1,5 A | 5 µA A 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz |
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