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Diodos (453)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HER101T/R. | 0,0500 |  | 15 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-HER101T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | 1n5241bt/r | 0,0400 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5241BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V @ 200 mA | 2 µA a 8,4 V | 11 v | 22 ohms | |||||||||||
 | Her302bulk | 0,2400 | | 7 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-HER302BULK | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| 1N5402T/R. | 0,0800 | | 21 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5402T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 3 a | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1N4731ABULK | 0,1300 | | 12 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-1N4731ABULK | 1.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 1 V | 4.3 v | 9 ohms | |||||||||||
| AR2502 | 0,2800 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | Automotivo | Bolsa | Ativo | Montagem na Superfície | Botão Microde | Padrão | Botão Microde | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-AR2502 | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 25 A | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 25a | - | ||||||||||
| 1N4753AT/R. | 0,0600 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4753AT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 27,4 V | 36 v | 50 ohms | |||||||||||
| 1N4751A | 0,1800 | | 29 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4751A | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 22,8 V | 30 v | 40 ohms | |||||||||||
| 1n5400bulk | 0,1800 | | 4 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5400Bulk | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 3 a | 5 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1n5243bt/r | 0,0400 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5243BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V @ 200 mA | 500 Na @ 9,9 V | 13 v | 13 ohms | |||||||||||
| 1n748abulk | 0,2100 | | 14 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N748abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 1 V | 3,9 v | 23 ohms | |||||||||||
| 1N4738 | 0,0500 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4738TR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA a 6 V | 8.2 v | 4,5 ohms | |||||||||||
| 1N5359A | 0.1330 | | 6 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 5 w | DO-15 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5359atr | 8541.10.0000 | 3.000 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 17,3 V | 24 v | 3,5 ohms | |||||||||||
| 1N4728ABULK | 0,1500 | | 4 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-1N4728ABULK | 1.000 | 1,2 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 3,3 v | 10 ohms | |||||||||||
| 1n4738abulk | 0,1800 | | 3 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4738ABULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA a 6 V | 8.2 v | 4,5 ohms | |||||||||||
| 1N5400T/R. | 0,0900 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5400T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 3 a | 5 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1N4756A | 0,1800 | | 9 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4756a | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 35,8 V | 47 v | 80 ohms | |||||||||||
| 1N5253BBULK | 0,1800 | | 4 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5253BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V @ 200 mA | 100 Na @ 19 V | 25 v | 35 ohms | |||||||||||
| 1n5238bbulk | 0,1800 | | 4 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5238BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V @ 200 mA | 3 µA A 6,5 V | 8,7 v | 8 ohms | |||||||||||
| 1N5230BT/R. | 0,0400 | | 50 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5230BT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,1 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 4,7 v | 19 ohms | |||||||||||
| 1N5395T/R. | 0,0400 | | 35 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5395T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1,5 A | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1N4738AT/R. | 0,0500 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4738AT/R. | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA a 6 V | 8.2 v | 4,5 ohms | |||||||||||
| 1N5233BBULK | 0,1800 | | 4 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5233BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V @ 200 mA | 5 µA A 3,5 V | 6 v | 7 ohms | |||||||||||
| 1N4750AT/R. | 0,0600 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4750AT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 20,6 V | 27 v | 35 ohms | |||||||||||
| 1n4749bulk | 0,1800 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4749Bulk | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 18,2 V | 24 v | 25 ohms | |||||||||||
| Fr305bulk | 0,2100 | | 7 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-FR305BULK | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 3 A | 250 ns | 10 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| KBL404 | 1.1300 | | 500 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, kbl | Padrão | Kbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-KBL404 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V @ 4 A | 10 µA A 400 V | 4 a | Fase Única | 400 v | ||||||||||
| BR3504W | 2.5900 | | 600 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 quadrados, BR-50W | Padrão | BR-50W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BR3504W | 8541.10.0000 | 40 | 1,1 V @ 17,5 A | 10 µA A 400 V | 35 a | Fase Única | 400 v | |||||||||||
| 1N757AT/R. | 0,0300 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N757AT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 9.1 v | 10 ohms | |||||||||||
| BR3500 | 2.6600 | | 500 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 4 quadrados, BR-50 | Padrão | BR-50 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BR3500 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V @ 17,5 A | 10 µA a 50 V | 35 a | Fase Única | 50 v |
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