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| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G3S06504A | 3.0800 |  | 2311 | 0,00000000 | Tecnologia de Energia Global-GPT | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 4 a | 0 ns | 50 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 11.5a | 181pf @ 0V, 1MHz | |
 | G5S12002C | 2.8400 | | 7902 | 0,00000000 | Tecnologia de Energia Global-GPT | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-252 | download | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8.8a | 170pf @ 0V, 1MHz | |
 | G3S12010P | 13.9300 | | 3811 | 0,00000000 | Tecnologia de Energia Global-GPT | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-247AC | download | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,7 V @ 110 A | 0 ns | 50 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 37a | 765pf @ 0V, 1MHz | |
| G3S12010A | 17.2000 | | 2786 | 0,00000000 | Tecnologia de Energia Global-GPT | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 34.8a | 770pf @ 0V, 1MHz |
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