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Diodos(184)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G5S12020BM | 21.7500 |  | 2082 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AB | download | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 1200 V | 33A (CC) | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 30 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | ||||
 | G4S06510CT | 4.8600 | | 9621 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-252 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 31A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
 | G4S06510PT | 4.8600 | | 7075 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 31,2A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
 | G51XT | 2.1900 | | 1897 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123F | SiC (carboneto de silício) Schottky | SOD-123FL | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,6 V a 1 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 1,84A | 57,5pF a 0V, 1MHz |
Mais de 2.000
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30.000.000
Unidade de produto padrão
2.800+
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