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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | G4S06508DT | 4.6900 | ![]() | 5576 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-263 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 24A | 395pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G5S06505AT | 4.6400 | ![]() | 7102 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 24,5A | 395pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G3S17010B | 33.3200 | ![]() | 2827 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AB | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 1700 V | 29,5A (CC) | 1,7 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 1700 V | -55°C ~ 175°C | |||
![]() | G3S12015A | 20.6800 | ![]() | 4387 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 15 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 57A | 1700pF a 0V, 1MHz | |||
![]() | G3S12003H | 4.5600 | ![]() | 4100 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | Pacote Completo TO-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220F | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 3 A | 0 ns | 100 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 9A | 260pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G5S12002H | 3.0000 | ![]() | 6277 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | Pacote Completo TO-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220F | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 2 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 7,5A | 170pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G3S06508D | 4.8000 | ![]() | 9492 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-263 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 25,5A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G4S06508CT | 4.6900 | ![]() | 1563 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-252 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 24A | 395pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G3S06506C | 4.0700 | ![]() | 4536 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-252 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 6 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 22,5A | 424pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G5S12015PM | 16.5000 | ![]() | 6923 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AC | download | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 15 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 55A | 1370pF a 0 V, 1 MHz | ||||
![]() | G3S12010A | 17.2000 | ![]() | 2786 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 34,8A | 770pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G5S06508DT | 5.3200 | ![]() | 7962 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-263 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 32A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G3S12002H | 3.8200 | ![]() | 8263 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | Pacote Completo TO-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220F | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 2 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 7.3A | 136pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G5S06506QT | 5.5400 | ![]() | 4125 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | 4-PowerTSFN | SiC (carboneto de silício) Schottky | 4-DFN (8x8) | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 6 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 34A | 395pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G5S12020H | 26.0000 | ![]() | 3136 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | Pacote Completo TO-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220F | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 24,6A | 1320pF a 0V, 1MHz | |||
![]() | GÁS06520P | 11.1000 | ![]() | 4087 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 66,5A | 1390pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G4S12020PM | 30.5100 | ![]() | 4007 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,6 V a 20 A | 0 ns | 30 µA a 1700 V | -55°C ~ 175°C | 64,5A | 2600pF a 0V, 1MHz | |||
![]() | G4S06515HT | 8.3300 | ![]() | 1776 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | Pacote Completo TO-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220F | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 15 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 23,8A | 645pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G4S06515CT | 8.3300 | ![]() | 4595 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-252 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 15 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 35,8A | 645pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G3S17005C | 25.7200 | ![]() | 2406 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-252 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1700 V | 1,7 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 1700 V | -55°C ~ 175°C | 27A | 780pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G5S12008D | 8.0700 | ![]() | 8712 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-263 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 26.1A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G5S06510HT | 5.7300 | ![]() | 7291 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | Pacote Completo TO-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220F | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 23,8A | - | ||||
![]() | G3S06505C | 4.3100 | ![]() | 3183 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-252 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 22,6A | 424pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G5S06506CT | 4.8300 | ![]() | 2358 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-252 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 6 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 24A | 395pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G4S06540PT | 24.1500 | ![]() | 8892 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 40 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 81,8A | 1860pF a 0V, 1MHz | |||
![]() | G3S06504A | 3.0800 | ![]() | 2311 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita e Caixa (TB) | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 4 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 11,5A | 181pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G5S06508CT | 5.3200 | ![]() | 5536 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-252 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 31A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G3S06520P | 11.9400 | ![]() | 5761 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 60A | 1170pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G3S06520H | 11.9400 | ![]() | 1681 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | Pacote Completo TO-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220F | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 26A | 1170pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G5S12002A | 2.8400 | ![]() | 9027 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 2 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 10A | 170pF a 0 V, 1 MHz |

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