SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Tipo de montagem Pacote/Caso Tecnologia Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH ECCN HTSU Pacote Padrão Velocidade Configuração de diodo Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se Tempo de recuperação reversa (trr) Corrente - Vazamento reverso @ Vr Temperatura Operacional - Junção Corrente - Média Retificada (Io) Capacitância @ Vr, F
G4S06508DT Global Power Technology-GPT G4S06508DT 4.6900
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ECAD 5576 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-263 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 8 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 24A 395pF a 0 V, 1 MHz
G5S06505AT Global Power Technology-GPT G5S06505AT 4.6400
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ECAD 7102 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,5 V a 5 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 24,5A 395pF a 0 V, 1 MHz
G3S17010B Global Power Technology-GPT G3S17010B 33.3200
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ECAD 2827 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-3 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AB download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de cátodo comum 1700 V 29,5A (CC) 1,7 V a 5 A 0 ns 50 µA a 1700 V -55°C ~ 175°C
G3S12015A Global Power Technology-GPT G3S12015A 20.6800
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ECAD 4387 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 15 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 57A 1700pF a 0V, 1MHz
G3S12003H Global Power Technology-GPT G3S12003H 4.5600
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ECAD 4100 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo Pacote Completo TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 3 A 0 ns 100 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 9A 260pF a 0 V, 1 MHz
G5S12002H Global Power Technology-GPT G5S12002H 3.0000
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ECAD 6277 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo Pacote Completo TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 2 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 7,5A 170pF a 0 V, 1 MHz
G3S06508D Global Power Technology-GPT G3S06508D 4.8000
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ECAD 9492 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-263 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 8 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 25,5A 550pF a 0 V, 1 MHz
G4S06508CT Global Power Technology-GPT G4S06508CT 4.6900
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ECAD 1563 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-252 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 8 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 24A 395pF a 0 V, 1 MHz
G3S06506C Global Power Technology-GPT G3S06506C 4.0700
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ECAD 4536 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-252 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 6 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 22,5A 424pF a 0 V, 1 MHz
G5S12015PM Global Power Technology-GPT G5S12015PM 16.5000
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ECAD 6923 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AC download Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 15 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 55A 1370pF a 0 V, 1 MHz
G3S12010A Global Power Technology-GPT G3S12010A 17.2000
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ECAD 2786 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 10 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 34,8A 770pF a 0 V, 1 MHz
G5S06508DT Global Power Technology-GPT G5S06508DT 5.3200
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ECAD 7962 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-263 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,5 V a 8 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 32A 550pF a 0 V, 1 MHz
G3S12002H Global Power Technology-GPT G3S12002H 3.8200
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ECAD 8263 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo Pacote Completo TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 2 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 7.3A 136pF a 0 V, 1 MHz
G5S06506QT Global Power Technology-GPT G5S06506QT 5.5400
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ECAD 4125 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície 4-PowerTSFN SiC (carboneto de silício) Schottky 4-DFN (8x8) download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,5 V a 6 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 34A 395pF a 0 V, 1 MHz
G5S12020H Global Power Technology-GPT G5S12020H 26.0000
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ECAD 3136 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo Pacote Completo TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 20 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 24,6A 1320pF a 0V, 1MHz
GAS06520P Global Power Technology-GPT GÁS06520P 11.1000
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ECAD 4087 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 20 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 66,5A 1390pF a 0 V, 1 MHz
G4S12020PM Global Power Technology-GPT G4S12020PM 30.5100
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ECAD 4007 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,6 V a 20 A 0 ns 30 µA a 1700 V -55°C ~ 175°C 64,5A 2600pF a 0V, 1MHz
G4S06515HT Global Power Technology-GPT G4S06515HT 8.3300
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ECAD 1776 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo Pacote Completo TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 15 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 23,8A 645pF a 0 V, 1 MHz
G4S06515CT Global Power Technology-GPT G4S06515CT 8.3300
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ECAD 4595 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-252 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 15 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 35,8A 645pF a 0 V, 1 MHz
G3S17005C Global Power Technology-GPT G3S17005C 25.7200
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ECAD 2406 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-252 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1700 V 1,7 V a 5 A 0 ns 50 µA a 1700 V -55°C ~ 175°C 27A 780pF a 0 V, 1 MHz
G5S12008D Global Power Technology-GPT G5S12008D 8.0700
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ECAD 8712 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-263 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 8 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 26.1A 550pF a 0 V, 1 MHz
G5S06510HT Global Power Technology-GPT G5S06510HT 5.7300
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ECAD 7291 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo Pacote Completo TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 23,8A -
G3S06505C Global Power Technology-GPT G3S06505C 4.3100
Solicitação de cotação
ECAD 3183 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-252 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 5 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 22,6A 424pF a 0 V, 1 MHz
G5S06506CT Global Power Technology-GPT G5S06506CT 4.8300
Solicitação de cotação
ECAD 2358 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-252 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,5 V a 6 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 24A 395pF a 0 V, 1 MHz
G4S06540PT Global Power Technology-GPT G4S06540PT 24.1500
Solicitação de cotação
ECAD 8892 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 40 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 81,8A 1860pF a 0V, 1MHz
G3S06504A Global Power Technology-GPT G3S06504A 3.0800
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ECAD 2311 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita e Caixa (TB) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 4 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 11,5A 181pF a 0 V, 1 MHz
G5S06508CT Global Power Technology-GPT G5S06508CT 5.3200
Solicitação de cotação
ECAD 5536 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-252 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,5 V a 8 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 31A 550pF a 0 V, 1 MHz
G3S06520P Global Power Technology-GPT G3S06520P 11.9400
Solicitação de cotação
ECAD 5761 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 20 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 60A 1170pF a 0 V, 1 MHz
G3S06520H Global Power Technology-GPT G3S06520H 11.9400
Solicitação de cotação
ECAD 1681 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo Pacote Completo TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 20 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 26A 1170pF a 0 V, 1 MHz
G5S12002A Global Power Technology-GPT G5S12002A 2.8400
Solicitação de cotação
ECAD 9027 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 2 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 10A 170pF a 0 V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2.000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque