SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Tipo de montagem Pacote/Caixa Tecnologia Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH ECCN HTSU Pacote Padrão Velocidade Configuração de diodo Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se Tempo de recuperação reversa (trr) Corrente - Vazamento reverso @ Vr Temperatura Operacional - Junção Corrente - Média Retificada (Io) Capacitância @ Vr, F
G3S06506B Global Power Technology-GPT G3S06506B 5.0200
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ECAD 1251 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-3 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AB download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de cátodo comum 650 V 14A (CC) 1,7 V a 3 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C
G5S12008PM Global Power Technology-GPT G5S12008PM 9.6100
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ECAD 8975 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 8 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 27,9A 550pF a 0 V, 1 MHz
G3S06508A Global Power Technology-GPT G3S06508A 4.8000
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ECAD 8461 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 8 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 25,5A 550pF a 0 V, 1 MHz
G3S06510D Global Power Technology-GPT G3S06510D 5.3000
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ECAD 8844 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-263 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 10 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 34A 690pF a 0 V, 1 MHz
GAS06520H Global Power Technology-GPT GÁS06520H 11.1000
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ECAD 8334 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo Pacote Completo TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 20 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 30A 1390pF a 0 V, 1 MHz
G3S06502D Global Power Technology-GPT G3S06502D 2.2800
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ECAD 4941 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-263 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 2 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 9A 123pF a 0V, 1MHz
G5S12040B Global Power Technology-GPT G5S12040B 48.2100
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ECAD 4119 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-3 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AB download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de cátodo comum 1200 V 62A (CC) 1,7 V a 20 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C
G3S12010BM Global Power Technology-GPT G3S12010BM 14.7900
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ECAD 5239 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-3 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AB download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de cátodo comum 1200 V 19,8A (CC) 1,7 V a 5 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C
G5S06510CT Global Power Technology-GPT G5S06510CT 5.7300
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ECAD 9401 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-252 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,5 V a 10 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 35,8A 645pF a 0 V, 1 MHz
G3S12005C Global Power Technology-GPT G3S12005C 7.6200
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ECAD 7511 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-252 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 5 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 34A 475pF a 0 V, 1 MHz
G5S12010BM Global Power Technology-GPT G5S12010BM 13.9300
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ECAD 3293 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-3 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AB download Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de cátodo comum 1200 V 19,35A (CC) 1,7 V a 5 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C
G3S06516B Global Power Technology-GPT G3S06516B 9.8300
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ECAD 5474 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-3 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AB download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de cátodo comum 650 V 25,5A (CC) 1,7 V a 8 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C
G4S06508AT Global Power Technology-GPT G4S06508AT 4.6900
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ECAD 3519 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 8 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 24,5A 395pF a 0 V, 1 MHz
G5S12005D Global Power Technology-GPT G5S12005D 7.4500
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ECAD 5571 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-263 download Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 5 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 21A 424pF a 0 V, 1 MHz
G3S12020A Global Power Technology-GPT G3S12020A 30.2000
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ECAD 4822 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 120 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 73A 2600pF a 0V, 1MHz
G5S12008H Global Power Technology-GPT G5S12008H 8.0700
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ECAD 1340 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo Pacote Completo TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F download Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 8 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 16A 550pF a 0 V, 1 MHz
G5S06520AT Global Power Technology-GPT G5S06520AT 12.1800
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ECAD 9308 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,5 V a 20 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 68,8A 1600pF a 0V, 1MHz
G5S06505DT Global Power Technology-GPT G5S06505DT 4.6400
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ECAD 1517 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-263 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,5 V a 5 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 24A 395pF a 0 V, 1 MHz
G5S06508HT Global Power Technology-GPT G5S06508HT 5.3200
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ECAD 9812 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo Pacote Completo TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,5 V a 8 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 20A 550pF a 0 V, 1 MHz
G4S06510HT Global Power Technology-GPT G4S06510HT 4.8600
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ECAD 9481 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo Pacote Completo TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 10 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 20A 550pF a 0 V, 1 MHz
G3S06502A Global Power Technology-GPT G3S06502A 2.2800
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ECAD 2507 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 2 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 9A 123pF a 0V, 1MHz
G5S06508QT Global Power Technology-GPT G5S06508QT 6.2000
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ECAD 7166 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície 4-PowerTSFN SiC (carboneto de silício) Schottky 4-DFN (8x8) download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,5 V a 8 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 44,9A 550pF a 0 V, 1 MHz
G5S06504CT Global Power Technology-GPT G5S06504CT 3.6600
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ECAD 7292 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-252 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,6 V a 4 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 13,8A 181pF a 0 V, 1 MHz
G3S06508H Global Power Technology-GPT G3S06508H 4.8000
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ECAD 3.000 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo Pacote Completo TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 8 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 14A 550pF a 0 V, 1 MHz
G3S06503C Global Power Technology-GPT G3S06503C 2.7300
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ECAD 3004 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-252 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 3 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 11,5A 181pF a 0 V, 1 MHz
G3S06550P Global Power Technology-GPT G3S06550P 37.4900
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ECAD 7840 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 50 A 0 ns 100 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 105A 4400pF a 0V, 1MHz
G3S06510B Global Power Technology-GPT G3S06510B 7.1800
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ECAD 7126 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-3 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AB download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de cátodo comum 650 V 27A (CC) 1,7 V a 5 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C
G3S17005P Global Power Technology-GPT G3S17005P 28.5100
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ECAD 8699 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1700 V 1,7 V a 5 A 0 ns 50 µA a 1700 V -55°C ~ 175°C 29,5A 780pF a 0 V, 1 MHz
G3S17010A Global Power Technology-GPT G3S17010A 33.3600
Solicitação de cotação
ECAD 3150 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1700 V 1,7 V a 10 A 0 ns 100 µA a 1700 V -55°C ~ 175°C 24A 1500pF a 0V, 1MHz
G5S6506Z Global Power Technology-GPT G5S6506Z 5.5400
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ECAD 8309 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície 8-PowerTDFN SiC (carboneto de silício) Schottky 8-DFN (4,9x5,75) download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,5 V a 6 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 30,5A 395pF a 0 V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2.000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque