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Diodos (1803)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Razão de Capacitânncia | Condição da Razão de Capacitância | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DD400S33K2CNOSA1 | - |  | 1716 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | A-IHV130-3 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 3300 v | - | 3,5 V @ 400 A | 550 A @ 1800 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||
 | BAS40-07WH6327 | - | | 9996 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-82A, SOT-343 | Bas40 | Schottky | PG-SOT343-4 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 2 Independente | 40 v | 120mA (DC) | 1 V @ 40 Ma | 1 µA a 30 V | 150 ° C. | |||||||||||
 | DD285N04KHPSA1 | - | | 7337 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | Módlo | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 400 v | 285a | 1,15 V @ 800 A | 20 mA a 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||
 | BAT64B5000 | - | | 7800 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Schottky | PG-SOT23-3-3 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 40 v | 750 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 30 V | 150 ° C. | 120mA | 4pf @ 1V, 1MHz | |||||||||||
 | D2520N22TVFXPSA1 | 408.0400 | | 4 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | Montagem do chassi | DO-200AC, K-Puk | D2520N22 | Padrão | BG-D7526K0-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 75 mA A 2200 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 2520a | - | |||||||||||||
 | BB 659C-02V E7912 | - | | 5987 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | BB 659C | PG-SC79-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | 2.75pf @ 28V, 1MHz | Solteiro | 30 v | 15.3 | C1/C28 | - | |||||||||||||
 | IRD3CH31DD6 | - | | 1878 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | IRD3CH31 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| SIDC73D170E6X1SA2 | - | | 1531 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | Morrer | Sidc73d | Padrão | Serra Em Papel Alumínio | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1700 v | 2,15 V @ 100 A | 27 µA A 1700 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 100a | - | |||||||||||
| IRD3CH11DB6 | - | | 5848 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | Morrer | IRD3CH11 | Padrão | Morrer | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001538788 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 2,7 V @ 25 A | 190 ns | 700 Na @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 25a | - | ||||||||||
 | BAV199E6359HTMA1 | - | | 1788 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV199 | Padrão | PG-SOT23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 80 v | 200Ma (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 1,5 µs | 5 Na @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||
 | IDH12SG60CXKSA2 | 6.8800 | | 3 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™+ | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | IDH12SG60 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | PG-PARA220-2-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 600 v | 2,1 V @ 12 A | 0 ns | 100 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 12a | 310pf @ 1V, 1MHz | ||||||||||
| BAS16E6393HTSA1 | - | | 6270 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bas16 | Padrão | PG-SOT23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP000010204 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 80 v | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA A 75 V | 150 ° C (Máximo) | 250mA | 2pf @ 0V, 1MHz | |||||||||
| ND260N08KHPSA1 | - | | 4546 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | Montagem do chassi | Módlo | ND260N | Padrão | BG-PB50ND-1 | - | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | SP000540046 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,32 V @ 800 A | 30 mA a 800 V | 150 ° C (Máximo) | 260a | - | |||||||||||
| DZ1070N18KHPSA3 | 491.3700 | | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | DZ1070 | Padrão | Módlo | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1800 v | 1,11 V @ 3000 A | 150 mA @ 1800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1100A | - | |||||||||||
 | BAS70-02W E6327 | 0,0200 | | 100 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-80 | Schottky | PG-SCD80-2 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 70 v | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 Na @ 50 V | 150 ° C. | 70mA | 1.5pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||
 | AIDK10S65C5ATMA1 | 5.4200 | | 7703 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Coolsic ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | AIDK10 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | PG-A263-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 60 µA A 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 303pf @ 1V, 1MHz | ||||||||||
| SIDC04D60F6X1SA2 | - | | 7851 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | Morrer | Sidc04 | Padrão | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,6 V @ 9 A | 27 µA A 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 9a | - | |||||||||||
| IDH08SG60CXKSA2 | 5.7600 | | 3263 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™+ | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | IDH08SG60 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | PG-PARA220-2-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 600 v | 2,1 V @ 8 A | 0 ns | 70 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 240pf @ 1V, 1MHz | ||||||||||
| SIDC30D120H6X1SA4 | - | | 8048 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | Morrer | Sidc30d | Padrão | Serra Em Papel Alumínio | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,6 V @ 50 A | 27 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 50a | - | |||||||||||
 | IDW24G65C5BXKSA2 | 12.2500 | | 240 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™+ | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | IDW24G65 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | PG-A247-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 12 A | 0 ns | 190 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 12a | 360pf @ 1V, 1MHz | ||||||||||
 | IDT08S60C | 3.0800 | | 4 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | PG-A220-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 600 v | 1,7 V @ 8 a | 0 ns | 100 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 310pf @ 1V, 1MHz | |||||||||||
 | DZ1070N28KHPSA1 | 782.4600 | | 5082 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | DZ1070 | Padrão | Módlo | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 2800 v | 1,52 V @ 3400 A | 150 mA a 2800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1070a | - | |||||||||||
 | Idd09e60buma1 | - | | 7944 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IDD09E60 | Padrão | PG-A252-3 | download | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2 V @ 9 A | 75 ns | 50 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 19.3a | - | |||||||||||
| BAT 54 B5003 | - | | 9227 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT 54 | Schottky | PG-SOT23 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 25 V | 150 ° C (Máximo) | 200Ma | 10pf @ 1V, 1MHz | |||||||||||
 | BAL99 | - | | 3268 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Padrão | SOT23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.959 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 80 v | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA A 70 V | 150 ° C (Máximo) | 250mA | 1.5pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||
| IDH09G65C5XKSA2 | 4.9500 | | 2220 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™+ | Tubo | Não é para desenhos para Novos | Através do buraco | To-220-2 | IDH09G65 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | PG-PARA220-2-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001633154 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 9 A | 0 ns | 160 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 9a | 270pf @ 1V, 1MHz | |||||||||
| BAS16E6393 | 0,0300 | | 144 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bas16 | Padrão | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 80 v | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA A 75 V | 150 ° C (Máximo) | 250mA | 2pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||
| IDW20G65C5BXKSA2 | 11.2900 | | 240 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™+ | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | IDW20G65 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | PG-A247-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 180 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 300pf @ 1V, 1MHz | ||||||||||
| HFA15TB60PBF | - | | 9436 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Hexfred® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | HFA15 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 15 A | 60 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | ||||||||||
 | IDW30C65D1XKSA1 | 3.2900 | | 1425 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Rapid 1 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | IDW30C65 | Padrão | PG-PARA247-3-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 650 v | 15a | 1,7 V @ 15 A | 71 ns | 40 µA A 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C. |
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