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Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Max)	Razão de Capacitânncia	Condição da Razão de Capacitância	Q @ vr, f
D255N06BXPSA1	-	RFQ	5683	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto		Montagem do Pino	Do-205AA, DO-8, Stud	D255N	Padrão	-	download		Não Aplicável	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		600 v				20 mA a 600 V	-40 ° C ~ 180 ° C.	255a	-
D690S22TXPSA1	-	RFQ	9468	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto		Montagem do chassi	Do-200ab, B-Puk	D690S22	Padrão	-	download		Não Aplicável	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		2200 v		2,7 V @ 3000 A	9 µs	25 mA @ 2200 V	-40 ° C ~ 150 ° C.	690A	-
DD500S33HE3BOSA1	-	RFQ	3913	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Ativo		Montagem do chassi	Módlo	DD500S33	Padrão	AG-IHVB130-3	download	ROHS3 Compatível		Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	2 Independente	3300 v	500A (DC)	3,85 V @ 500 A		500 A @ 1800 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
IRD3CH9DB6	-	RFQ	9224	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto		Montagem na Superfície	Morrer	IRD3CH9	Padrão	Morrer	download		1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	SP001544374	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		1200 v		2,7 V @ 10 A	154 ns	200 Na @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C.	10a	-
IDWD30G120C5XKSA1	20.7500	RFQ	494	Tecnologias Infineon	Coolsic ™+	Tubo	Ativo		Através do buraco	To-247-2	IDWD30	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	PG-PARA 2247-2	download	ROHS3 Compatível	Não Aplicável	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	30	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)		1200 v		1,65 V @ 30 A	0 ns	248 µA A 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	87a	1980pf @ 1V, 1MHz
SIDC14D60F6X1SA4	-	RFQ	1255	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto		Montagem na Superfície	Morrer	SIDC14D60	Padrão	Morrer	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		600 v		1,6 V @ 45 A		27 µA A 600 V	-40 ° C ~ 175 ° C.	45a	-
BAS70-02WE6327	0,0300	RFQ	65	Tecnologias Infineon	-	Volume	Ativo		Montagem na Superfície	SC-80		Schottky	PG-SCD80-2	download	Não Aplicável	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade		70 v		1 V @ 15 mA	100 ps	100 Na @ 50 V	150 ° C.	70mA	1.5pf @ 0V, 1MHz
D770N14TXPSA1	-	RFQ	5128	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto		Montagem do chassi	Do-200aa, a-puk	D770N	Padrão	-	download		Não Aplicável	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		1400 v		1,08 V @ 400 A		30 mA A 1400 V	-40 ° C ~ 180 ° C.	770A	-
D3501N32TS20XPSA1	-	RFQ	3928	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto		Montagem do chassi	DO-200AE		Padrão	BG-D12035K-1	-			Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		3200 v		1,27 V @ 4000 A		100 mA A 3200 V	160 ° C.	4870A	-
BAT5406E6327HTSA1	0,5000	RFQ	27	Tecnologias Infineon	-	Tape & Reel (TR)	Ativo		Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAT5406	Schottky	PG-SOT23	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade	1 par ânodo comum	30 v	200Ma (DC)	800 mV @ 100 Ma	5 ns	2 µA A 25 V	150 ° C (Máximo)
BAT64-05B5003	1.0000	RFQ	8644	Tecnologias Infineon	Automotivo, AEC-Q101	Volume	Ativo		Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAT64	Schottky	PG-SOT23-3-3	download	Não Aplicável	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade	1 par cátodo comum	40 v	120mA	750 mV @ 100 Ma	5 ns	2 µA A 30 V	150 ° C.
SIDC09D60E6YX1SA1	-	RFQ	5098	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto		Montagem na Superfície	Morrer	SIDC09D60	Padrão	Serra Em Papel Alumínio	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		600 v		1,7 V @ 20 A	150 ns	27 µA A 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	20a	-
IRD3CH42DB6	-	RFQ	3101	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto		Montagem na Superfície	Morrer	IRD3CH42	Padrão	Morrer	download		1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	SP001547488	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		1200 v		2,7 V @ 75 A	285 ns	1,5 µA A 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C.	75a	-
D450S16TXPSA1	-	RFQ	1563	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto		Montagem do chassi	Do-200aa, a-puk	D450S	Padrão	-	download		Não Aplicável	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		1600 v		2,25 V @ 1200 A	6,2 µs	10 mA a 1600 V	-25 ° C ~ 180 ° C.	443a	-
BAW78C	0,0800	RFQ	4	Tecnologias Infineon	-	Volume	Ativo		Montagem na Superfície	TO-243AA		Padrão	PG-SOT89-4-2	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	8541.10.0080	4.000	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		200 v		1,6 V @ 1 A	1 µs	1 µA A 200 V	150 ° C.	1a	10pf @ 0V, 1MHz
IDP15E60	0,8600	RFQ	11	Tecnologias Infineon	IDP	Volume	Ativo		Através do buraco	To-220-2		Padrão	PG-A220-2	download					Ear99	8542.39.0001	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		600 v		2 V @ 15 A	87 ns	50 µA A 600 V	-40 ° C ~ 175 ° C.	29.2a	-
DD104N14KKHPSA1	-	RFQ	2757	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto		Montagem do chassi	Módlo Pow-R-Blok ™		Padrão	Módlo Pow-R-Blok ™	download		Não Aplicável	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	15	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE	1400 v	104a	1,4 V @ 300 A		20 mA A 1400 V	150 ° C.
BAV 99T E6327	-	RFQ	8939	Tecnologias Infineon	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado no sic		Montagem na Superfície	SC-75, SOT-416	BAV 99	Padrão	PG-SC75-3D	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade	CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE	80 v	200Ma (DC)	1,25 V @ 150 Ma	4 ns	150 Na @ 70 V	150 ° C (Máximo)
D452N12EVFXPSA1	-	RFQ	2311	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto		Montagem do parafuso	Não -Padronizado	D452N	Padrão	FL54	download		Não Aplicável	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		1200 v				50 mA A 1200 V	-40 ° C ~ 180 ° C.	450a	-
D452N14EXPSA1	-	RFQ	8152	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto		Montagem do parafuso	Não -Padronizado	D452N	Padrão	FL54	download		Não Aplicável	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		1400 v				50 mA A 1400 V	-40 ° C ~ 180 ° C.	450a	-
BAS12505WH6327XTSA1	0,7700	RFQ	9514	Tecnologias Infineon	-	Tape & Reel (TR)	Ativo		Montagem na Superfície	SC-70, SOT-323	BAS12504	Schottky	PG-SOT323	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade	1 par cátodo comum	25 v	100mA (DC)	950 mV @ 35 mA		150 Na @ 25 V	150 ° C (Máximo)
SIDC46D170HX1SA2	-	RFQ	4014	Tecnologias Infineon	-	Volume	Descontinuado no sic		Montagem na Superfície	Morrer	Sidc46d	Padrão	Serra Em Papel Alumínio	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		1700 v		1,8 V @ 75 A		27 µA A 1700 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	75a	-
BAS7005WE6327HTSA1	-	RFQ	6687	Tecnologias Infineon	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montagem na Superfície	SC-70, SOT-323	Bas7005	Schottky	PG-SOT323	download		1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade	1 par cátodo comum	70 v	70mA (DC)	1 V @ 15 mA	100 ps	100 Na @ 50 V	150 ° C (Máximo)
IDK12G65C5XTMA1	-	RFQ	2464	Tecnologias Infineon	Coolsic ™+	Tape & Reel (TR)	Descontinuado no sic		Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	IDK12G65	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	PG-A263-2	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.000	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)		650 v		1,8 V @ 12 A	0 ns	2,1 mA a 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	12a	360pf @ 1V, 1MHz
D1961SH45TXPSA1	2.0000	RFQ	3114	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Ativo		Montagem do chassi	DO-200AE	D1961SH45	Padrão	-	download	ROHS3 Compatível	Não Aplicável	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	2	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		4500 v		2,5 V @ 2500 A		150 mA @ 4500 V	0 ° C ~ 140 ° C.	2380a	-
BB565H7902XTSA1	-	RFQ	8783	Tecnologias Infineon	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SC-80	BB565		SCD-80	download		1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0070	3.000										2.2pf @ 28V, 1MHz	Solteiro	30 v	11	C1/C28	-
IDW15E65D2FKSA1	2.7700	RFQ	240	Tecnologias Infineon	-	Tubo	Ativo		Através do buraco	To-247-3	IDW15E65	Padrão	PG-PARA247-3-1	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	30	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		650 v		2,3 V @ 15 A	47 ns	40 µA A 650 V	-40 ° C ~ 175 ° C.	30a	-
BAT64B5000	-	RFQ	7800	Tecnologias Infineon	Automotivo, AEC-Q101	Volume	Ativo		Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		Schottky	PG-SOT23-3-3	download	Não Aplicável	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade		40 v		750 mV @ 100 Ma	5 ns	2 µA A 30 V	150 ° C.	120mA	4pf @ 1V, 1MHz
56dn06Elemprxpsa1	-	RFQ	1512	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto		Prenda	Do-200ab, B-Puk	56dn06	Padrão	-	download		Não Aplicável	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		600 v		1,15 V @ 10000 A		100 mA a 600 V	-40 ° C ~ 180 ° C.	6400A	-
BAS40-07WH6327	-	RFQ	9996	Tecnologias Infineon	-	Volume	Ativo		Montagem na Superfície	SC-82A, SOT-343	Bas40	Schottky	PG-SOT343-4	download	Não Aplicável	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade	2 Independente	40 v	120mA (DC)	1 V @ 40 Ma		1 µA a 30 V	150 ° C.

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