SIC
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Diodos (1803)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Razão de Capacitânncia Condição da Razão de Capacitância Q @ vr, f
BAS70-05B5000 Infineon Technologies BAS70-05B5000 0,0300
RFQ
 ECAD 90 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas70 Schottky PG-SOT23-3-3 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par cátodo comum 70 v 70mA (DC) 1 V @ 15 mA 100 Na @ 50 V 150 ° C.
SIDC08D120H8X1SA1 Infineon Technologies SIDC08D120H8X1SA1 -
RFQ
 ECAD 8031 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo SIDC08 Padrão download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,41 V @ 45 A 27 µA A 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C. 150a -
IDC08S60CEX7SA1 Infineon Technologies IDC08S60CEX7SA1 -
RFQ
 ECAD 3999 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™+ Volume Obsoleto Montagem NA Superfície Morrer IDC08S60 Sic (carboneto de Silíc) Schottky Morrer download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001304290 Ear99 8541.10.0080 1 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 600 v 1,7 V @ 8 a 0 ns 100 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 8a 310pf @ 1V, 1MHz
BAT6406WH6327XTSA1 Infineon Technologies BAT6406WH6327XTSA1 0,5200
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, BAT64 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície SC-70, SOT-323 BAT6406 Schottky PG-SOT323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par ânodo comum 40 v 250mA 750 mV @ 100 Ma 5 ns 2 µA A 30 V 150 ° C (Máximo)
ND350N16KHPSA1 Infineon Technologies ND350N16KHPSA1 -
RFQ
 ECAD 3827 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto Montagem do chassi Módlo ND350N16 Padrão BG-PB50ND-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1600 v 30 mA a 1600 V -40 ° C ~ 135 ° C. 350a -
D56U45CPRXPSA1 Infineon Technologies D56U45CPRXPSA1 -
RFQ
 ECAD 7199 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto Montagem do Pino Stud D56U45C Padrão BG-DSW272-1 download Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 4500 v 4,5 V @ 320 A 3,3 µs 5 mA @ 4500 V 125 ° C. 102a -
BAT1804E6327HTSA1 Infineon Technologies BAT1804E6327HTSA1 0,5200
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 ECAD 4515 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT1804 Padrão PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 35 v 100mA (DC) 1,2 V @ 100 Ma 120 ns 20 Na @ 20 V 150 ° C (Máximo)
IDW40G65C5BXKSA2 Infineon Technologies IDW40G65C5BXKSA2 19.9300
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 ECAD 104 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™+ Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 IDW40G65 Sic (carboneto de Silíc) Schottky PG-A247-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 20 A 0 ns 210 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 20a 590pf @ 1V, 1MHz
BAS 16 B5003 Infineon Technologies Bas 16 B5003 -
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 ECAD 1100 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas 16 Padrão PG-SOT23 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 80 v 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 1 µA A 75 V 150 ° C (Máximo) 250mA 2pf @ 0V, 1MHz
D2201N45TXPSA1 Infineon Technologies D2201N45TXPSA1 969.6200
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 ECAD 3296 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo Montagem do chassi Do-200d D2201N45 Padrão - download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 4500 v 1,2 V @ 2500 A 100 mA a 4500 V -40 ° C ~ 140 ° C. 3250A -
GATELEADWHBN661XXPSA1 Infineon Technologies GatEleadwhbn661xxpsa1 29.6100
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 ECAD 9608 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo - - GatEleadwhbn661 - - - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 0000.00.0000 1 - - - -
62-0209PBF Infineon Technologies 62-0209pbf -
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 ECAD 8445 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto 62-02 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001562842 Ear99 8541.10.0080 1
BAT240AE6433HTMA1 Infineon Technologies BAT240AE6433HTMA1 -
RFQ
 ECAD 1102 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT240A Schottky PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 240 v 400mA (DC) 900 mV @ 400 mA 5 µA A 200 V 150 ° C (Máximo)
D56S45CS02PRXPSA1 Infineon Technologies D56S45CS02PRXPSA1 -
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 ECAD 9347 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto Montagem do Pino Stud D56S45C Padrão BG-DSW272-1 - Não Aplicável Alcançar Não Afetado SP000440848 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 4500 v 4,5 V @ 320 A 3,3 µs 5 mA @ 4500 V 125 ° C (Máximo) 102a -
56DN06B02ELEMXPSA1 Infineon Technologies 56dn06b02Elemxpsa1 383.9800
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo Prenda Do-200ab, B-Puk 56dn06 Padrão E-EUPEC-0 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 20 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 940 mV @ 8000 A 60 mA a 600 V 180 ° C (Máximo) 11140a -
IRD3CH31DB6 Infineon Technologies IRD3CH31DB6 -
RFQ
 ECAD 4903 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto Montagem NA Superfície Morrer IRD3CH31 Padrão Wafer download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001539694 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 2,7 V @ 50 A 240 ns 20 µA A 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 50a -
IDH16G65C6XKSA1 Infineon Technologies IDH16G65C6XKSA1 6.4900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 IDH16G65 Sic (carboneto de Silíc) Schottky PG-A220-2 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,35 V @ 16 a 0 ns 53 µA @ 420 V -55 ° C ~ 175 ° C. 34a 783pf @ 1V, 1MHz
BAT 64-04 B5003 Infineon Technologies BAT 64-04 B5003 -
RFQ
 ECAD 6385 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Morcego 64 Schottky PG-SOT23 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 40 v 120mA 750 mV @ 100 Ma 5 ns 2 µA A 30 V 150 ° C (Máximo)
IDH10G65C6XKSA1 Infineon Technologies IDH10G65C6XKSA1 4.6600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 IDH10G65 Sic (carboneto de Silíc) Schottky PG-A220-2 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,35 V @ 10 A 0 ns 33 µA @ 420 V -55 ° C ~ 175 ° C. 24a 495pf @ 1V, 1MHz
D950N18TXPSA1 Infineon Technologies D950N18TXPSA1 125.5800
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo Prenda Do-200aa, a-puk D950N18 Padrão - download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 18 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1800 v 1,12 V @ 650 A 40 mA @ 1800 V -40 ° C ~ 180 ° C. 950A -
IDK04G65C5XTMA1 Infineon Technologies IDK04G65C5XTMA1 -
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 ECAD 1952 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™+ Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IDK04G65 Sic (carboneto de Silíc) Schottky PG-A263-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,8 V @ 4 a 0 ns 670 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 4a 130pf @ 1V, 1MHz
IDH06G65C5XKSA1 Infineon Technologies IDH06G65C5XKSA1 -
RFQ
 ECAD 1193 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™+ Tubo Descontinuado no sic Através do buraco To-220-2 IDH06G65 Sic (carboneto de Silíc) Schottky PG-PARA220-2-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 6 A 0 ns 210 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 6a 190pf @ 1V, 1MHz
IDK08G65C5XTMA2 Infineon Technologies IDK08G65C5XTMA2 4.3500
RFQ
 ECAD 7505 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™+ Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IDK08G65 Sic (carboneto de Silíc) Schottky PG-A263-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,8 V @ 8 A 0 ns -55 ° C ~ 175 ° C. 8a 250pf @ 1V, 1MHz
BBY 58-02V E6327 Infineon Technologies BBY 58-02V E6327 -
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 ECAD 7446 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SC-79, SOD-523 BBY 58 PG-SC79-2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 5.5pf @ 6V, 1MHz Solteiro 10 v 3.5 C1/C4 -
DDB6U104N16RRPB37BPSA1 Infineon Technologies DDB6U104N16RRPB37BPSA1 121.0650
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 ECAD 9474 0,00000000 Tecnologias Infineon Econopack ™ 2 Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo DDB6U104 Padrão AG-ECONO2-7 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10 2,15 V @ 35 A 5 MA A 1600 V 35 a Três fase 1,6 kV
IDC04S60CEX7SA1 Infineon Technologies IDC04S60CEX7SA1 -
RFQ
 ECAD 2340 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™+ Volume Obsoleto Montagem NA Superfície Morrer IDC04S60 Sic (carboneto de Silíc) Schottky Morrer download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001304282 Ear99 8541.10.0080 1 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 600 v 1,9 V @ 4 A 0 ns 50 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 4a 130pf @ 1V, 1MHz
D450S20TXPSA1 Infineon Technologies D450S20TXPSA1 -
RFQ
 ECAD 8987 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto Montagem do chassi Do-200aa, a-puk D450S Padrão - download Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 2000 v 2,25 V @ 1200 A 6,2 µs 10 ma @ 2000 v -25 ° C ~ 180 ° C. 443a -
D1131SH65TXPSA1 Infineon Technologies D1131SH65TXPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo Montagem do chassi DO-200AE D1131SH65 Padrão - download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 6500 v 5,6 V @ 2500 A 150 mA @ 6500 V 0 ° C ~ 140 ° C. 1100A -
IDT08S60CHKSA1 Infineon Technologies IDT08S60CHKSA1 -
RFQ
 ECAD 9211 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto IDT08S60 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 0000.00.0000 500
BAW56E6327 Infineon Technologies BAW56E6327 -
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 ECAD 5640 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAW56 Padrão PG-SOT23 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par ânodo comum 80 v 200Ma (DC) 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 150 Na @ 70 V 150 ° C (Máximo)
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