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Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tecnologia	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Velocidade	Atual – Máx.	Dissipação de energia (máx.)	Configuração de diodo	Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.)	Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo)	Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se	Tempo de recuperação reversa (trr)	Corrente - Vazamento reverso @ Vr	Temperatura Operacional - Junção	Corrente - Média Retificada (Io)	Capacitância @ Vr, F	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Máx.)	Resistência @ Se, F	Razão de capacitância	Condição da relação de capacitância	Q @ Vr, F
BAT165E6874HTMA1	0,5400	Solicitação de cotação	8	Tecnologias Infineon	Automotivo, AEC-Q101	Fita e Carretel (TR)	Ativo		Montagem em superfície	SC-76, SOD-323		Schottky	PG-SOD323-2	-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	10.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)				40 V		740 mV a 750 mA		50 µA a 40 V	150ºC	750mA	8,4 pF a 10 V, 1 MHz
BAS4002LE6327	0,0800	Solicitação de cotação	15	Tecnologias Infineon	-	Volume	Ativo		Montagem em superfície	SOD-882	BAS40	Schottky	PG-TSLP-2-1	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0070	15.000	Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade				40 V		1 V a 40 mA		1 µA a 30 V	150ºC	120mA	3pF a 0 V, 1 MHz
IDW20G65C5XKSA1	9.0900	Solicitação de cotação	162	Tecnologias Infineon	CoolSiC™+	Tubo	Ativo		Através do furo	PARA-247-3	IDW20G65	SiC (carboneto de silício) Schottky	PG-TO247-3-41	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	30	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)				650 V		1,7 V a 20 A	0 ns	210 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	20A	590pF @ 1V, 1MHz
SIDC08D60C8X1SA1	-	Solicitação de cotação	2200	Tecnologias Infineon	-	Volume	Ativo		Montagem em superfície	Morrer	SIDC08	padrão	Morrer	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	1	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)				600V		1,95 V a 30 A		27 µA a 600 V	-40°C ~ 175°C	30A	-
DD100N16SHPSA1	29.6800	Solicitação de cotação	4	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Ativo		Montagem em chassi	Módulo	DD100N16	padrão	Módulo	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	12				Conexão em série de 1 par	1600 V	130A
DZ950N44KHPSA1	814.6900	Solicitação de cotação	6351	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Ativo		Montagem em chassi	Módulo	DZ950N44	padrão	Módulo	download	Compatível com ROHS3	Não aplicável	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	1	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)				4400V		1,78 V a 3.000 A		100 mA a 4.400 V	-40°C ~ 150°C	950A	-
BAR50-03WE6327	0,0400	Solicitação de cotação	36	Tecnologias Infineon	-	Volume	Ativo	150°C (TJ)		SC-76, SOD-323			PG-SOD323-2-1	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0070	3.000		100 mA	250 mW									0,4pF @ 5V, 1MHz	PIN - Único	50V	4,5 Ohm a 10 mA, 100 MHz
DD180N18SHPSA1	-	Solicitação de cotação	7317	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Obsoleto		Montagem em chassi	Módulo		padrão	BG-PB34SB-1	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	8	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)			Conexão em série de 1 par	1800 V	226A			1 mA @ 1800 V	-40°C ~ 135°C
SIDC20D60C6	-	Solicitação de cotação	6689	Tecnologias Infineon	-	Volume	Descontinuado na SIC		Montagem em superfície	Morrer	SIDC20D	padrão	Serrado em papel alumínio	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP000015086	EAR99	8541.10.0080	1	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)				600V		1,9 V a 75 A		27 µA a 600 V	-40°C ~ 175°C	75A	-
IDW16G65C5XKSA1	8.1600	Solicitação de cotação	460	Tecnologias Infineon	CoolSiC™+	Tubo	Ativo		Através do furo	PARA-247-3	IDW16G65	SiC (carboneto de silício) Schottky	PG-TO247-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	30	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)				650 V		1,7 V a 16 A	0 ns	200 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	16A	470pF @ 1V, 1MHz
IDD03E60BUMA1	-	Solicitação de cotação	1689	Tecnologias Infineon	-	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto		Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	IDD03E60	padrão	PG-TO252-3	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	2.500	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)				600V		2 V @ 3 A	62 ns	50 µA a 600 V	-55°C ~ 175°C	7.3A	-
BAS1602LE6327XTMA1	0,0558	Solicitação de cotação	5229	Tecnologias Infineon	-	Fita e Carretel (TR)	Última compra		Montagem em superfície	SOD-882	BAS1602	padrão	PG-TSLP-2-1	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0070	15.000	Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade				80 V		1,25 V a 150 mA	4 ns	1 µA a 75 V	150°C (máx.)	200mA	2pF a 0 V, 1 MHz
BBY6605WH6327XTSA1	-	Solicitação de cotação	7001	Tecnologias Infineon	-	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	SC-70, SOT-323	ABY66		PG-SOT323	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0070	3.000												13,5 pF a 4,5 V, 1 MHz	1 par de cátodo comum	12V		5.41	C1/C4.5	-
D901S45T	-	Solicitação de cotação	2357	Tecnologias Infineon	-	Volume	Ativo		Montagem em chassi	DO-200AD	D901S45	padrão	-	download	Compatível com ROHS3	Não aplicável	REACH não afetado	SP000091324	EAR99	8541.10.0080	1	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)				4500 V		3,5 V a 2.500 A		250 mA a 4.500 V	-40°C ~ 125°C	1225A	-
D400N22BVFXPSA1	-	Solicitação de cotação	9963	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto		Montagem em pino	DO-205AA, DO-8, pino	D400N	padrão	-	download		Não aplicável	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	1	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)				2.200V				40 mA a 2.200 V	-40°C ~ 180°C	450A	-
SIDC06D120H8X1SA2	-	Solicitação de cotação	7658	Tecnologias Infineon	-	Volume	Ativo		Montagem em superfície	Morrer	SIDC06D120	padrão	Serrado em papel alumínio	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP000527596	EAR99	8541.10.0080	1	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)				1200 V		1,97 V a 7,5 A		27 µA a 1200 V	-40°C ~ 175°C	7,5A	-
DD400S33KL2CNOSA1	-	Solicitação de cotação	4746	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto		Montagem em chassi	Módulo		padrão	A-IHV73-3	download	Compatível com ROHS3	Não aplicável	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	4	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)				3300 V	-	2,6 V a 400 A		530 A @ 1800 V	-40°C ~ 125°C
BB69C-02V	-	Solicitação de cotação	6953	Tecnologias Infineon	*	Volume	Ativo							download	Não aplicável	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido		EAR99	8541.10.0070	1
D3041N65TXPSA1	2.0000	Solicitação de cotação	2325	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Ativo		Montagem em chassi	DO-200AE	D3041N65	padrão	-	download	Compatível com ROHS3	Não aplicável	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	2	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)				6500 V		1,7 V a 4.000 A		100 mA a 6.500 V	-40°C ~ 160°C	4090A	-
IDW40G65C5XKSA1	15.8800	Solicitação de cotação	462	Tecnologias Infineon	CoolSiC™+	Tubo	Ativo		Através do furo	PARA-247-3	IDW40G65	SiC (carboneto de silício) Schottky	PG-TO247-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP001632890	EAR99	8541.10.0080	30	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)				650 V		1,7 V a 40 A	0 ns	220 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	40A	1140pF @ 1V, 1MHz
BB 857 E7902	-	Solicitação de cotação	4605	Tecnologias Infineon	-	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	SC-80	BB 857		SCD-80	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0070	3.000												0,52 pF a 28 V, 1 MHz	Solteiro	30 V		12,7	C1/C28	-
IDH03G65C5XKSA2	2.1100	Solicitação de cotação	460	Tecnologias Infineon	CoolSiC™+	Tubo	Não para novos designs		Através do furo	PARA-220-2	IDH03G65	SiC (carboneto de silício) Schottky	PG-TO220-2-1	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	50	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)				650 V		1,7 V a 3 A	0 ns	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	3A	100pF @ 1V, 1MHz
IRD3CH82DD6	-	Solicitação de cotação	3199	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto				IRD3CH82			download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	1
PX8240HDNG018XTMA1	-	Solicitação de cotação	1527	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Obsoleto				PX8240HD			-	Compatível com ROHS3		REACH não afetado		OBSOLETO		1
21DN02S01EVOPRXPSA1	-	Solicitação de cotação	2433	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Ativo		-	-	21DN02	-	-	-	Compatível com ROHS3	Não aplicável	REACH não afetado	SP000541810		0000.00.0000	1	-									-	-	-
D740N44TXPSA1	439.5300	Solicitação de cotação	8984	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Ativo		Fixar	DO-200AB, B-PUK	D740N44	padrão	-	download	Compatível com ROHS3	Não aplicável	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	6	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)				4400 V		1,45 V a 700 A		70 mA @ 4400 V	-40°C ~ 160°C	750A	-
BB659CH7912XTSA1	-	Solicitação de cotação	2633	Tecnologias Infineon	-	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	SC-80	BB659		SCD-80	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0070	8.000												2,75 pF a 28 V, 1 MHz	Solteiro	30 V		15.3	C1/C28	-
DD350N14KHPSA1	-	Solicitação de cotação	3986	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto		Montagem em chassi	Módulo	DD350N14	padrão	Módulo	download	Compatível com ROHS3	Não aplicável	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	3	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)			Conexão em série de 1 par	1400 V	350A	1,28 V @ 1000 A		30 mA a 1400 V	-40°C ~ 150°C
IDK08G65C5XTMA1	-	Solicitação de cotação	6574	Tecnologias Infineon	CoolSiC™+	Fita e Carretel (TR)	Descontinuado na SIC		Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB	IDK08G65	SiC (carboneto de silício) Schottky	PG-TO263-2	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	1.000	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)				650 V		1,8 V a 8 A	0 ns	1,4 mA a 650 V	-55°C ~ 175°C	8A	250pF @ 1V, 1MHz
IDH20G65C6XKSA1	8.1100	Solicitação de cotação	3	Tecnologias Infineon	-	Tubo	Ativo		Através do furo	PARA-220-2	IDH20G65	SiC (carboneto de silício) Schottky	PG-TO220-2	download	Compatível com ROHS3	Não aplicável	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	50	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)				650 V		1,35 V a 20 A	0 ns	67 µA a 420 V	-55°C ~ 175°C	41A	970pF @ 1V, 1MHz

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