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Diodos (2089)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max)
GBJ6B GeneSiC Semiconductor GBJ6B 0,6645
RFQ
 ECAD 9226 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBJ GBJ6 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1242-GBJ6B Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 3 A 5 µA A 100 V 6 a Fase Única 100 v
GBJ6J GeneSiC Semiconductor GBJ6J 0,6645
RFQ
 ECAD 4675 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBJ GBJ6 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1242-GBJ6J Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 3 A 5 µA A 600 V 6 a Fase Única 600 v
GBJ30G GeneSiC Semiconductor GBJ30G 1.1205
RFQ
 ECAD 5909 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBJ GBJ30 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1242-GBJ30G Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 15 A 5 µA A 400 V 30 a Fase Única 400 v
GBPC15010T GeneSiC Semiconductor GBPC15010T 1.8979
RFQ
 ECAD 8514 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal de QC 4 quadrados, GBPC-T GBPC15010 Padrão GBPC-T - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 7,5 A 5 µA A 1000 V 15 a Fase Única 1 kv
DB155G GeneSiC Semiconductor DB155G 0,2325
RFQ
 ECAD 6311 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-EDIP (0,321 ", 8,15mm) DB155 Padrão DB download Rohs Compatível 1 (ilimito) DB155GGN Ear99 8541.10.0080 2.500 1,1 V @ 1,5 A 5 µA A 600 V 1.5 a Fase Única 600 v
S380Y GeneSiC Semiconductor S380Y 69.8500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-205AB, DO-9, Stud S380 Padrão DO-205AB (DO-9) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 8 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1600 v 1,2 V @ 380 A 10 µA A 1600 V -60 ° C ~ 180 ° C. 380a -
FR70JR02 GeneSiC Semiconductor FR70JR02 17.7855
RFQ
 ECAD 6539 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR70JR02GN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,4 V @ 70 A 250 ns 25 µA A 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 70A -
KBP208G GeneSiC Semiconductor KBP208G 0,2280
RFQ
 ECAD 3867 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, KBP KBP208 Padrão KBP download Rohs Compatível 1 (ilimito) KBP208GGS Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 2 A 10 µA a 50 V 2 a Fase Única 800 v
GBU4B GeneSiC Semiconductor Gbu4b 0,4725
RFQ
 ECAD 1430 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBU GBU4 Padrão GBU download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 4 A 5 µA A 100 V 4 a Fase Única 100 v
GB01SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-252 1.3500
RFQ
 ECAD 5379 0,00000000 Genesco semicondutors Sic Schottky MPS ™ Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 GB01SLT12 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-252 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,8 V @ 1 A 0 ns 2 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 69pf @ 1V, 1MHz
DB107G GeneSiC Semiconductor DB107G 0,1980
RFQ
 ECAD 5022 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-EDIP (0,321 ", 8,15mm) DB107 Padrão DB download Rohs Compatível 1 (ilimito) DB107GGN Ear99 8541.10.0080 2.500 1,1 V @ 1 A 10 µA A 1000 V 1 a Fase Única 1 kv
GD30MPS06H GeneSiC Semiconductor GD30MPS06H 5.9100
RFQ
 ECAD 484 0,00000000 Genesco semicondutors Sic Schottky MPS ™ Tubo Ativo Através do buraco To-247-2 GD30MPS06 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-247-2 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1242-GD30MPS06H Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v -55 ° C ~ 175 ° C. 49a 735pf @ 1V, 1MHz
FR85JR05 GeneSiC Semiconductor FR85JR05 27.9100
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,4 V @ 85 A 500 ns 25 µA A 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 85a -
GBJ30D GeneSiC Semiconductor GBJ30D 1.1205
RFQ
 ECAD 7632 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBJ GBJ30 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1242-GBJ30D Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 15 A 5 µA A 200 V 30 a Fase Única 200 v
BR84 GeneSiC Semiconductor BR84 0,8910
RFQ
 ECAD 1683 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-8 Padrão BR-8 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR84GN Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 1 A 10 µA A 400 V 8 a Fase Única 400 v
SD4145R GeneSiC Semiconductor SD4145R 14.3280
RFQ
 ECAD 5296 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud SD4145 Schottky, reversa polaridada Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 680 mV @ 30 A 1,5 mA a 35 V -55 ° C ~ 150 ° C. 30a -
MBR60045CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60045CTRL -
RFQ
 ECAD 5064 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Torre Dupla Schottky Torre Dupla download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 45 v 300A 600 mV @ 300 A 5 mA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GBJ35B GeneSiC Semiconductor GBJ35B 1.6410
RFQ
 ECAD 1019 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBJ GBJ35 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1242-GBJ35B Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 17,5 A 10 µA A 100 V 35 a Fase Única 100 v
MURF10005 GeneSiC Semiconductor Murf10005 -
RFQ
 ECAD 2925 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB Padrão To-244 - 1 (ilimito) MURF10005GN Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 50 v 50a 1,3 V @ 50 A 75 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GBJ25K GeneSiC Semiconductor GBJ25K 0,9795
RFQ
 ECAD 5563 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBJ GBJ25 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1242-GBJ25K Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 12,5 A 10 µA a 800 V 25 a Fase Única 800 v
GBJ6M GeneSiC Semiconductor GBJ6M 0,6645
RFQ
 ECAD 2848 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBJ GBJ6 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1242-GBJ6M Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 3 A 5 µA A 1000 V 6 a Fase Única 1 kv
GBJ10J GeneSiC Semiconductor GBJ10J 0,7470
RFQ
 ECAD 8686 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBJ GBJ10 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1242-GBJ10J Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 5 A 5 µA A 600 V 10 a Fase Única 600 v
GBJ15J GeneSiC Semiconductor GBJ15J 0,7875
RFQ
 ECAD 5273 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBJ GBJ15 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1242-GBJ15J Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 7,5 A 5 µA A 600 V 15 a Fase Única 600 v
GBJ30K GeneSiC Semiconductor GBJ30K 1.1205
RFQ
 ECAD 6434 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBJ GBJ30 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1242-GBJ30K Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 15 A 5 µA A 800 V 30 a Fase Única 800 v
GBJ25G GeneSiC Semiconductor GBJ25G 0,9795
RFQ
 ECAD 6281 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBJ GBJ25 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1242-GBJ25G Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 12,5 A 10 µA A 400 V 25 a Fase Única 400 v
GBJ6G GeneSiC Semiconductor GBJ6G 0,6645
RFQ
 ECAD 5991 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBJ GBJ6 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1242-GBJ6G Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 3 A 5 µA A 400 V 6 a Fase Única 400 v
GBJ30J GeneSiC Semiconductor GBJ30J 1.1205
RFQ
 ECAD 4294 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBJ GBJ30 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1242-GBJ30J Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 15 A 5 µA A 600 V 30 a Fase Única 600 v
M3P100A-80 GeneSiC Semiconductor M3P100A-80 -
RFQ
 ECAD 3281 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície Módulo 5-SMD Padrão 5-SMD - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 24 1,15 V @ 100 A 10 mA a 800 V 100 a Três fase 800 v
GBJ20D GeneSiC Semiconductor GBJ20D 0,9120
RFQ
 ECAD 6810 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBJ GBJ20 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1242-GBJ20D Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 10 A 5 µA A 200 V 20 a Fase Única 200 v
KBU8K GeneSiC Semiconductor KBU8K 0,7425
RFQ
 ECAD 6174 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbu KBU8 Padrão KBU download Rohs Compatível 1 (ilimito) KBU8KGN Ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 8 A 10 µA a 800 V 8 a Fase Única 800 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

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