SIC
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Diodos(155)

Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tecnologia Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Velocidade Configuração de diodo Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se Tempo de recuperação reversa (trr) Corrente - Vazamento reverso @ Vr Temperatura Operacional - Junção Corrente - Média Retificada (Io) Capacitância @ Vr, F
GP2D020A170B SemiQ GP2D020A170B -
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 ECAD 7384 0,00000000 SemiQ Amp+™ Tubo Descontinuado na SIC Através do furo PARA-247-2 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-247-2 - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH afetado 1560-1053-5 EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1700V 1,75 V a 20 A 0 ns 40 µA a 1700 V -55°C ~ 175°C 20A 1624pF @ 1V, 1MHz
GP3D010A065A SemiQ GP3D010A065A 2.5492
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 ECAD 6628 0,00000000 SemiQ Amp+™ Tubo Ativo Através do furo PARA-220-2 GP3D010 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-220-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH afetado EAR99 8541.10.0080 50 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,6 V a 10 A 0 ns 25 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 10A 419pF @ 1V, 1MHz
GP3D010A120B SemiQ GP3D010A120B 5.3303
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 ECAD 9212 0,00000000 SemiQ Amp+™ Tubo Ativo Através do furo PARA-247-2 GP3D010 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-247-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH afetado EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,65 V a 10 A 0 ns 20 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 10A 608pF @ 1V, 1MHz
GP2D020A120B SemiQ GP2D020A120B -
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 ECAD 4576 0,00000000 SemiQ Amp+™ Tubo Descontinuado na SIC Através do furo PARA-247-2 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-247-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH afetado 1560-1052-5 EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,8 V a 20 A 0 ns 40 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 20A 1270pF @ 1V, 1MHz
GHXS100B065S-D3 SemiQ GHXS100B065S-D3 47.0100
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 ECAD 6856 0,00000000 SemiQ - Tubo Ativo Montagem em chassi SOT-227-4, miniBLOC GHXS100 SiC (carboneto de silício) Schottky SOT-227 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH afetado 1560-GHXS100B065S-D3 EAR99 8541.10.0080 10 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 2 Independente 650 V 193A (DC) 1,65 V a 100 A 0 ns 250 µA a 650 V -55°C ~ 175°C
  • Daily average RFQ Volume

    Mais de 2.000

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almofada exposta 196-LFBGA

Quantidade: 1

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